如何在微芯片上实现交叉线？

我一直以为光刻微芯片制造是一个没有分层的2D层创建过程，因此当您有一些或时，就会在电路中产生拓扑问题，对于任何不平凡的情况都是如此设计。$K_{3,3}$$K_5$

并且有论文谈论生产具有多层的“ 3D”芯片以节省空间，从而加剧了混乱。

是的，这很可悲，但这就是我在学校中学到的一堆神秘的谜语。难怪人们会开始关于将这些技术提供给我们的外星人的阴谋论。

那么，如何仅使用2D拓扑结构构建复杂的处理器和芯片呢？

事实证明，其中存在层次，但是人们在谈论微芯片的工作原理时有时会跳过这些层次。

引入图层的过程称为行尾或BEOL。

它基本上是这样的：

• 使用光刻创建2D芯片层
• 涂上绝缘层
• 在该层钻孔
• 施加导电层，同时填充所产生的孔并创建电路路径或互连
• 根据需要重复这些步骤，并且您的制造过程以及其他考虑因素（例如热设计）可能会重复

芯片上始终至少有两个导电层可用于路由信号-硅本身和至少一个金属层。

在仅具有一层金属的最早制造过程中，允许信号通过的“跳线”可以通过将导电路径扩散或注入到体硅中，或者通过在“多晶硅”（多晶硅）中创建路径来创建。 ）在某些工艺中用于MOSFET栅极的层。绝缘氧化硅层中的通孔（孔）允许电流在需要时在层之间流动。

现代芯片，特别是高密度，高性能逻辑芯片，具有多层金属和氧化物-6层或8层或更多，类似于多层PCB。

这是SEM（扫描电子微间隙），显示了横跨两个晶体管宽度的横截面。

右侧的标签是功能/位置在堆栈中。左侧的标签是材料。

将栅极与第一金属层连接的黑色垂直结构称为触点。它由钛晶种层，TiN阻挡层和钨塞组成。

未显示M！，M2，M3和M4之间的夹层通孔。

作为奖励，这种结构有一些非常不寻常的地方。谁能说出来是什么？在评论中回复。