肖特基晶体管，不确定我了解吗？

因此，我一直在浏览和阅读《数字计算机电子学》一书，然后才想到……似乎很简​​单，我理解它的“要点”，但是我不确定我确切地知道它是如何工作的。 。

“在肖特基晶体管中，肖特基二极管在晶体管达到饱和之前将电流从基极分流到集电极。”

我想这部分在^^^上方使我感到困惑

http://en.wikipedia.org/wiki/Schottky_transistor

从我收集到的数据来看，肖特基二极管的正向电压为.25 V ...因此它从输入线中抽出了.25 V（从图片的左侧开始），并将THAT放到集电极中...所以只需更少的时间即可切换...因为基极电压降低了.25 V？还是在集电极上添加了.25 V，所以当晶体管“打开”时，它已经流过一点（因为在关闭时，.25 V不足以实际流过？）？维基百科条目令人困惑。问这样一个简单的问题，我感到很愚蠢。

发生的是：

随着基极电压的升高，晶体管开始导通，其集电极电压下降（假设它具有集电极电阻或类似的限流元件）

通常，典型的双极型晶体管的饱和电压约为200mV或更小。当集电极电压Vce降至Vbe-Vschottky以下时，肖特基开始导通（现在正向偏置），基极电流开始流过它进入集电极。这种从基极“窃取”的电流，阻止了晶体管的导通和集电极达到其饱和电压。
系统将达到平衡状态，因为晶体管在没有基极电流下降的情况下无法再导通（您可以将其视为负反馈形式），并将稳定在Vbe-Vschotkky附近（例如，约700mv-450mV）而不是〜200mV）

因此，为澄清起见，Vce的公式为：

Vce = Vbe-Vschottky

如果我们有此电路，并施加0-2V的倾斜电压：

我们得到如下模拟结果：

请注意，当Vcollector跌落至约700mV以下时，肖特基管开始导通，集电极电压稳定在650mV左右。

如果我们除去肖特基，则：

我们可以看到收集器一直下降到89mV（我使用了光标，因为很难从图中看到）

奥利（Oli）的回答很好地说明了发生的机理：如果没有二极管，随着基极电流的增加，晶体管将更难以导通，则晶体管Vce会降至Vbe以下，直到晶体管在Vce = 0.2或什至0.05V时达到饱和。

在存在二极管的情况下，当Vce降至约0.45V（0.7V减去二极管0.25V的正向电压）以下时，二极管将开始窃取基极电流，从而防止晶体管饱和。（我不确定为什么奥利说这会在Vce = 0.7V时发生，也许他在仿真中使用的是“理想二极管”）。

但是缺少的是为什么：

当晶体管饱和时，基极区域将被多余的载流子所淹没，实际上没有集电极电势（Vce接近于0）将它们吸引到基极之外。因此，当您关闭基极电流时，晶体管会在关闭之前的相当长的时间内保持导通状态。

以这种方式防止饱和（通过消除多余的基极电流）意味着它可以更快地关闭，同时不影响开启时间。

在相同功率下，将此hack添加到74系列逻辑中，其速度（74S）基本上增加了两倍，而在相同性能下，其功耗却大大降低了（74LS）。