Questions tagged «transistors»

我在理查德·道金斯（Richard Dawkins）的著作《自私的基因》（The Selfish Gene，1989）中发现以下说法： “……人脑中有大约一亿个神经元：您只能在头骨中装满几百个晶体管。” 这个说法今天仍然正确吗？谢谢。

10 transistors 

我们知道，在一个缩略图上CPU几乎有数十亿个晶体管，如果其中一个晶体管坏了怎么办？ CPU是否有任何自动恢复机制？

10 transistors  cpu 

我一直在通过“制造：电子：通过发现学习”一路走来，但一直停留在实验11上，在那里我制作了一个振荡电路。 本书要求使用2.2uF的电容器，但我只有1000uF的电容器。我认为尝试创建一个与我所拥有的零件具有相似功能的电路（或者至少了解为什么这样做是不可能的）会很有趣。 本书指定的电路是这样的： R1：470K电阻，R2：15K电阻，R3：27K电阻，C1：2.2uF电解电容，D1：LED，Q1：2N6027 PUT 我要做的第一件事是用6.7K电阻器代替R1，因此对电容器充电不会花那么长时间。接下来，我将R2替换为26K电阻，将R3替换为96K电阻，这样PUT仅在电容器接近其电压峰值时才让电荷通过。 我期望一旦电容器充电至〜5v，LED就会打开，而当电容器放电至小于〜5v时，LED将关闭。取而代之的是，电容器充电几秒钟，LED保持暗淡发光，而电容器的电压稳定在〜2.7v。 由于我对电子学的知识非常有限，所以我对这种行为感到困惑。我是否误解了电容器的工作原理？预先感谢您的专业知识！ 更新：我仍然不完全了解电阻值与LED /电容器“卡住”之间的关系（卡住意味着LED将保持点亮，电容器电压将保持在2.5v左右恒定）。经过更多测试后，看起来： R2和R3越大（将R2：R3的比率保持恒定），LED /电容卡住的可能性就越大 R1越小，LED盖卡住的可能性就越大。 例如，在R2为15K，R3为21K和R1为66K的情况下，LED /电容将正确振荡（尽管缓慢）。如果我将R1更改为46K，则LED /灯盖会“卡死” 有人知道这种行为的解释吗？ 我相信马克的回答是正确的（基于一些测试），所以我已经接受了。如果R1的电阻远小于R2和R3，则电容充电快于其放电速度，因此它振荡得很快，而在万用表看来它被“卡在”了一个电压上。 但是，如果Mark（或其他任何人）能从数据表中解释如何得出有关Rg的见解，我将不胜感激。

10 capacitor  transistors 

我有一个正在进行设计的模拟音频项目，它将需要约150个固态可变电阻器。我计划从一个微控制器控制这些，这样一个数字控制的锅就可以了，但是我发现的所有锅都太贵了（$ 1.00- $ 1.50）。 我最初的计划是使用带有小电容器的MOSFET和另一个晶体管来在栅极上保持电压。然后，我将依次通过DAC和GPIO更新每个电压。但是，我还没有找到任何适合我的应用的晶体管（例如，性能很理想的电阻器）。 有任何想法吗？ FWIW：该项目是此（已停产）EQ设计的变体：使用LMC835数字控制图形均衡器进行设计。

10 transistors  audio  resistors  analog  components 

我有一个由NPN晶体管操作的继电器，该继电器需要向基极施加一些电压。我正在使用arduino，如果我给它提供数字端口，一切都很好。电路如下图所示： 现在，我想用DS2406（TO92类型）替换arduino端口。 这似乎变得非常复杂。 我的用于操作2406的库很好，但是我不知道如何接线。 既然这两部分都可以独立工作，我的目标是让一些电流馈入晶体管的基极，以便它抛出继电器。 我遇到了以下问题： DS2406接地。那是唯一的选择，因此我无法将其直接映射到晶体管的基极引脚。 TO-92封装没有vcc引脚，因此我必须在vcc和数据引脚之间有一个上拉电阻。当我加电时，这会导致东西变热和发臭，将其连接到晶体管的集电极，其基极连接到继电器电源。我可能使用了错误类型的电阻器，但我对这里的内容不甚了解。 我也许可以严格地在DS2406上运行继电器，但是恐怕它会产生过多的消耗，这就是为什么我希望它通过晶体管。 从打开和关闭接地的开关到需要电流的晶体管基极，最简单的方法是什么？

10 switches  transistors  current  voltage 

我刚刚阅读了“电子艺术-Paul Horowitz”的第一页。在第二章晶体管中，它说明了NPN晶体管的四个特性（对于PNP，它是相反的）。 第二个属性说： 基极-发射极和基极-集电极电路的行为类似于二极管。通常，基极-发射极二极管导通，基极-集电极二极管反向偏置。 然后它说： 尤其要注意属性2的影响。这意味着您不能在基极-发射极两端施加电压，因为如果基极比发射极的正电压高出约0.6至0.8伏，就会流过大电流。 我不明白为什么？电流从基极流到发射极，因为基极-发射极是导电二极管，所以为什么不能在这两个端子上施加电压。如果我不施加电压，怎么会有电流流过？ 也， 因为如果基极比发射极的正电压高出约0.6至0.8伏，就会流过大电流 这个解释是什么意思？为什么解释为什么不能将电压施加到基极-发射极端子？

10 transistors 

目前，我的arduino上有一个阳极RGB连接到11、10和9 PWM引脚。但是我想在我的项目中增加3个LED，但是我不想占用每个PWM引脚（我仍然想连接一个屏蔽罩）。有没有办法让我连接所有4个LED并且仍只能使用最少数量的引脚？请记住，我确实要将所有12个电阻用于4个LED。哦，如果有帮助的话，所有的LED都将做完全相同的事情（它们都将变成红色，并且都变成蓝色，等等）。 这是我的董事会现在的样子： 我有三个NTE123AP晶体管可用于该项目。 PS我附加了.fzz文件，因此，如果您想编辑原理图图像，这将非常容易。实际上，由于我是新手，这样做会更好，而且更容易理解！:)

10 arduino  led  transistors  breadboard  rgb 

我有一块电路板（电阻抗）可以输出高达3.3v的电压，并且我需要用至少5v的电压来控制继电器，以影响线圈并闭合电路。我有一个5v的电源，所以我在考虑也许使用一个栅极连接到我的3.3v信号的晶体管，并以某种方式控制该晶体管将5v电源推向继电器。 但是如何？我唯一的想法是制造一个逆变器，将5v连接到pmos，将pmos漏极连接到vout，还要将nmos漏极连接并从那里连接到GND。然后当3.3v-> vout = 0时，以及0v-> vout = 5v时。不完全是5v，因为ii需要知道Vsd

10 transistors  relay 

我知道我们如何使用BJT晶体管通过偏置它们来放大给定信号。但是我想知道使BJT晶体管像放大器一样起作用的关键特性是什么。它是反向饱和电流的恒定性质，还是基极和集电极电流之间的确定关系或其他任何关系？ 我是在专门谈论北京奥运会。

9 transistors  amplifier  bjt  electrical 

我有一个用2N2907A晶体管缓冲的3.3V稳压器（L78L33）。我很新，以至于在连接该电路时可能做错了什么，所以我同时提供了图表（从数据表中复制）和面包板的图片。 当Vout悬空时，我得到3.301v。但是，当我将输出连接到仅包含STM32F301并将其从DAC放出2.2v的电源轨时。功耗估算器说我应该使用低于5mA的电流。但是，稳压器电压立即下降到约20mV，并且稳压器和晶体管都变得非常热。我几乎无法触摸它们，而没有真正地烧伤自己。这只需要一两秒钟。 我的设定有问题吗？之前，我已经将此MCU连接到LM317，并且一切正常。 我还应该提到，我还尝试使用MJE2955晶体管而不是2N2907A来测试该电路，因为我确定我无法达到目前的最高要求。但是，该晶体管也变得核热-比其他部件更热，如果可能的话，速度更快。 编辑 谢谢大家。在提出建议之后，我尝试不使用晶体管，结果相同，然后尝试增加电阻以查看电路可以处理多少。原来，稳压器+ 2N2907工作的高度，直到周围100Ω100Ω100\Omega，当阻抗开始变得太靠近输入阻抗和电压开始下降（但当然我预计，电路过热甚至没有下降到20Ω20Ω20\Omega）。因此，我以为可能是MCU发生了什么事，所以我像今天早上只用LM317（3.3v输出）将它挂起来一样，果然，LM317表现出相同的行为。因此，我不确定在此期间会发生什么情况，导致类似这样的事情-LM317甚至导致系统发出很高音调的啸叫声……不好。 为了完整起见，我附上了L78L33输出的示波器照片和MCU设置的照片（如果有人知道为什么会发生这种情况）（我真的很讨厌不得不将一个新的MCU插入分线板：-/）。第33页的此处提供了MCU引脚。 另一个更新 已解决此问题-从来没有问题。某种东西（ESD？从放电帽跳出电压？不知道……）使我的MCU爆炸了。我现在已经安装了另一个MCU，并且可以按预期工作。谢谢大家的帮助-很抱歉浪费您的时间。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

9 transistors  voltage-regulator  heat 

模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我在互联网上找到了这个电路。在这种情况下，交流电源关闭时灯泡会发光，而交流电源存在时灯泡会熄灭。因此，这用作应急灯电路。 我设法弄清楚，当交流电源可用时，Q1处于关闭状态或处于截止区域，因此Q2也处于关闭状态。因此，灯泡不发光。 此外，当交流电源不可用时，Q1处于导通状态或饱和区域。因此，Q2处于活动区域并充当放大器并使灯泡发光。 但是，我无法理解的是电路中电阻，电容和二极管的确切用法。我了解甚至删除其中一个也会导致我的电路无法如上文所述工作，但是我无法弄清楚原因。 注意：我已经在Multisim中对该电路进行了仿真，通过它我可以验证Q1和Q2在交流电源打开和关闭情况下的工作模式。

9 transistors  circuit-analysis 

将输入信号交流耦合到二极管偏置的AB类（推挽/互补对）时，我看到两种不同的方法： 用单个去耦电容器连接在偏置二极管之间的信号： 信号通过单独的电容器直接连接到每个晶体管的基极： 这两种方法之间的实际区别是什么？这个比那个好吗？ 这是一个可编辑的电路，显示了第二种方法的基本思想（注意：值并不现实）： 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 这是第一个电路的另一个模拟（由Tony Stewart提供）。

9 transistors  amplifier  diodes  bias  class-b-amplifier 

下面的电路应从MCU_LS12上的MCU接收3.3V信号，并输出12V高端信号。 输出始终为12V。在对输出晶体管的基极进行范围界定时，并未“足够”地接地-仅将12V升高至11.5V。 我想念什么？LS12上的输入信号来自MCU，为3.3V，以50％方波发送以进行测试。为什么Q6不会将Q8的基座接地？我可以改变什么？是分隔线吗？

9 transistors  bjt  biasing 

我在参考电路中发现，当BJT用作饱和模式的开关时，负载始终在集电极上。对于NPN，发射极接地，对于PNP，发射极接地，如下所示： 为什么负载总是集中在收集器上而不是相反？ 由于晶体管仅用作开关，是否还可以使用FET代替BJT？ 如果使用BJT来复用多个7段显示器，则所有7段的电流都应流经晶体管。那么，当在饱和模式下每7段单元使用分立晶体管时，不同晶体管的不同电流增益值是否会导致7段显示器的亮度差异？

9 transistors  switches  bjt  fet 

请说明故障的过程；这个保护二极管到底如何保护晶体管？ 在Horowitz＆Hill的著作“电子艺术”，第二版，“第二章-晶体管”（第68页）中，我读到以下内容： 始终记住，硅晶体管的基极-发射极反向击穿电压很小，通常仅为6伏。输入摆幅足够大，以使晶体管不导通，很容易导致击穿（除非添加保护二极管，否则hFE会降低（图2.10）。 如果电流仅在该二极管中的一个方向流过，则无法弄清楚该二极管如何保护晶体管免受击穿。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

9 transistors  diodes  npn