低噪声晶体管与其他晶体管有何不同？

是的，我知道：它们的噪音较低。我的意思是这是如何实现的？而且我想也必须进行权衡（否则所有晶体管都将制成低噪声？）

这些设备解决了突发，雪崩，闪烁和热噪声的问题。

爆裂噪声是半导体制造过程中离子沉积不一致的结果。通过提高选择/拒绝标准的严格性，销售不同等级的芯片（例如：快，慢）来减少这种情况。通过更改布局以更好地说明过程变化；并通过改变制造工艺本身来改善沉积均匀性。

我认为雪崩噪声是放大的散粒噪声。在反向偏压下，一些电子以足够的能量与PN结耗尽区中的晶格碰撞，形成电子-空穴对。取决于反向偏置电压和结特性，雪崩击穿可能传播，记录为电流尖峰。制造商可通过设计和工艺变更来减少它，以增加耗尽区的长度（减小的电场）并增加释放附近电子-空穴对所需的能量。

闪烁噪声（也称为1 / f和粉红色噪声）来自于操作过程中“材料的性能缓慢波动” ^[1]。由于它是其他低频噪声源的总和，因此在确定了这些源后便予以解决。

热噪声与温度成正比，因此降低本地温度的任何变化都会改善该数字。例如，更换芯片封装以获得更好的散热；或布局更改以分散本地当前热点。

现在，我已经了解了更多有关影响噪声的晶体管的特性：

北京交通大学

• 低基极扩展电阻r _bb（和发射极体电阻R _ee？）降低了（高斯，白色）热噪声。
• 高跨导降低了基极电流，从而降低了由基极电流调制引起的（高斯，白）散粒噪声和（粉红色）闪烁噪声。

场效应管

• 大跨导降低了由沟道电阻引起的热噪声
• 同样，您可以通过并联连接多个JFET来降低热噪声，但是当并联输入电容超过源电容时，它将再次由于衰减而开始劣化。因此，较低的输入电容在这里有帮助。
• 栅极泄漏电流会引起散粒噪声。这通常很小，但是如果JFET很热，则可能会变得很明显。
• 由制造缺陷引起的爆裂或爆米花噪声，但在现代设备中应降至最低

引起噪声的其他原因是电路的特性，而不是设备的特性。

资料来源

• 自我，小信号音频设计 1个
• Horowitz＆Hill，《电子艺术》，7.1 3晶体管放大器的电压和电流噪声
• 胡德，线性电子艺术，频道。16噪音和嗡嗡声

不建议将这些用于其他目的：

避免使用宣传用于音频应用的“低噪声” JFET。这些器件以较大的输入电容和泄漏电流为代价实现了低噪声性能。

实验人员检测舒曼共振的方法

噪声是由于外部条件引起的变化。有许多不同类型的噪声。有些可以减少，有些则不能。例如，无法消除热噪声，但可以通过使用不同类型的包装材料来消除/减少静电噪声。这是一种非常常用的技术。另外，通过更换材料和掺杂，我们可以降低噪声。是的，这肯定会影响性能，例如在放大器中使用放大器时会降低放大倍数等，但是如果您可以权衡搜索因素，那么这是一个值得折衷的选择。