我发现以下有关AB类放大器和降低交叉失真的图表： 
http://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_7.html
这个用于变压器或无变压器放大器电路的预偏置电压具有将放大器的Q点移至原始截止点以上的效果，因此允许每个晶体管在其有源区域内工作超过其一半或180°。每个半周期。换句话说180°+偏差。通过串联添加额外的二极管，可以以倍数增加存在于晶体管基极上的二极管偏置电压。然后，这产生了通常称为AB类放大器的放大器电路，其偏置布置如下。
我不理解二极管和电容器如何减少交叉失真的解释。每个晶体管（npn和pnp）应覆盖180度正弦波，为什么180 +偏压不能完全消除失真，电容器和二极管对此有何作用？我读到有关二极管补偿两倍于2×0.6V的晶体管压降的信息，这如何工作？电容器如何使信号平滑？
Answers:
B类放大器的交叉失真：-
波形的上半部分来自TR1导通，下半部分来自TR2导通。在某些时候，B类放大器从使用顶部晶体管变为底部晶体管。当发生这种情况时，基极/发射极两端的电压不足以激活任何一个晶体管，因此存在死区：-
二极管将B类设计转换为AB类。现在，两个晶体管都没有完全截止，因此死区不再存在。
电容器是附带的-它们使输入信号耦合到两个基极，而不会影响新的偏置装置。
二极管补偿晶体管的基极-发射极电压降。每个晶体管都作为发射极跟随器运行。对于顶部（NPN）晶体管，输出将是BE压降小于输入，对于底部（PNP）晶体管，输出将是BE压降大于输入。
这意味着存在两个BE下降的输入死区，其中输出将保持不变。如果在输入中输入正弦波，则输出将是正弦波，每个半波的振幅减小一个BE，而在输入之间驱动一个晶体管到另一个晶体管，该平坦点使输入过渡。这个平坦的点是交叉失真。之所以发生这种情况，是因为在使用顶部晶体管驱动输出到使用底部之间“交叉”时，电路是非线性的。
二极管为了驱动每个晶体管而在输入电压上增加了一个偏移量。晶体管的BE结在电路上看起来像二极管，当正向偏置时，其两端的电压与二极管大致相同。在这种情况下，二极管被用作并联稳压器电压源，以抵消晶体管的BE电压。它们不用作整流器，这可能引起混乱。
没有二极管，当输入介于+0.6和-0.6V之间时，晶体管将关闭（晶体管上的Vbe不足），导致输出为0V，从而引起交叉失真。
添加的二极管为电路的Q点电压加偏压，从而在输入电压介于-0.6 + 0.6V区域之间时使晶体管导通，从而解决了交叉失真问题。
原始站点的解释令人怀疑，因为电容器耦合输入不是典型的连接。（好的，也许有一个帽但没有两个帽。它们还显示了负载已接地，但输入端是负轨）。它们显示了IV曲线和负载线，这就是您在学校学到的东西。但是我会显示第二张图，其中添加了带有偏置二极管的VAS（电压放大级）。通常，该级提供部分电压放大，但更重要的是直接耦合到最终的“跟随器”输出级。VAS级做两件事：放大和直流偏置输出晶体管。将二极管视为电池电压。如果电流流过二极管（例如5mA），则两个输出晶体管的电压差为约1.4V。要改变偏置电压，通常使用串联电阻（数十欧姆）。实际上，二极管带来的第三个也是非常重要的方面-温度补偿。如果输出NPN / PNP要做很多工作，则会散发大量热量。仅几瓦的功率就会在晶体管中产生温度上升。双极型器件以其热失控特性而闻名，二极管的偏置电压将在升高的温度下降低，因此补偿了输出器件的温度特性。二极管需要与输出热接触，以感测输出的温度。否则，输出将自毁，因为它们将继续加热，所需的Vbe电压会降低，并更难导通，直到超过封装SOA。实际上，二极管带来的第三个也是非常重要的方面-温度补偿。如果输出NPN / PNP要做很多工作，则会散发大量热量。仅几瓦的功率就会在晶体管中产生温度上升。双极型器件以其热失控特性而闻名，二极管的偏置电压将在升高的温度下降低，因此补偿了输出器件的温度特性。二极管需要与输出热接触，以感测输出的温度。否则，输出将自毁，因为它们将继续加热，所需的Vbe电压会降低，并更难导通，直到超过封装SOA。实际上，二极管带来的第三个也是非常重要的方面-温度补偿。如果输出NPN / PNP要做很多工作，则会散发大量热量。仅几瓦的功率就会在晶体管中产生温度上升。双极型器件以其热失控特性而闻名，二极管的偏置电压将在升高的温度下降低，因此补偿了输出器件的温度特性。二极管需要与输出热接触，以感测输出的温度。否则，输出将自毁，因为它们将继续加热，所需的Vbe电压会降低，并更难导通，直到超过封装SOA。仅几瓦的功率就会在晶体管中产生温度上升。双极型器件以其热失控特性而闻名，二极管的偏置电压将在升高的温度下降低，因此补偿了输出器件的温度特性。二极管需要与输出热接触，以感测输出的温度。否则，输出将自毁，因为它们将继续加热，所需的Vbe电压会降低，并更难导通，直到超过封装SOA。仅几瓦的功率就会在晶体管中产生温度上升。双极型器件以其热失控特性而闻名，二极管的偏置电压将在升高的温度下降低，因此补偿了输出器件的温度特性。二极管需要与输出热接触，以感测输出的温度。否则，输出将自毁，因为它们将继续加热，所需的Vbe电压会降低，并更难导通，直到超过封装SOA。二极管需要与输出热接触，以感测输出的温度。否则，输出将自毁，因为它们将继续加热，所需的Vbe电压会降低，并更难导通，直到超过封装SOA。二极管需要与输出热接触，以感测输出的温度。否则，输出将自毁，因为它们将继续加热，所需的Vbe电压会降低，并更难导通，直到超过封装SOA。
如果您有能力运行SPICE仿真，并且不仅可以探测电压，还可以探测电流，那么一切将变得清晰。您会看到，随着偏差从不足（ClassB）变为正好（ClassAB）到可以说过多（ClassA），NPN和PNP会替代工作负荷。当输出信号变高时，NPN完成所有工作，当输出信号变低时，PNP完成所有工作（ClassAB或B）。如果探测二极管deltaV，您将看到一个恒定电压（由于二极管的有限阻抗，交流电很小）。