驱动MOSFET栅极和IGBT栅极有什么区别？

是否可以使用合适的IGBT栅极驱动器来驱动MOSFET，反之亦然？为了实现这种兼容性，哪些参数（阈值，平稳和额定电压，栅极电容等）必须相同？驱动这两种不同类型的门之间的本质区别是什么？

有时...

假设关注点是功率MOSFET，而不是小信号MOSFET和硅（与SiC，GaN相对）

要检查的第一个特性是输出电压。对于功率器件，它们应为0V至12-15V（acpl-312T），以适应4V附近的门限阈值（如果担心磨粉机开启，则能够驱动至-15V）。作为驱动IGBT的MOSFET驱动器，同样驱动MOSFET的IGBT驱动器应该很好。

下一个特性是峰值电流。IGBT的栅极电容会大大增加，因此需要更高的峰值电流，以确保器件尽快饱和。相反，MOSFET可以更快地切换，因此驱动MOSFET的均方根电流需求可能更高。

较高的电流或较高的开关频率会影响驱动器的电源能力。

合适的IGBT栅极驱动器

您问题的关键是“合适”。

简短的答案是可以。

IGBT将隔离栅FET用于控制输入，并将双极型功率晶体管结合为单个设备中的开关（维基百科）。

您的问题已经包含适当的注意事项，“阈值，平稳期和开启电压额定值，栅极电容等”

请注意，某些IGBT驱动器还包括负关断电压（用于更快的开关）

以下摘自国际整流器公司

MOSFET和IGBT本身都不要求栅极具有负偏压。关断时将栅极电压设置为零可确保正常工作，并且实际上会相对于器件的阈值电压提供负偏压。与双极型晶体管相反，负栅极偏置不会显着影响开关速度。但是，在某些情况下需要负栅极驱动器：

• 半导体制造商为器件指定负栅极偏置
• 当栅极电压由于电路中产生的噪声而无法安全地保持在阈值电压以下时。尽管将参考IGBT，但其中包含的信息同样适用于功率MOSFET。