Questions tagged «igbt»

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驱动高感性负载会破坏mosfet驱动器
背景 我正在尝试使用点火线圈系统产生一些相对较高的电压(> 200KV)。这个问题只涉及该系统的一个阶段,我们试图使该阶段的发电量达到40-50KV。 最初,函数发生器用于直接驱动MOSFET,但关断时间非常慢(函数发生器的RC曲线)。接下来,构建了一个不错的图腾柱BJT驱动程序,该驱动程序工作正常,但在下降时间方面仍然存在一些问题(上升时间很棒)。因此,我们决定购买一堆MCP1402栅极驱动器。 这是原理图(C1是MCP1402的去耦电容,其物理位置靠近MCP1402): 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 晶体管之初的目的是防止从我们的函数发生器中流出的负电压(很难配置且易于拧紧)到达MCP1402。由于这种粗略的安排,我们送入MCP1402的下降时间很长(1-2uS),但似乎存在内部滞后现象或防止其引起问题的原因。如果没有,而我实际上正在销毁驱动程序,请告诉我。数据表没有任何输入上升/下降时间参数。 这是物理布局: 蓝色的线连接到点火线圈,黑色的线连接到桌子上的接地条。顶部TO92是PNP,底部TO92是NPN。TO220是MOSFET。 实验 困扰该设计的问题一直是栅极线上的振铃和开关时间慢的结合。我们销毁了更多的MOSFET和图腾柱BJT。 MCP1402似乎已解决了一些问题:无振铃,快速下降时间;看起来很完美。这是未连接点火线圈的栅极线(在MOSFET栅极引脚的底部测量,绿色和白色电线插入上方): 我以为那看起来不错,所以我插入了点火线圈。吐出了这个垃圾: 这不是我第一次在门口看到这个垃圾,但这是我第一次看到它。这些电压瞬变超过IRF840的最大Vgs。 题 捕获上述波形后,我迅速关闭了所有设备。点火线圈没有产生任何火花,告诉我MOSFET很难及时关断。我的想法是,门从振铃中自动触发并切断了我们的di / dt尖峰。 MOSFET的温度非常高,但是经过一点冷却后,用万用表检查了一下(栅极-源极与栅极-漏极之间的高阻抗,对栅极充电后的漏极-源极之间的低阻抗,对栅极放电后的漏极-源极之间的高阻抗) 。但是,驾驶员的车费却不及此。我卸下了MOSFET,只是在输出端盖了一个帽。驾驶员不再切换,只是变热了,所以我相信它会被破坏。 2 Ω2Ω2\Omega 到底是什么摧毁了驾驶员?我的想法是,大的栅极瞬态现象回到了栅极,并以某种方式超过了500mA的最大反向电流。 在驱动感性负载时,如何抑制这种振铃并保持其清洁?我的大门长约5厘米。我可以选择多种铁氧体,但老实说,我不想炸毁另一个栅极驱动器,直到有人可以向我解释为什么会发生这种情况。在将高感性负载连接到它之前,为什么不发生这种情况? 点火线圈的初级线圈上没有反向二极管。这是一个有意识的决定,以避免限制我们的电压尖峰,但可能会误导您。是否将二极管的初级电压尖峰完全覆盖次级电压尖峰?如果没有,我很乐意将其放在上面,以避免需要更昂贵的1200V MOSFET。我们测得的漏极至源极电压峰值约为350V(约100nS分辨率),但栅极驱动器的速度较慢,因此di / dt较小。 我们提供可供选择的1200V IGBT(它们只是坐在我的桌子上)。它们会像驱动这种负载的MOSFET一样麻烦吗?飞兆半导体似乎建议使用这些。 编辑: 我刚刚进行了LTSpice仿真,将二极管放在初级上以保护MOSFET。事实证明,它破坏了电路的目的。这是将二极管跨初级连接之前(左)和之后(右)的模拟次级电压: 因此,看来我不能使用保护二极管。



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是什么导致该IGBT故障?
我连接了下面的电路,一个晶体管点火电路,它工作了几分钟,然后停止工作(发动机退出了,不会重启)。当它停止工作时,我感觉不到板上明显过热的任何东西,也没有观察到任何烟雾。 我将电路板带入实验室,将其​​连接至电源,并测试了断路器开关打开和闭合的各个节点上的电压。我用20欧姆负载代替了线圈。 我发现,当点开关打开时,TIP31正确导通,使得(BJT的集电极电压/ IGBT的栅极电压)并且Q1的基极电压= .63V,因此TIP31似乎工作正常。IGBT应该在0.02V的栅极电压下处于“关断”状态,但是我正在测量20欧姆负载电阻两端的4.3V压降(代替示意图中的线圈),这意味着IGBT处于导通状态.21A负载为20ohm。VC= .02 伏Vc=.02VV_c=.02V 我只能推测为什么IGBT会失败,我希望有经验的人可以给我一个更好的主意。我了解到IGBT非常适合电感负载切换。我是否选择了不适合该应用的IGBT?难道是我刚注意到过热和烧毁了吗?最重要的是,导通不良是IGBT的典型故障模式吗? 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图
10 failure  igbt 

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IGBT额定值,我不知道这怎么可能
我发现IXGX400N30A3在Digikey。数据表说,该器件的额定电流为25ms时为400A @,25ms时为1200A @ 25C,额定电压为300V,PD为1000W。 真?这个TO-264封装可以整天控制400A的电流吗?我可以在直流模式下将TIG焊机短路吗?这些导线甚至如何承载400A电流?
9 power  datasheet  igbt 

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需要帮助来理解和解释IGBT数据表
在电机控制方面,我了解我们可以选择使用分立MOSFET或IGBT。另外,市场上有一些产品将6个IGBT放在一个封装中,例如GB25XF120K。(这是来自Infineon的另一个示例部分:FS75R06KE3) 但是,在以下方面,我不知道如何将这种解决方案与使用6个分立MOSFET进行比较和对比: 切换速度 功耗(静态;相当于IGBT的I 2 * R DS是多少?) 功耗(开关) 冷却(为什么没有发布结至环境的热阻?)。 栅极驱动电路 另外,我在主题上阅读的所有资源都“推荐”高压(> 200V)IGBT,但它们并没有真正涉及到细节。所以我再次提出这个问题,也许有点不同:为什么我不希望将IGBT用于48V无刷直流电动机?
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