IGBT与功率MOSFET的开关应用。在哪里划界线？

对于较低的击穿电压，鉴于功率MOSFET的更高效率，更高的换向速度和更低的价格，显然是该器件的理想之选。

最好在哪条线的哪个IGBT上接线？有哪些相关的决策标准？

选择IGBT或MOSFET的主要标准是额定电压，功率损耗（整个系统的效率），当然还有整个系统的成本。选择一项可能不仅会影响晶体管的损耗，还会影响冷却的重量和成本，整个产品的尺寸以及可靠性，因此有时（例如）重量限制可能会迫使您使用MOSFET而不是IGBT。

如果查看此图，将会看到不同的区域，通常在每种区域中使用每种类型的开关：

选择特定的设备类型取决于特定的应用程序及其要求。

MOSFET在高频和低电流应用中占主导地位，因为它们可以快速切换并在导通时充当电阻。

快速切换意味着在设备必须小巧时使用它们，当您增加切换频率时，可以减小无源滤波器的尺寸。

传导损耗与漏极电流的平方成正比，因此您不能使大电流通过结构。

它们还具有有限的击穿电压，通常使用高达600V的电压。

IGBT的击穿电压更高，并且导通损耗大约等于Vf * Ic，因此您可以在大电流应用中使用它们。它们的开关速度有限，因此通常用于不存在低开关频率（噪声）的工业应用中。

这个问题确实很难给出确切答案。FET根本无法完成某些工作，而IGBT根本无法完成某些工作。如果您所处的领域都是可行的解决方案，那么您会着眼于成本，包括占位面积和热管理，然后选择更便宜的解决方案。在许多情况下（尽管不是全部），这将是FET。但是在很多情况下，仅由应用程序为您做出决定。