我实现了一个恒定电流源,并且效果很好,但我只是希望尝试多一点!这是有问题的电路:
我尝试在网上进行一些搜索,发现很难在该电路上找到任何理论性的东西来解释一切的实际情况。我确实发现,仅通过使用就能找到流过晶体管的电流,这比我要多得多在我开始寻找之前就知道了。但是,现在我想知道实际情况,以及即使负载/电压变化,它如何仍保持恒定的电流输出。
如果有人能够对此有所了解,我将不胜感激。
我实现了一个恒定电流源,并且效果很好,但我只是希望尝试多一点!这是有问题的电路:
我尝试在网上进行一些搜索,发现很难在该电路上找到任何理论性的东西来解释一切的实际情况。我确实发现,仅通过使用就能找到流过晶体管的电流,这比我要多得多在我开始寻找之前就知道了。但是,现在我想知道实际情况,以及即使负载/电压变化,它如何仍保持恒定的电流输出。
如果有人能够对此有所了解,我将不胜感激。
Answers:
运算放大器充当单位增益缓冲器,尽管可能并不明显:
运算放大器的规则是,输出必须做任何事情来保持两个输入相等,前提是它当然不会削波(进入自己的电源并在此处停下来)。
该晶体管用作发射极跟随器,其中发射极电压跟随基极电压减去从其PN结的二极管压降。
将这两部分放在一起,您会看到Rset顶部的电压与Vset相同。已知电阻两端的已知电压等于通过该电阻的已知电流。在大多数晶体管中,基极对发射极电流的贡献可忽略不计,因此无论负载电压或电阻如何,您流经负载的电流几乎相同。但是,如果您将其用于认真的设计,则可以通过特定零件来验证这种可忽略性。
我的回答可能超出您的议价范围,但是如果您感到好奇,那么您会感谢我为此付出的努力。
典型的运算放大器的开环增益至少为100,000(非常高)。其输出利用了其输入的差(通过它的增益,并将它们乘以)甲v。V ø = 甲v * (V + - V - )。 在这里,V + =非反相输入和V - =反相输入。假设运算放大器的输出仅为几伏,那么输入端的差分电压为输出的1 / 100,000。与V o相比,该差异可能是几微伏。差很多很多(这个电压差在所有意图和目的都是大约零伏)。
在闭环结构中,像这样的,被认为是大致相同V - 。由于,V + = V 小号Ë 吨并且由于输入电压差为“0”,V - = V 小号Ë 吨。V -被连接到顶部ř 小号Ë 吨和双极晶体管的发射极,从而V 小号Ë 吨也出现跨越ř 小号Ë 吨。因此,V s控制伊塞特的通过量值 ř 小号é 吨,并与电路的负反馈装置,运算放大器提供任何的基极电流通过晶体管需要维持 V 小号Ë 吨在其发射极。
晶体管本身具有增益(典型增益= 对于功率晶体管, I b a s e >40)。假设我Ë米我吨吨Ë- [R 〜我Çö升升éÇ吨öř。
注意,由运算放大器提供的基极电流来自于运算放大器的+ V电源(在示意图中未示出),而不是其中“看到”的非反相输入的非常高的阻抗(Ž 我Ñ到(+)或(-)运算放大器输入非常高,通常为兆欧或更高。V 小号Ë 牛逼需求不会有太大的驱动能力,因为它的负载,在V +输入,本质上要求无显著电流。如果V 小号ü p p 升ý(上面的集电极电阻)变化或集电极电阻值变化,我升保持不变提供 V 小号ü p p 升ÿ和 - [R Ç ö 升升é Ç 吨ö ř不电路的工作极限之外去。
如考虑发生了什么减少。反馈将导致运算放大器的输出来提高晶体管的基极电流,以便它进行更并且降低其V Ç ë保持整个相同的电压降ř Ç ö 升升é Ç 吨ö ř保持我升ö 一个d常数。在某些时候,晶体管将完全导通(饱和度是V C E (o n ) 0.3 V时的最佳饱和状态。)。在进一步下降将导致减小的余升ö 一个d尽管负反馈。不再有足够V 小号ü p p 升ý电压保持我升ö 一个d常数和电路不再发挥预期的作用。如果V 小号ü p p 升ÿ增加时,运算放大器的驱动器更小的基极电流成晶体管,其导通更小,提高其V Ç È,保持在同样的电压降保持我升ö 一个d常数。的点,将达到超出晶体管的V Ç ë评级或它的额定功率(我升Ô 一个d可以是恒定的,但V Ç Ë X 我升ö 一个d增大时),它会失败。如果R c o l l e c t时变化 V 小号ü p p 升ý在限定之内?如果 ř Ç ö 升升é Ç 吨ö ř阻力增大,运算放大器将使晶体管行为多,降低其 V Ç ë,以增加跨越的电压降 ř Ç ö 升升é Ç 吨ö ř保持我升Ô 一个d常数。最终,晶体管完全导通(饱和)并且为 R电阻进一步上升,我升Ô 一个d开始降低,因为电路不能继续以增加跨越的电压降 ř Ç ö 升升é Ç 吨ø - [R ( V 小号û p p 升ÿ电压不足以达到此目的)。
如果电阻减小到零,运算放大器会降低基极电流和晶体管将进行较少降低整个电压降ř Ç ö 升升é Ç 吨ö ř保持我升ö a d常数,其V C E将增加。晶体管将消耗更多功率,因为这将有穿过它(更大的电压降V 小号ü p p 升ÿ -如果 R c o l l e c t o r = 0 o h m,则为 V s e t。如果无法处理更高的功率,它将失败。导通较少的晶体管耗散更多的功率似乎很奇怪,但之所以如此,是因为它工作在Ic(通常为常数)和 V C E均显着且其乘积(由晶体管以热量形式耗散的功率)的有源区内工作。 )远高于零。全导通(饱和)晶体管的功耗较低,因为其 V C E (o n对于相同的恒定电流来说非常低。
总之,该电路作为恒定电流吸收器,但只有内的某些操作,- [R Ç ö 升升é Ç 吨ø - [R和晶体管功率极限。在设计过程中还必须考虑这些操作限制。