为什么在连接晶体管作为开关时需要2个电阻器


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R2电阻器用于使基极上的电压进入已知状态。基本上,当您关闭R1另一端的任何电流源时,整条线将进入未知状态。它可能会吸收一些杂散干扰,并可能影响另一侧的晶体管或器件的操作,或者仅在晶体管基极处电压下降可能需要花费一些时间。另请注意,流经R1的电流源可能泄漏,并可能影响晶体管的工作方式。

使用配置为下拉电阻的R2,我们可以确定,包含R1的支路中可能存在的任何过高电压都将安全地传导到地面。


很好,谢谢。一个澄清的细节(自从我的EE课程以来已经有一段时间了……):当在R1左侧的节点上未施加电压时,R2是否充当导线并将基极上的电压拉至GnD(这是一个一般电阻器问题)。电阻器的行为就像电线一样,没有电流流过吗?
泰勒·德威特

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@Tyler DeWitt好吧,电线是电阻,所以是的,电阻的作用就像电线。据我所知,在R2处具有很大电阻的主要原因是要确保在R1左边施加电压时,大部分电流流向基极,而不是接地。
AndrejaKo 2011年

附加说明:在输入断开的情况下,R1是电阻,并且由于电阻遵循欧姆定律,并且电阻的电流(I)为0,因此只要R不为0,电阻上的压降就必须为0。因此,输入将浮动至基础引脚的电压。
迈克DeSimone

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-1:不正确。没有R2,晶体管将关闭,但会缓慢关闭,并取决于源的输出电压。
杰森S

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...但是当您将其应用于MOSFET而非双极晶体管时,您的论点完全正确的。
詹森·S

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有两个可能的原因:

  1. 正如其他人所说,在R1的左端悬空的情况下,R2充当下拉电路。这在驱动R1可能变为高阻抗的情况下很有用。

  2. 作为分压器。导通时,硅双极型晶体管的BE电压约为500-750mV。在某些情况下,您可能需要更高的控制电压阈值来开启晶体管。例如,如果R1和R2相等,则晶体管将以两倍于没有R2时的电压开始导通。


我记得关于过分驱动基极导致饱和的事情,它需要更长的时间才能关闭晶体管。又如何工作?(我一直在使用MOSFET,以至于我忘记了一些BJT。)
Mike DeSimone

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2.b. 或驱动BE结的源极仅保证将其输出为0.9 V的低电平,因此您需要对其进行衰减以确保关断时确实断开。
endlith 2014年

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除了Olin提到的原因外,还有另外一个原因:R2确保晶体管快速截止。

假设您有一个不是开关的电源,而是一个像74LS04这样的TTL电路。TTL电路(至少是TI SN74LS04)的最小输出高压为2.4V,最大输出低压为0.4V。并假设R1为1K,并且Vbe的“导通”压降约为0.6V。

这给您提供了1.8mA(=(2.4V-0.6V)/ 1K)的电流来打开晶体管,但是只有-0.2mA才能关闭晶体管。双极晶体管确实具有需要充电/放电的寄生电容(与MOSFET行为不完全相同)。

现在将R2 = 1K:从Vbe = 0.6V晶体管中拉出0.6mA,产生1.2mA的开启电流和-0.8mA的关闭电流,因此关闭行为将更快。


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明显的原因是它用作下拉电阻,以确保基极保持低电平(当没有通过R1的特定信号时),以避免虚假切换。如果还有其他原因,那不是在跳我。


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晶体管(以及其他器件的一部分)会产生基极-发射极泄漏电流。驱动到R1开路,R2被忽略时,基极浮空,泄漏电流在BE结两端产生电压,该电压可导通晶体管。R2为此电流提供了一条路径。由于电流较小,R2可能很大,并且实际使用的值通常远远小于所需的值。与R1中的能量相比,只要R2耗散的能量很少,R2在10到100公里的范围内就没有害处。

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