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最重要的区别是,对于公共集电极(即发射极侧负载的那个),您将需要更高的驱动电压。对于公共发射极,0.7 V已经足够,对于公共集电极,电压必须为0.7 V +负载两端的电压。
假设您的负载是一个12 V继电器,并且还向集电极提供了12V。如果要通过5 V微控制器进行控制,那么5 V是您可以提供给基座的最大电压。发射极将降低0.7 V,即4.3 V,该电压太低而无法激活继电器。电压不能升高,因为这样就不会再有基极电流了。因此,如果负载电压高于控制电压,则不能使用公共集电极。
计算基本电流的方式也不同。假设在基极上施加5 V,发射极侧的负载为100Ω,晶体管的为150。也许您希望电流为4.3 V / 100Ω= 43 mA。事实并非如此。的基极电流我乙将导致150 × 我乙通过100Ω的电阻,而不是本人乙。因此,产生的电压V E = 150 × I B × 100Ω。因此,基极电流看到的电阻为R E 。
因此100Ω电阻将仅产生5V-0.7V的基极电流
= 290μA。
这就是为什么在公共集电极配置中通常不需要基极电阻的原因。您将需要一个,如果负载由LED组成,例如,但因为违背了这些电阻会造成或多或少的恒定电压降。
您基本上是正确的。主要区别在于您如何计算或生成从基极到发射极的电压/电流。
通常,发射器会连接到稳定的电源或地线,以使事情变得容易,但没有理由不能将其连接到其他地方。
MOSFET也类似。