保护二极管如何保护晶体管免受击穿？

请说明故障的过程；这个保护二极管到底如何保护晶体管？

在Horowitz＆Hill的著作“电子艺术”，第二版，“第二章-晶体管”（第68页）中，我读到以下内容：

2. 始终记住，硅晶体管的基极-发射极反向击穿电压很小，通常仅为6伏。输入摆幅足够大，以使晶体管不导通，很容易导致击穿（除非添加保护二极管，否则hFE会降低（图2.10）。

如果电流仅在该二极管中的一个方向流过，则无法弄清楚该二极管如何保护晶体管免受击穿。

^{模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

二极管就位以保护晶体管免受反向击穿。如果通过使晶体管的发射极比基约来反向偏置基极-发射极结，它将击穿并开始导通。 6 $V_{BE}$$6\rm{V}$

这种反向击穿会损坏基极-发射极结，导致。$h_{FE}$

通过如图所示放置二极管，可将反向偏置电压限制在；尝试施加更多电压将是徒劳的，因为二极管将传导大量电流并防止电压升高。这样可以保护晶体管的基极-发射极结。$0.7\rm{V}$