为什么此桥式整流器声称没有[二极管]正向压降

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我曾经说过“好，这是可行的”。但是后来我追踪了它的工作原理，当P和N对被反向偏置时，它只是阻止了流过漏极和源极的电流。然后当另一对P和N正向偏置时，电流流过正向二极管。然后交替进行...然后是一样的，只是使用二极管桥接整流。更糟糕的是，MOSFET通常没有低的二极管压降...或者也许我在这里漏了一些东西...。

mosfet rectifier

— 科兹纳
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在使用电容器作为负载的25VAC电源时可能会很有趣。它会在正弦波的下斜率

— 上流

正斜率还是负斜率？

— kozner '16

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从高峰“下降”

— Jasen

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电路依赖的技巧是将MOSFET用作完美的整流器，因为当基于MOSFET进行双向导电时

— Jasen 2016年

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您可以将其视为一种由输入电压提供的开关信号进行的同步整流。仅当电压足够高以导通MOSFET时，它才具有低电阻。MOSFET必须容许最大峰值电压为Vgs（通常为8V-20V绝对最大值）。这些在某种程度上是相互矛盾的约束-在较低电压下导通的MOSFET往往具有较低的Vgs（max）。当然，您可以添加齐纳二极管和电阻器来解决这一问题，如果输入为方波，则低压约束并不重要。

— Spehro Pefhany，2016年

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看看偏向的工作原理：-

顶部输入轨为正时，左下N沟道FET导通，底部输入轨为负时，右上P沟道FET导通。

— 安迪（aka）
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@kosner：当FET接通时，它的行为就像一个非常低的电阻值，绕过二极管。例如，如果“导通”电阻Rds为0.1Ω，则在1 A时压降为0.1V。对于二极管，压降为0.7V。对于桥式整流器，将这些数字加倍，您会看到优势，特别是在低压电路中。顺便说一句，该二极管是FET结构的副作用-未添加

— 晶体管

真？您，Andy，看不到它不起作用吗？让我们只讨论您上面提到的积极的上半年周期...那么，右上方的PMOS和右下方的NMOS打开了什么？交流正电源线仍高于阴极输出（除非之后有一个电容器滤波器）。因此，它是从PMOS的漏极端子到源极端子的，但是即使PMOS处于导通状态（或除非发生电压击穿），也永远不会发生这种情况。但是，总会有一个二极管，因此它将穿过那里。对于NMOS，对称性也是如此。别误导讨论。

— kozner'1

@kozner我实际上是想了解您在说什么，以及为什么您认为我误导了讨论。

— 安迪（aka Andy）

好了，在NMOS的源极高于漏极的情况下（或者对于MOSFET偏置比正常偏置更高的MOSFET），电流将通过沟道从源极流到漏极（或者在PMOS中从漏极流到源极）， MOSFET是否导通，而不仅仅是体二极管？也就是说，通过通道的电流是双向的吗？

— kozner'1

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@kozner，是的。启用后，它的行为就像一个电阻。看到我的第一条评论。我认为您在写作时需要多加注意。由于写作不佳，我和Andy都在努力解释您在说什么。如果您现在了解安迪的回答，则应该撤消有关他“误导讨论”的指控。

— 晶体管

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整流器在无电流时没有电压降.mosfet上的低RD意味着电压降可能非常低，可以低于散装二极管。有效电阻是N chan和P chan的总和我是在前世这样做的，但在生产中，我使用了双肖特基而不是2 P通道。P通道在25年前是一个很大的惩罚，所以我认为2 n chans和1个双肖特基更物有所值。对于12V 10 Amp电池充电器来说，一切都很好。如今，根据您的应用可能会很经济。记住，如果您将CHAN装进一个大的电解盖中，则必须对高反向电流进行某些处理。也许是Fiode连接或一些逆向电流感应使栅极关闭。

— 自闭症
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用户：请注意，该电路在进行整流时不会阻止反向电流流动；您将需要在输出端使用诸如单个肖特基之类的东西，以便在AC-DC转换器中有效地使用它。

— jp314 2016年

@ jp314：为什么？我的理解是，如果没有交流电，并且在交流电的低压部分，FET不会偏置（因此它们是高电阻），而二极管会反向偏置。反向电流如何发生？

— 晶体管

如果有输出电压（例如，储能电容器），则该电容器将放电到交流电压源（例如，变压器次级）中。

— jp314 2016年

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关于MOSFET桥式整流器的故障，这里有几条评论和答案：它在两个方向上都导通，因此，如果您使用电容器滤波的电源，则电容器将仅在AC下坡时流失，然后流回源极。。

有两种商业解决方案可以解决此问题：至少我知道两种，分别是LT4320和LM74670-Q1。

参见https://www.analog.com/cn/products/lt4320.html#product-overview和https://e2e.ti.com/blogs_/b/motordrivecontrol/archive/2016/01/11/a-novel全波桥整流器设计方法

— 迈克·S
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我在LTSpice中测试了该整流器。仅使用电阻负载，它就可以完美工作，在负载电阻上产生全波整流电流，晶体管中的压降很小（取决于导通电阻，而不取决于体二极管的正向电压）。

然后，我添加了一个电容器，使其成为连续的直流电流。在这种情况下，整流器完全失效。当电容器上有电压时，MOSFET的导电方向错误，使电流再次流回交流电源。

如果用两个二极管替换两个P-MOS晶体管，则可以工作，因为这些二极管会阻止任何反向电流。这就是为什么Autistic的解决方案有效的原因（在上一篇文章中进行了介绍）。

— 詹斯·哈格伦
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