为什么DRAM在冷态（断电时）能更好地保持其状态？

很抱歉，如果这是题外话。它可能更适合于计算机硬件论坛，但是我找不到合适的东西。

我一直在阅读有关冷启动方法的信息，该方法可用于法医调查，敌国政府或犯罪分子攻击者，以在计算机关闭电源后从DRAM获取加密硬盘驱动器的密钥。这种方法让我着迷，因为我从来没有意识到DRAM断电时会保持其状态，但是很显然，当计算机断电时，电容器可以在几分钟甚至几小时内保持部分电荷。

我想知道的事情。该论文说，在较低的温度下，衰减速度明显减慢。为什么会这样呢？我猜这是因为电子在较低温度下受到较少的激发，因此它们不太可能从一个分子跳到另一个分子，因此电容器能够保留更长的电荷。我认为正确吗？

基本上是因为DRAM单元中晶体管的泄漏电流取决于温度。这是典型的DRAM单元原理图（摘自那本书）：

这是IC级FET的泄漏电流如何随温度变化的一般图表

后一幅图来自另一本书。实际上，这是温度的指数依赖关系（请注意半对数图），只需使用Shockley二极管模型即可很好地近似。该书说：“通常的经验法则是，温度每升高10C，泄漏电流就会增加一倍”。