帮助使用MOSFET打开/关闭IC

我正在尝试使用以下MOSFET（N通道）来打开和关闭IC。 http://www.diodes.com/datasheets/ZXMS6004FF.pdf

在测试电路中，我将5VDC连接到MOSFET的漏极，然后将源极连接到IC的V +电源引脚。IC的Gnd引脚保持接地。由于某种原因，当我向MOSFET的栅极施加正电压时，它会导通，但我在IC的电源引脚上仅测得约2.5VDC，这对于IC来说还不够。有什么想法我在这里做错了吗？

正如Oli所说-您需要使门比源更可靠，以使设备开启。（该电平随电流而变化-对于该IC 2伏通常就足够了-参见数据表）。这是一个非常好的部分，只是不适合您的使用方式。

如果电路允许，则可以将此器件用作“低压侧驱动器”，这是数据手册所述的用途。

将电源接地。
将漏极连接至负载-ve。
将负载正极连接到V +。
将门驱动为高电平以导通。

该电路的优势是允许负载在最高36伏的电压下运行，同时使用3伏电源供电的设备激活负载。
缺点是负载在关闭时处于V +电源电位（而不是接地电位）。

上面以灯泡作为负载显示，但这可以随您使用。仅当负载具有电感性组件时才需要二极管（以在FET关断时为“反激”无功电能提供路径）。

正如奥利（Oli）还指出的那样-如果您可以将栅极驱动至高于V +几伏特，那么您的电路将起作用。

正如Oli还指出的那样，P沟道FET将为您工作（源极至V +，漏极至负载，接地负载），栅极高电平（= V +）关闭，低电平（=接地）开启。如果不使用额外的驱动器级（通常是一个额外的晶体管），则最大V +是驱动器的电源电压。

总的来说，这可能是最佳选择：

使用一个额外的晶体管可让您使用低压控制信号来驱动负载，使负载最高可达FET额定Vmax。

这种非常好的设备可能会很好地满足您的需求-取决于电流和电压的要求。最大3.6V最大Vin :-( ..这是一款智能高端驱动器，在Digikey 有低端逻辑电平控制 $ 1.22 / 1。

该IC的8引脚DIP版本ST TDE1898，也是逻辑电平驱动的高端驱动器，在Digikey的售价为$ 3.10 / 1，但允许18-35V的电源。还有其他一些电源电压范围很奇怪的东西-但是如上所述的P沟道FET和单个晶体管可能会满足您的需求。

电平转换：

您也许可以用3.3V的MCU切换5V高端P沟道MOSFET，但设计要么微不足道，要么有些棘手。如果将驱动信号摆幅设置为0 / 3.3V，并具有5​​V的高端电源，则FET的+ 5V电压为5V / 1.7V。Vth> = 2V的MOSFET可以正常工作。更好的Vth> 2.5V或> 3V。随着Vth的升高，导通裕量减小。需要考虑数据手册的最大值和最小值。可行但棘手。

在上面的2晶体管电路中，使用“逻辑晶体管”（内部R1）消除一个电阻。那么多余的就是一个，例如0402 :-)电阻和一个例如SOT23晶体管pkg。//在MCU的输出中使用齐纳二极管可以将Vmax降至安全水平，并允许驱动高端5V P FET。“米老鼠” ：-）。

从MCU的输出到高电平使用电阻分压器可减小从高端栅极到V +的最小电压，但也会减小最大驱动器。这可能是可以接受的。

仅
作为示例：8k2 V +至P通道门
10k P通道门至mcu引脚。
33k MCU引脚接地。

当OC达到33 /（33 + 10 + 8.3）x 5 = 3.2V时，mcu引脚被拉高。
当mcu为3.2V时，栅极为3.2 + 1.8 x（10 /（10 + 8.2））= 4.2V。
当MCU引脚处于接地状态时，栅极的
电压为（10）/（10 + 8.2）x 5 = 2.75V，因此相对于V +的栅极摆幅为0.8V至2.25V。
对于某些FETS，这是可以的，但是最大和最小门的值必须是可以的。
弄错很棘手。

2晶体管电路是更优选的。
如果可以接受，低侧N通道驱动器仍然更好。

所涉及的两个IC都在一个IC中完成了全部任务，而没有额外的组件。在这两种情况下，使用的电压都是有限的（一种情况下<= 3.6BV，另一种情况下为18-35V），但是肯定有一些IC可以处理更大范围的电压。www.digikey.com和www.findchips.com都是不错的选择。

这将无法工作，因为当电源引脚上升时，使MOSFET导通的从栅极到源极的电压下降（因为栅极电压保持恒定，但源极电压上升），因此它将开始再次关闭MOSFET并关闭。取决于Vth / Ron，IC吸收多少电流以及栅极处于什么电压，其稳定在Vdd与GND之间的某个位置。如果您可以将门设置为高于Vdd的Vth（例如Vdd + 2V），则它将起作用（例如上拉至更高的电源）。
更好的方法是使用P沟道MOSFET，其源极至Vdd，漏极至IC电源引脚。要开启，请将门拉到地面。