帮助了解此LED照明晶体管电路

我从参考设计中模拟了该电路，但我不完全确定它是如何工作的，或者您将如何设计这种东西。在仿真中，尽管输入电压范围高达25V，但看起来它旨在将流经D1的电流保持恒定在5mA左右。

我看到M1的栅极电压保持在1.6V左右，而BJT的基极电压随着输入电压的升高而升高。因此，随着电压的升高，通过BJT的电流会增加，因此它的作用就像可调阻抗，我想可以使栅极电压保持恒定。那正确吗？

这是您只是在香料中所做的事情，还是某种电流镜电路在某处定义得很好，而我只是不认识它？

该电路旨在为LED提供恒定电流，而与电源电压无关。

MOSFET通过Q1集电极上的电压导通。一旦流经R1的电流（与流经LED的电流相同）导致电压下降约0.6V，Q1将开始导通并转移流经R2的电流。

然后，这将降低M1栅极的电压，以控制通过M1和LED的电流。

负反馈将使流经D1，M1和R1的电流稳定在大约5mA，因为这将在Q1基极产生0.6V。

电流将随着电源电压的变化而略有变化，但远不仅仅使用电阻器。

由于晶体管的Vbe具有〜2.2mV / deg的温度系数，因此也会随温度而变化。

当M1是BJT（例如2n2222）而不是MOSFET时，可以使用相同的电路。R3的值将更为关键，因为晶体管将需要R2的一些基极电流。

应当注意，这不是电流源最简单的电路。可以通过一个晶体管来驱动5mA电流的LED：

除了更简单之外，该原理图还具有电流值取决于齐纳电压（通常具有2-5％的容差）的优点，而不是Vbe一个晶体管与另一个晶体管之间的差异可能高达20％。另外还有一个D用于温度补偿的二极管，但对于精度要求不高或打算在室内使用的设备可以省去。

您发现的原理图更适合于大电流应用。因为槽的负载的电流由所决定Vbe的Q1和R1，且当前经由Q1小，就可以实现，而不以任何显著热（和相关的参数漂移）高负载电流Q1。

但是，对于5mA应用，这是浪费非常好的N-MOS。