Questions tagged «decoupling-capacitor»

通常用于陶瓷的电容器,用于向本地电路提供瞬时能量。

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去耦帽,PCB布局
我想我对PCB布局的详细细节有些不了解。最近,我读了几本书,力求使我直面和狭窄。这是我最近的董事会的几个例子,我重点介绍了三个解耦上限。MCU采用LQFP100封装,电容为100nF(0402封装)。通孔连接到接地层和电源层。 根据最佳实践(据我所知)放置顶盖(C19)。其他两个不是。我还没有发现任何问题。但是话说回来,董事会再也没有离开过实验室。 我想我的问题是:这有什么大不了的?只要轨道很短,这有关系吗? Vref引脚(ADC的参考电压)之间也有一个100nF的电容。Vref +来自板载TL431并联稳压器。Vref-接地。是否需要特殊处理,例如屏蔽或局部接地? 编辑 感谢您的宝贵建议!我的方法一直是依靠不间断的地面。接地层将具有最低的阻抗,但是这种方法对于高频信号可能过于简单。我已经快速添加了MCU下的本地接地和本地电源(该部件是运行在100MHz的NXP LPC1768)。黄色位是去耦电容。我将研究平行盖。本地接地和电源在指示的地方连接到GND层和3V3层。 本地地面和电源由多边形(浇筑)制成。最小化“轨道”的长度将是一项主要的重新路由工作。这种技术将限制在封装下方和整个封装中可以路由多少个信号迹线。 这是可以接受的方法吗?

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什么是去耦电容器?如何知道是否需要一个去耦电容器?
什么是去耦电容器(或以下链接中提到的平滑电容器)? 我怎么知道我是否需要一个,如果需要,什么尺寸以及需要去哪里? 这个问题提到许多芯片需要在VCC和GND之间连接一个芯片。我怎么知道一个特定的芯片是不是? 与Arduino一起使用的SN74195N 4位并行访问移位寄存器是否需要一个?(以我当前的项目为例)为什么或为什么不呢? 我觉得我已经开始了解电阻器的基本知识以及一些使用电阻的地方,在所述位置应使用什么值,等等,我也想从基本水平上理解电容器。

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三星为何包括无用的电容器?[关闭]
我负责平板电脑主板的组件级维修,到目前为止,我已经在两种不同型号的三星平板电脑主板(SM-T210,SM-T818A)上看到了这种令人困惑的情况。PCB上有陶瓷片状电容器,其两端清楚地连接到接地层。阻力检查证实了这一点,而且仅查看它们就很明显了。 SM-T210-看起来像某种信号调理。它在SD插槽的PCB背面,但是SD使用多于两条信号线,所以我不知道。 SM-T210-位于USB换向器IC的PCB背面。就在电池连接器旁边。 SM-T818A-这是AMOLED电源。神秘帽实际上位于EMI屏蔽的边缘(为照片而去),并且屏蔽框架必须包括切口以清除该帽。因此,他们遇到了麻烦,要在这里盖上盖子。 我能想到的唯一情况是,在Capture期间,设计工程师放了一些帽以供最终使用,但两端均接地,因此DRC模块不会抱怨浮动引脚。然后他们最终没有全部使用它们,但没有从设计中删除这些多余的东西。该设计将被发送给布局工程师,他们只需放置并路由给出的设计即可。 我愿意允许某人做一些如此聪明和明智的事情,以至于超出我的建议(从地面上滤掉太赫兹频带的噪声?),但是我不认为这是一个例子。 *当然,如果这是一个例子,那正是我要说的。

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去耦电容器:什么尺寸和多少?
如今,许多芯片都需要在VCC和GND之间使用平滑电容器才能正常工作。鉴于我的项目在各种不同的电压和电流水平下运行,我想知道是否有人对a)多少和b)应该使用什么尺寸的电容器以确保电源纹波不会影响我有任何经验法则?电路?

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储能电容器附近的去耦电容器有什么用?
我已经看到一些使用去耦电容器和储能电容器的电路,例如(C4和C5): 我已经阅读了有关去耦电容器的信息,对我来说,它们似乎旨在消除电源电压中的小波动。然后我想- 储存电容器的目的不是吗?如果储能电容器能够滤除大的波动,为什么不能过滤掉小波动呢? 所以我觉得我在这里有一个基本的误解。当我们假设将两个去耦电容器均等地放置在功耗部分附近时,其去耦电容器的目的是什么?还是去耦电容器的唯一优点是它更小,因此可以更容易地放置在功耗部分附近?

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我可以用陶瓷电容器替换所有电解电容器吗?
我正在为需要多个电源的系统设计电源电路,我的问题是: 是否可以用陶瓷帽替换所有电解帽(大多数为100uF)?陶瓷的局限性是什么? 我是否应该像对电解一样对陶瓷使用2倍的额定电压? 纹波电流额定值如何?当选择陶瓷作为电解材料时,这是一个重要因素吗? 添加1/9/2014:有关陶瓷限制的更多信息 我发现Dave在EEVBlog上提交的这段精彩视频展示了不同类型的陶瓷盖的局限性,以及它们如何受到施加的电压和偏置电压的影响。值得一看!



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如何在四层PCB中放置去耦电容器?
我搜索了有关去耦电容器放置的技术文档,其主要思想如下图所示: 我认为这是合理的,但是我必须将去耦电容器和MCU放在同一层吗?我放置其他设备不方便。所以我选择将去耦电容放在底层 我的PCB是四层(signal-power-gnd-signal),当我拆分电源和gnd层时,上图中靠近MCU引脚的两个过孔将不包含在电源和gnd层中。它具有与图一中的情况f相同的良好性能吗?在这种情况下,我是否必须考虑过孔的电感?

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为什么ST建议为72 MHz MCU使用100 nF去耦电容?(而不是10 nF。)
我一直在阅读有关去耦电容的信息,但我似乎无法理解为什么ST建议在72 MHz ARM微控制器上推荐100 nF的去耦电容。 通常,由于谐振,100 nF的去耦电容仅在大约20-40 MHz时才有效。我认为10 nF去耦电容比较合适,因为它们的谐振接近100 MHz。 (显然,这取决于封装及其电感,但从我所看到的来看,这些只是标准值。) 根据STM32F103数据表,ST建议在VDD上使用100 nF电容,在VDDA 上建议使用10 nF电容。这是为什么?我想我也应该在V DD上使用10 nF 。

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“两个旁路/去耦电容器”规则?
我发现了许多关于旁路电容器及其用途的讨论。通常,它们以0.1uF和10uF对的形式出现。为什么必须是一对?是否有人对论文或文章有很好的参考,或者可以提供很好的解释?我希望对为什么两个和EACH的目的有一些理论上的了解。

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为什么要将电容器连接到电机主体?
所以我找到了一个看起来像这样的电机电路: 由于这里的许多用户认为我的手绘电路原理图实际上是飞行中的意大利面条怪物的照片,因此,我还将提供书面说明: 有两条标记为+和-的输入线连接到电动机。有一个与电动机并联的电容器。有一个电容器连接到电动机的正极和电动机的金属体,有一个电容器连接到电动机的负极和电动机的金属体。电容器看起来像的多层陶瓷电容器,并具有电容。该电机是Kysan Electronics FK-180SH-3240直流电机。还值得注意的是,电动机的标称电压为3 V,但由2节锂离子电池供电,并由基于微控制器的电路控制。0.1 μ ˚F 0.1 μF0.1 \mbox{ } \mu F 所以我的问题是:为什么要使用3个电容器,其中两个连接到电动机主体?在电动机端子上安装电容器以保持微控制器的干扰似乎是合乎逻辑的,但我不认为将电容器焊接到电动机主体上会有什么帮助。

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去耦不足的指标有哪些
(这个问题是我在这里遇到另一个问题的结果。) 我通常对在模拟或数字IC的所有电源引脚附近使用去耦电容器都持谨慎态度。如果可能,我还将在PCB设计中使用电源和接地层。通常,我尝试使用“良好实践”来获得可靠的稳健设计。而且,据我所知,我已经成功了。 问题是,不充分耦合的指标是什么?假设我决定在微控制器或CAN收发器或其他设备的电源引脚上不包括旁路电容。 有一些明显的指示器,例如微控制器自发复位,但肯定还有更细微的问题,我什至可能看不到,或者可能不是由于去耦不足引起的。


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去耦底层电容器?
我在0805封装中的CPLD的每对V cc / GND 上使用0.01 uF去耦电容器。因此,总共大约八个电容器)。如果将去耦电容器放在底层并使用过孔连接到CPLD / MCU 的V cc和GND引脚,我发现布线电路板会更容易一些。 这是一个好习惯吗?我了解其目的是最大程度地减少芯片和电容器之间的电流环路。 我的底层也用作接地层。(这是两层板,因此我没有V cc平面),因此不需要使用过孔连接电容器的接地引脚。显然,芯片的GND引脚通过过孔连接。这是一张图片,可以更好地说明这一点: 朝向电容器的粗线为V cc(3.3 V),并且已连接至直接来自电源的另一条粗线。我得到V CC以这种方式,所有的电容。以这种方式连接所有去耦电容器是一种好习惯,还是我会遇到麻烦? 我看到的另一种使用方式是,有一条来自V cc的走线和一条来自电源的GND走线。然后,去耦电容器会“抽头”到这些走线上。我注意到,在该方法中没有接地平面-只是加厚V- CC以及从单点接地运行的痕迹。有点像我在上一段中描述的V cc方法,但也用于GND。 哪种方法更好? 图2 图3 这是去耦电容器的更多图片。我认为其中最好的是电容器位于顶层的电容器-你们同意吗? 如果我想将其连接到接地层,显然需要一个通孔用于GND引脚。关于该值,Altera的文档中规定了0.001uF至0.1uF ,因此我将其设置为0.01uF。不幸的是,即使我在精神上注意到我需要在3 cm以下的地方安装另一个电容器,但我不记得要在原理图上实现它。根据这里的建议,我还将在每个Vdd / GND对上并联并联一个1 uF电容器。 关于功耗-我将为100位移位寄存器使用100个逻辑元素。工作频率在很大程度上取决于我将用来读取移位寄存器的MCU的SPI接口。我将使用AVR Mega 128L允许SPI使用的最低频率(即62.5 kHz)。使用其内部振荡器,微控制器将处于8 MHz。 阅读下面的答案,我现在非常担心我的地平面。如果我了解Olin的回答,就不要将每个电容器的GND引脚连接到接地层。相反,我应该将GND引脚连接到顶层的主GND网络,然后将该GND网络连接到主回路。我在这里正确吗? 如果是这样,我是否应该有一个接地层?板上唯一的其他芯片是MCU和另一个CLPD(不过是相同的设备)。除此之外,它只是一堆插头,连接器和无源元件。 这是具有1 uF电容器和V cc星型网络的CPLD 。这看起来像是更好的设计吗? 现在,我担心的是,星形点(或区域)将干扰接地平面,因为它们位于同一层。另外请注意,我V连接CC刚刚较大的电容器V CC引脚。这是好事还是我应该v连接CC提供给每个电容分别? 哦,请不要介意不合逻辑的电容器标签。我现在要修复它。

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