反冲二极管应该放在晶体管开关的什么位置?


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用晶体管驱动感性负载时,我们使用反冲二极管。

据我了解,反冲二极管为感应电荷的放电提供了一条路径。另外,电感器将尝试抵抗电流的变化,变成类似电压源的形式,在电流中断的情况下(例如,当晶体管关闭时)将以以前的方式提供电流。 )。

在以下电路中,反冲二极管有两种不同的放置方式。D1以合理的方式放置,因此L1中的电荷将通过它放电,从而保护Q1的集电极免于过压或击穿。

但是,第二条带D2的电路对我来说毫无意义。D2反向偏置时如何防止损坏?我很少看到这种配置,但是我在Lenze驱动程序原理图中看到了它,无法理解。

D2如何防止归因于反冲的任何损坏?

反冲二极管配置


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您确定D2不是齐纳二极管吗?
费德里科·鲁索

不,这是一个普通的硅二极管。
阿卜杜拉·卡拉曼(Abdullah kahraman)2012年

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几乎可以肯定,这是我过去回答过的一个欺骗。啊,这里是:electronics.stackexchange.com/questions/26944
2012年

附带说明:1N4001对于此应用程序来说有点慢。我通常会看到1N4148。
吉比2012年

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@jippie:1N4001可以处理比1N4148更大的电流。1N4001确实关断速度很慢,但是如果仅在足够长的关断时间后才打开电感以确保二极管不再导通,这不是问题。从给出的有限信息来看,您不能说指示的二极管不合适,而1N4048会更好。
奥林·拉斯罗普

Answers:


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第一电路D1是正确的,因为它可以安全地处理感应反冲。

第二电路本身没有什么意义。正如Federico指出的那样,如果使用齐纳二极管,D2可以为其提供回弹电流的安全路径,但是未显示为齐纳二极管,而1N4001绝对不是齐纳二极管。

如果L2不仅仅是电感器,并且可以从外部向后驱动,则D2可能有意义。例如,如果是电动机绕组,可能就是这种情况。在这种情况下,D2会在负电压损害Q2之前对其进行削波,但是当晶体管关闭时,它并不能安全地限制电感反冲。


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齐纳配置将使电流流过地面,流回电源,从而形成一个更大的环路,如果开关电流足够高,则可能会产生明显的接地弹跳,其中第一个D1电路处理的环路面积非常小,而不会有电流流过地面,对吗?
Abdullah kahraman'5

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@abdullah:您对电流的流向是正确的,但是用齐纳二极管应该不会有太多的接地反弹,因为相同的电流最初是在晶体管被关断之前通过晶体管接地。
奥林·拉斯罗普

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@OlinLathrop:据我了解,使用如图所示的齐纳二极管实际上可以减少接地反弹和电源干扰,因为在线圈上装有反激二极管时,当晶体管关闭时,电源和接地电流几乎“立即”降为零,而在接地的齐纳二极管,由于电感的能量消散,它们将不会下降。在另一方面,在此期间汲取的任何电源电流都将代表必须在齐纳二极管中耗散(浪费)的额外能量。
2013年

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只是指出一件事。

假设D1不存在。你写了:

变成类似电压源的东西,它将以以前的方式提供电流

v=Ldidt

Cc在图中)位于Q1的集电极和地面之间并对其充电。该寄生电容很小,但非常真实。没有办法使它为零。它没有在原理图中显示,只是因为那是简化的原理图。实际原理图应显示此实际寄生电容,以及更多其他内容。现在回到被控。由于这是一个非常小的电容(可能远低于1 pF),这意味着即使很小的电流也可以非常快地对其充电,并且由于而可以达到很多伏特v=1Ci·dtCc

Cc

在此处输入图片说明


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您解释了为什么需要某种形式的保护。但是您没有解释D1如何实现这一点,也没有谈论D2解决方案。
Federico Russo'5

@FedericoRusso他指出我写的一件事是错误的。Telaclavo,你是对的,我知道我错了,我只是想变得更容易理解和简单。感谢您的回答,我不知道它正在流过寄生电容。
Abdullah kahraman'5

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“多核计算机”类比的一个问题是计算机实现了单向因果关系。电感器更像飞轮(电流==速度和电压==扭矩);在轴上施加扭矩将改变速度,而外部改变轴速度的努力将导致感应器以连续的双向因果关系施加扭矩。
2013年

即使没有与晶体管相关的寄生电容,只要努力的电感器产生了一个很大的电压尖峰(努力成为一个良好的电感器),就很容易达到足够高的电压,就像击穿电压一样,可以击穿现在“关断”的电压。半导体内部的偏置,并允许电流“穿通到另一侧”,并让(I ^ 2)* R从那里烹饪东西。我只是在挑剔,只说电压可能会使现在绝缘的半导体结击穿。他们可能会一起工作,互相帮助,使糟糕的Q1爆破。两个晶体管恐怖事件

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因为二极管在反电动势期间导通。反向电动势电压与施加的电压相反,因此二极管在该时刻进入正向偏置。两种方法都可以,第二种通常用于在线圈驱动器晶体管(如tip122晶体管)中表示电路

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