为什么通常情况下IC的负电压轨比正电压轨需要更多的去耦电容（PSRR较差）？

这个问题的前提似乎成立，可以从各种渠道看到，包括：

• 比较LM317和LM337的各种克隆的数据表（太多，以至于无法列出，但是通常后者的数据表建议在输入上进行更多的去耦，比前者要高一个数量级，例如TI的LM317数据表建议使用0.1uF输入/电源旁路，而LM337则建议使用1uF。）
• 与此相关的是，针对uA78xx的TI 数据手册有一个分离轨电源原理图，其中正稳压器的去耦小于负稳压器的去耦。下面转载。

• 模拟应用笔记MT-101的负极引脚的PSRR低于正极引脚：

所以问题是为什么通常会出现这种不对称。

的确如此，因为LM7815可以在任何输出电容下保持稳定-电容器正好可以减小高频下的输出阻抗。Vout来自NPN传输晶体管的发射极。

另一方面，LM7915采用类似的半导体工艺制成，但必须产生负输出电压。VOUT来自集电极与NPN传输晶体管。这是不是稳定，没有对输出电容largeish。在负调节器上只有100nF时，它可能会在某些条件下振荡，而正调节器会很好。

LM78xx

LM79xx

就AD8099而言而言，它可能与（内部）补偿电容器连接到负电源有关。运算放大器通常没有接地引脚。

因此，负电源引脚相对于“地”的任何变化都会耦合到放大器。

看起来是一种模式实际上是来自两个完全不同的根本原因。

发生这种情况是因为半导体器件本身不是完全对称的。依靠“空穴”作为其主要电荷载流子的设备（PNP BJT和P沟道FET）通常比使用电子的相应设备的性能略低。这表现为开关时间稍慢，电阻更高。可以通过以某些方式增加物理尺寸来部分抵消这点，但这会导致更高的寄生电容。

对于3端稳压器，简单的方法是简单地“反转”正极设计的电路以创建负极设计，从而反转所有电压极性，并在整个过程中交换NPN和PNP晶体管，包括用于主通过晶体管。但是，这样做的效果非常差，以至于必须开发出完全不同的电路拓扑（主要使用NPN晶体管），并且其稳定性也大不相同。

对于运算放大器，您必须查看特定设备的内部原理图才能了解详细信息。