晶闸管可以由两个晶体管构成吗？

据说，SCR /晶闸管只是一种简单的四层PNPN半导体。

如果是这样的话..

当一个电路需要SCR /晶闸管，而没有一个可用时，是否可以用两个BJT（或其他分立元件）代替（或由它们制成）？

这是我想到的几个例子。阳极=蓝色，门=绿色，阴极=橙色：

由两个BJT组成的晶闸管有两种简单。一个是SCR，另一个是PUJT。（该PUJT将使用的基础而不是基地的的门 -见下面的电路）。但我在制作分立器件的这些工作出来的一个遇到的主要问题是，你需要手动选择的BJT使这项工作。否则，它不会带来任何好处，而且非常令人沮丧。因此，下面显示的左侧示意图几乎是不切实际的。因此，甚至不用理会。$Q_2$$Q_1$

^{模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

一些添加的组件可以使事情顺利进行。我认为，Spehro的电路代表了我在使用实际零件之前所做的补充。（见中间电路）的想法是，持有关闭和还持有关闭，直到事情发生。通过栅极输入提供一些电流，更多的电流最初会流经，但随着电流的增加，最终会在两端达到足够的压降，以使的集电极设法在的基础上（也保持在离开一点$R_1$$Q_1$ $R_2$$Q_2$ $R_1$$R_1$$Q_1$$Q_2$$R_2$起初）打开上。当为上，它的集电极供应更大量电流，是很能拉起来的基础上没有再提供栅极电流的存在。因此，两个BJT现在可以互相提供基本电流和“ SCR点火”。$Q_2$ $Q_2$$Q_1$

该电路的问题在于两个BJT变得非常非常非常饱和。因此，如果您查看整个SCR阳极到阴极的电流并询问其流动方式，您将意识到阳极电流流过的发射极，然后分成大约一半（），以便一半流过通过的基极-发射极结，大约一半通过其集电极。类似的逻辑也适用于的发射极电流。结果是设备两端的压降必须是非常饱和的的总和$Q_2$$\beta=1$$Q_2$$Q_1$$V_{CE}$加上一个超大电流驱动的基极-发射极二极管结，其压降几乎完全取决于您要驱动通过该器件的电流量。而且由于这可能会很高，因此您可以轻松承受超过一伏甚至1.5伏的压降。

为此，将提出一种减少所需基极电流的方法，以便可以类似地减少BE结两端的电压降。

解决此问题的一种方法是重新设计上部，以更好地分配SCR电流，使更多的SCR流经的集电极。使用1N4148之类的二极管即可达到此目的。（请参见上面最右边的电路。）$Q_1$

该二极管本质上只是一个二极管连接的BJT，但有一个重要的区别。典型二极管的饱和电流远高于小信号BJT的饱和电流。（它们也可以承载一定的电流。）这意味着，对于它们之间相同的电压，它们可以通过它们传导更多的电流。实际上，这使得电流镜的电流增益大大降低比1多一点，确切地说，多少并不重要，因为这里的任何改进都有助于减少整个电路上的压降。因此，一切都很好。具有不同饱和电流的不同二极管将产生不同的结果。但是几乎所有您可以使用的二极管都会比您可能会应用的大多数BJT具有更高的饱和电流。因此，通常它“有效”。

那会怎样呢？好吧，相同的过程适用于触发电流。您需要向栅极提供一些电流。但是现在，当的集电极从其上方的“电流镜”中汲取电流时，大部分电流将通过二极管流出。（但是由于这不是电阻器，因此产生的电压与电流没有线性关系，因此每十倍电流变化，二极管两端的电压可能会升高一百毫伏。）这将在二极管两端产生电压，它应用于的基极-发射极结。但是，的集电极电流在这里几乎不会像二极管电流那么大，因此现在，大部分SCR总电流都通过的集电极转移。$Q_1$$Q_2$$Q_2$$Q_1$集电极电流要小得多（但仍然足够）。$Q_2$

在此集电极电流仍然方式绰绰有余拉充分的。但是现在，这只是SCR电流的一小部分，其中大部分流经二极管和的集电极。这意味着每个BJT 的较低。而且这也意味着整个电路上的总压降可以较小（有一定幅度）。取决于的确切电阻值和通过电路的所需峰值电流，您可以使整体“设备”的性能更好这条路。$Q_2$$Q_1$$Q_1$$V_{BE}$$R_1$

通过正确选择二极管（实际上并不难），您可以安排一些东西，使BJT在更高的饱和，这可以改善电压降，同时仍能执行所需的功能。$\beta$

您也可以申请一个小的串联电阻与二极管以降低有效在。（但在某些时候你失去了二极管的所有好处，如果该值过大。），或使用一个小的并联电阻与二极管提高有效在。（但是，如果将并联电阻设置得太小，整个组件将停止工作。）我想，也可以使用另一个并联的二极管。我还没有尝试过，但是这种效果在减小总电压降方面也可能是有用的。Q 1 β Q $\beta$$Q_1$$\beta$$Q_1$

我之前没有进行过模拟，但是下面的示例输出显示了阳极-阴极电流大约为的差异：$50\:\textrm{mA}$

红线显示类似于仅电阻器版本的电路的功耗（上面的中间电路），绿线显示二极管版本的电路的功耗（上面的右电路。）（否则它们几乎相同。）请注意，这些是模拟的原理图部分。因此实际结果将有所不同。但是基本思想仍然存在。您会看到，绿线比红线低（功耗更低），在这种情况下，功耗降低了约三分之一。

同时，浅蓝色（aqua？）线显示仅电阻器版本的阳极电流，深蓝色线显示二极管版本的阳极电流。在这里，您可以看到出现了更多的阳极电流，因为二极管版本上的压降较小（在我的电路仿真测试中，使用电阻作为阳极负载，使用电源电压。）$200\:\Omega$$10\:\textrm{V}$

因此，基于二极管的电路中的电路压降更低（更好），功耗也更低（也更好）。

是的，这很容易。通常，您可能希望在一个或两个晶体管上增加基极-发射极电阻，以控制触发电流和保持电流。

这是一个模拟的SCR，它以大约400uA的栅极电流触发。

^{模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

这种结构为您提供了两个“门”，最上面的门可用于补充普通SCR（例如2N506x），如果它们甚至存在，也不常见。

但是请注意，您不能通过这种方式来制造双向可控硅（可控硅）。

另请注意，所有电流都流经BE结，因此请遵守额定值，并且必须对两个晶体管进行额定额定阻断电压。