该恒定电流吸收器实际上如何工作?


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我实现了一个恒定电流源,并且效果很好,但我只是希望尝试多一点!这是有问题的电路:

我尝试在网上进行一些搜索,发现很难在该电路上找到任何理论性的东西来解释一切的实际情况。我确实发现,仅通过使用就能找到流过晶体管的电流,这比我要多得多在我开始寻找之前就知道了。但是,现在我想知道实际情况,以及即使负载/电压变化,它如何仍保持恒定的电流输出。

IE=VsetRset

如果有人能够对此有所了解,我将不胜感激。


好吧,首先尝试移除晶体管,并将负载直接连接到运算放大器。使用您的标准运算放大器规则进行分析。传输器被添加为增强器,以允许更多电流。(该电路存在beta错误,如果您想精确控制,通常会使用FET代替BJT。)
George Herold 2014年

Answers:


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该电路采用负反馈,并利用运算放大器的很高增益。由于其非常高的增益,运算放大器将尝试使其同相和反相输入保持在相同的电压。然后根据欧姆定律Vset

Iset=VsetRset

负反馈会导致运算放大器调整晶体管的基极电压,以使即使在负载变化的情况下也保持恒定。如果变化的负载导致暂时增加,则运算放大器的反相输入端的电压将暂时上升至同相输入端之上。这将导致运算放大器的输出降低,从而降低晶体管的,从而降低其。IsetIsetVBEICIset

同样,如果变化的负载导致暂时减小,则运算放大器的反相输入端的电压将暂时降至同相输入端以下。这导致运算放大器输出增加,从而增加了晶体管的和。 V B E I CIsetVBEIC


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运算放大器充当单位增益缓冲器,尽管可能并不明显:

运算放大器的规则是,输出必须做任何事情来保持两个输入相等,前提是它当然不会削波(进入自己的电源并在此处停下来)。

该晶体管用作发射极跟随器,其中发射极电压跟随基极电压减去从其PN结的二极管压降。

将这两部分放在一起,您会看到Rset顶部的电压与Vset相同。已知电阻两端的已知电压等于通过该电阻的已知电流。在大多数晶体管中,基极对发射极电流的贡献可忽略不计,因此无论负载电压或电阻如何,您流经负载的电流几乎相同。但是,如果您将其用于认真的设计,则可以通过特定零件来验证这种可忽略性。


它实际上并不是一个统一的增益缓冲器。考虑:由于运算放大器输出上的电压必须高于运算放大器输入上的电压,才能将晶体管的基极驱动到比运算放大器输入上的电压高的Vbe压降,所以它的增益必须大于一,是吗?
EM Fields

@EMFields:它确实具有恒定的偏移量,但电压增益仍为1。在内部,运算放大器具有巨大的增益,但这仅是用于最大程度地减少参考和反馈之间的误差。整个电路具有单位增益,加上在晶体管基极的偏移。
AaronD

如果Vset为6伏,并且运算放大器输出上的电压达到6.7伏,以将Rset的顶部驱动为6伏,那么运算放大器的电压增益将为,大于1。Av=VoutVin=6.7V6V= 1.117
EM Fields

@EMFields:增益是两点计算。如果您假设另一点的Vout = Vin = 0V,那您将是对的。但这不是在这里。再次以{Vout,Vin} = {0.7,0.0} V为一个点,并以{Vout,Vin} = {6.7,6.0} V为另一点来运行数学运算。
AaronD '16

废话。增益的确是两点计算,但是这两点只是输出(被除数)和输入(除数),增益是商。对于单位增益缓冲器,商总是​​1,在您的情况下,这是不正确的,因为您已在反馈路径中插入了基极-发射极结,导致输出电压升至高于输入电压,导致商大于1。底线?您所谓的单位增益缓冲区不是。需要更多证据吗?在浏览器中输入“单位增益缓冲区”,然后看看会发生什么。
EM Fields

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我想将其可视化的方式是将晶体管视为可变电阻,运算放大器会自动调节该可变电阻,以使运算放大器的-输入端的电压等于其+输入端的电压。

这样,由于串联电路中的电流到处都是相同的,因此负载,晶体管CE结和Rset中的电流必须相同,并且如果Rset顶部的电压从未发生变化,因为运算放大器迫使它等于到Vset,则其电流永远不变,通过负载的电流也不变。


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另一种方法是将运算放大器建模为较大的有限增益和采用极限。

这样得出运算放大器的输出为,由此得出K V set - I load R set= I load R set + 0.7。除以K并让K 得到期望的结果,I load = V setK(vsetIloadRset)K(VsetIloadRset)=IloadRset+0.7KKIload=VsetRset


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另一种简单但准确的方法是使用反馈理论:

运算放大器输出只是运算放大器的增益(A)乘以输入电压之间的差。如果我们将电压称为电阻器(因为我们尚不知道它是什么),那么运算放大器的输出就是:Vx

Vo=A(VsetVx)

现在,我们知道当晶体管导通时,基极-发射极结两端有一个恒定电压,因此我们可以这样写:Vbe

Vx=VoVbe

将其代入方程,我们得到:Vo

Vo=A(Vset(VoVbe))=A(Vset+Vbe)AVo

要么:

(A+1)Vo=A(Vset+Vbe)

因此,重新排列我们得到:

Vo=A(Vset+Vbe)A+1

现在,我们知道对于运放而言,A非常大,因此,随着A趋于无穷大,我们可以看到趋向于统一:AA+1

AA+11

从而:

Vo=Vset+Vbe

但是,我们在上面写道:

Vx=VoVbe

用该表达式替换上面的,我们得到:Vo

Vx=(Vset+Vbe)Vbe$or$Vx=Vset

显然,,您已经知道。Iset=VsetRset


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我的回答可能超出您的议价范围,但是如果您感到好奇,那么您会感谢我为此付出的努力。

典型的运算放大器的开环增益至少为100,000(非常高)。其输出利用了其输入的差(通过它的增益,并将它们乘以)vV ø = v * V + - V - ) 在这里,V + =非反相输入和V - =反相输入。假设运算放大器的输出仅为几伏,那么输入端的差分电压为输出的1 / 100,000。与V o相比,该差异可能是几微伏V+VAvVo=Av(V+V)V+VVo差很多很多(这个电压差在所有意图和目的都是大约零伏)。

在闭环结构中,像这样的,被认为是大致相同V - 。由于,V + = V 小号Ë 并且由于输入电压差为“0”,V - = V 小号Ë V -被连接到顶部ř 小号Ë 和双极晶体管的发射极,从而V 小号Ë 也出现跨越ř 小号Ë 。因此,V sV+VV+=VsetV=VsetVRsetVsetRset控制伊塞特的通过量值 ř 小号é ,并与电路的负反馈装置,运算放大器提供任何的基极电流通过晶体管需要维持 V 小号Ë 在其发射极。VsetRsetVset

晶体管本身具有增益(典型增益= 对于功率晶体管, I b a s e >40)。假设ËË- [R ÇöéÇöřIcollectorIbase>40IemitterIcollector

注意,由运算放大器提供的基极电流来自于运算放大器的+ V电源(在示意图中未示出),而不是其中“看到”的非反相输入的非常高的阻抗(Ž Ñ到(+)或(-)运算放大器输入非常高,通常为兆欧或更高。V 小号Ë 牛逼需求不会有太大的驱动能力,因为它的负载,在V +输入,本质上要求无显著电流。如果V 小号ü p p ý(上面的集电极电阻)变化或集电极电阻值变化,VsetZinVsetV+Vsupply保持不变提供 V 小号ü p p ÿ - [R Ç ö é Ç ö ř不电路的工作极限之外去。IloadVsupplyRcollector

如考虑发生了什么减少。反馈将导致运算放大器的输出来提高晶体管的基极电流,以便它进行更并且降低其V Ç ë保持整个相同的电压降ř Ç ö é Ç ö ř保持ö 一个d常数。在某些时候,晶体管将完全导通(饱和度是V C E o n 0.3 V时的最佳饱和状态。VsupplyVCERcollectorIloadVCE(on) 0.3V)。在进一步下降将导致减小的ö 一个d尽管负反馈。不再有足够V 小号ü p p ý电压保持ö 一个d常数和电路不再发挥预期的作用。如果V 小号ü p p ÿ增加时,运算放大器的驱动器更小的基极电流成晶体管,其导通更小,提高其V Ç ÈVsupplyIloadVsupplyIloadVsupplyVCE,保持在同样的电压降保持ö 一个d常数。的点,将达到超出晶体管的V Ç ë评级或它的额定功率(Ô 一个d可以是恒定的,但V Ç Ë X ö 一个d增大时),它会失败。如果R c o l l e c tRcollectorIloadVCEIloadVCEIload时变化 V 小号ü p p ý在限定之内?如果 ř Ç ö é Ç ö ř阻力增大,运算放大器将使晶体管行为多,降低其 V Ç ë,以增加跨越的电压降 ř Ç ö é Ç ö ř保持Ô 一个d常数。最终,晶体管完全导通(饱和)并且为 RRcollectorVsupplyRcollectorVCERcollectorIload电阻进一步上升,Ô 一个d开始降低,因为电路不能继续以增加跨越的电压降 ř Ç ö é Ç ø - [R V 小号û p p ÿ电压不足以达到此目的)。RcollectorIloadRcollectorVsupply

如果电阻减小到零,运算放大器会降低基极电流和晶体管将进行较少降低整个电压降ř Ç ö é Ç ö ř保持ö a d常数,其V C E将增加。晶体管将消耗更多功率,因为这将有穿过它(更大的电压降V 小号ü p p ÿ -RcollectorRcollectorIloadVCE如果 R c o l l e c t o r = 0 o h m,则为 V s e t。如果无法处理更高的功率,它将失败。导通较少的晶体管耗散更多的功率似乎很奇怪,但之所以如此,是因为它工作在Ic(通常为常数)和 V C E均显着且其乘积(由晶体管以热量形式耗散的功率)的有源区内工作。 )远高于零。全导通(饱和)晶体管的功耗较低,因为其 V C E o nVsupplyVsetRcollector=0ohmVCE对于相同的恒定电流来说非常低。VCE(on)

总之,该电路作为恒定电流吸收器,但只有内的某些操作- [R Ç ö é Ç ø - [R和晶体管功率极限。在设计过程中还必须考虑这些操作限制。VsupplyRcollector


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如果将文本分成几段,此答案将会有所改善。
Hlovdal 2015年
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