分析具有多个BJT的电路

我目前正在上模拟电子课程，这是出现的问题之一：

  V 1 = 15V V 1 = 15V, Ueb = Ube = 0.6V, Uce(sat) = 0.2V, β =200, 
  VT = 25mV, R2 = 39Ω, R4 = 4.7kΩ, R5 = 470Ω

我被要求找到R1，R3和R6的值，以使Q2和Q3的静态集电极电流都为8 mA，并且在不存在输入信号的情况下Q2的集电极处于电势V1 / 2（做什么这告诉我吗，因为我仅在此处进行直流分析，甚至还有意义吗？）有没有遵循的常规步骤？我对两个晶体管进行了类似的分析，始终需要做的是找到每个晶体管的Ve，Vc和Vb表达式，并通过比较它们来假设其工作于哪种模式。但是在这里，我遇到了一个矛盾，即Q2似乎处于线性模式，因此R6 =（V1 / 2-V1-0.7）/ 8mA <0。我希望我不要问的问题太广泛。我并不是要寻求解决方案，而只是告诉我进行这种分析的方法。

编辑：尴尬的是，我现在才注意到，实际上，在我看来，作为Q1的收集器和q3的基数之间的一个节点不是一个。仔细观察就能知道。

无论如何，问题和配置似乎都被打破了，但是做出一些假设/更改，我将尝试说明我将如何解决类似的任务。我猜想我的假定配置不是预期的配置，但是我看不到任何明显的替代方案。

因此：假定所有集电极电流目标为Q1和Q2，则假定所有晶体管均为NPN（并且更改了要更改为应用于发射极的晶体管的参数）。（而不是Q2 / Q3）

通常，方法是假设一组合理的起始条件和您的目标状态，然后更改值，直到满足条件或达到荒谬状态（促使初始假设发生变化）。

我们将从假设所有晶体管都线性工作开始（所有晶体管似乎都在实现基本的放大器配置，并且如果这样可能是为了线性工作）。

从R2看到的Q1和从R4看到的Q3都是发射极跟随器，并且由于我们假设线性运算I_R4应该为8mA /β。那么R4上的压降（8m / 200 * 4k7 V）很小（<200mV）。经过两个发射极和R4的R3上的压降变为2Ube +〜200mV或〜1.4V。

现在我们知道R3上的电压。同样，由于我们假设Q3为线性，因此进入Q3 << IR3的基极电流，然后IR3必须接近Q2的集电极电流，即8mA。鉴于我们的假设正确，我们现在可以设置R3。

然后，流经R2的电流就是流经R3的电流+来自Q1的发射极电流，约为16mA。现在我们知道或假设Q2（U1 / 2），R3（〜1.4V），R2两端的电压。其余电压需要超过R6。电流等于IQ2。

如果Q2要在线性区域内工作，则R1上的电压必须比目标发射极电压高〜Ueb。它还需要吸收Q1的大部分电流。I =〜8mA，U = U1 / 2-Ueb

您现在有了一个答案，剩下的就是看到这确实是一个稳定的，非荒谬的状态。从双电压跟随器的操作，您可以看到通过三个晶体管存在一个负反馈环路。如果通过Q2的电流过高，则R3两端的电压也必须很高，从而上拉Q3-> Q1->下拉R1->降低Q2基极上的电压。

剩下的确切数字供读者练习。当心咖啡因数学和逻辑错误而导致的错误。

您确定您提供了此电路的所有信息吗？

据我所知，该设备仅产生一些泄漏电流。

没有电流的机会。

Q3不会做任何事情，Q1也不会做。Q2中可能仅有的电流可能会从发射极流到基极，但仍然没有办法继续。

甚至时序分析也可能不会发生任何变化，因为没有电容器，可能会为任何晶体管提供所需的基极电流。