因此，有几种类型的晶体管：
将所有这些与每种特性（NPN，PNP，增强模式，耗尽模式，HEXFET等）结合起来，您将获得各种各样的零件，其中许多零件都可以完成相同的工作。哪种类型最适合哪种应用？晶体管用作放大器，数字逻辑开关，可变电阻器，电源开关，路径隔离，因此清单不胜枚举。我怎么知道哪种类型最适合哪种应用？我确信在某些情况下，一个比另一个更理想。我承认这里有一定的主观性/重叠性，但是我敢肯定，对于列出的每种晶体管类型（以及我遗弃的那些晶体管）最适合哪种应用类别已经达成了普遍共识？例如，
PS-如果这需要是Wiki，那么如果有人想为我转换它就可以了
Answers:
主要的区别在于BJT和FET之间，最大的区别在于前者由电流控制，后者由电压控制。
如果您要生产少量产品，并且对各种选择以及如何利用这些特性不十分熟悉，那么将mosmos贴在MOSFET上可能更简单。它们往往比等效的BJT更昂贵，但从概念上讲，它们对于初学者来说更容易使用。如果您获得“逻辑电平” MOSFET，那么驱动它们就变得特别简单。您可以直接从微控制器引脚驱动N通道低压侧开关。只要您不超过20V，IRLML2502就是一个很棒的小FET。
一旦您熟悉了简单的FET，就值得习惯双极性的工作原理。与众不同，它们各有优缺点。不得不用电流驱动它们似乎很麻烦，但也可能是一个优点。它们基本上看起来像是跨BE结的二极管，因此该电压永远不会很高。这意味着您可以从低压逻辑电路切换100伏或更高的电压。由于BE电压一开始是固定的，所以它允许采用射极跟随器之类的拓扑结构。您可以在源极跟随器配置中使用FET，但是通常特性并不那么好。
另一个重要的区别是切换行为完全相同。BJT看起来像一个固定电压源，通常在完全饱和时为200mV左右，在大电流情况下高达Volt。MOSFET看起来更像是低电阻。在大多数情况下，这可使开关两端的电压降低，这是您在功率开关应用中如此之多的FET的原因之一。但是，在高电流下，BJT的固定电压低于电流乘以FET的Rdson的电压。当晶体管必须能够处理高压时，尤其如此。BJT通常在高压下具有更好的特性，因此存在IGBT。IGBT实际上是用于导通BJT的FET，然后进行重载。
还有很多可以说的话。我只列出了一些入门内容。真正的答案是一本书，我没有时间。
正如奥林所说，这确实是一门很容易读整本书的主题。
几个要点：
FET门极高的输入阻抗使其对于高阻抗源非常有用。通常用于低电平音频放大器，某些麦克风或需要对被测物体产生尽可能小的影响的测试设备的前端（例如示波器等）。
也可以在欧姆区域中使用FET。作为电压可变电阻。
MOSFET的开关速度更快，因为它们没有BJT的电荷存储，尽管较大的栅极电容可能需要大量驱动。我认为正是出于这个原因，您经常看到双极型驱动MOSFET栅极，以利用BJT基极的低电容和MOSFET的快速切换时间。
BJT的热失控和二次击穿是MOSFET所没有的问题，尽管由于dV / dt故障以及功率MOSFET中的寄生BJT可能使事情变得复杂，这可能使事情变得复杂：
