Questions tagged «failure»

今天，我听到一声巨响，轰炸了服务器机房中的断路器。它一定是非常响亮的，因为我可以从2个房间穿过2个沉重的门听到它的声音，就像鞭炮在我身旁熄灭一样。 长话短说，它将范围从一台计算机缩小到一个PSU。当我终于开始测试它时，它闻起来像烧焦的橡胶，甚至在关闭了约40分钟后还是很热。其余所有技术都很好。 它是一个老式的服务器PSU，大约有10多年的历史，因此它爆炸后并不感到惊讶。它是HP制造的800W装置，但我找不到任何型号标识。 奇怪的是，我将其打开以真正确保这是失败的事情，但从内部看，它看起来还不错。测试了保险丝-一切都很好，所有的盖子看起来都不错，任何地方都不会烧焦。在看了大约10分钟后，燃烧的气味也消失了。尽管如此，它唯一不会打开的东西。我已将其连接的其余计算机备份并使用备用PSU运行。 在这一点上，我很好奇-有什么可能造成如此大的轰动而事后没有留下痕迹？

52 power-supply  switch-mode-power-supply  safety  failure 

我有一个已部署的设计，在该设计中，我们在PCB的12V至5V降压降压转换器部分中遇到了较高的故障率（〜4％）。降压转换器在电路中的作用是将12 V输入（从连接的铅酸电池）降压至5V，然后将其馈送到USB-A插座以进行电池充电。 所有返回的单元都具有相同的特性升压降压转换器IC。 该集成电路是德州仪器（TPS562200DDCT）的制造商（信誉卓著，所以我知道） 这是数据表。 这是发生故障的单元的图片： 这是原理图： 这是板子那部分的PCB设计文件： 在分析降压转换器IC的故障时，我认为您可以忽略低电池切断电路。当电池电压降至11 V以下时，该部分电路仅使用参考电压和低端旁通FET来将电池的负极端子与其余电路断开。 在我看来，连接到USB插座的设备上的外部短路不会成为罪魁祸首，因为TPS562200DDCT内置了过流保护： 7.3.4电流保护使用逐周期谷值检测控制电路可实现输出过电流限制（OCL）。在关断状态期间，通过测量低侧FET漏极至源极电压来监视开关电流。该电压与开关电流成正比。为了提高精度，对电压感应进行了温度补偿。在高端FET开关导通期间，开关电流以VIN，VOUT，导通时间和输出电感值确定的线性速率增加。在低端FET开关导通期间，该电流线性减小。开关电流的平均值为负载电流IOUT。如果监测到的电流高于OCL电平，则转换器将保持低端FET导通并延迟创建新的设置脉冲，即使电压反馈环路需要一个，直到当前级别变为OCL级别或更低。在随后的开关周期中，导通时间设置为固定值，并且以相同方式监视电流。如果过电流条件存在连续的开关周期，则将内部OCL阈值设置为较低的水平，从而减少可用的输出电流。当开关电流不高于下限OCL阈值时发生切换周期时，计数器将复位并且OCL阈值将返回较高值。这种过电流保护有一些重要的考虑因素。负载电流比过电流阈值高出峰峰值电感器纹波电流的一半。而且，当电流受到限制时，由于所需的负载电流可能高于转换器提供的电流，因此输出电压趋于下降。这可能会导致输出电压下降。当VFB电压降至UVP阈值电压以下时，UVP比较器检测到它。然后，该设备在UVP延迟时间（通常为14μs）后关闭，并在打ic时间（通常为12 ms）之后重新启动。 那么，有人知道这是怎么发生的吗？ 编辑 这是参考设计的链接，我以前使用TI WEBENCH Designer提出了降压转换器的组件值和工作点：https ://webench.ti.com/appinfo/webench/scripts/SDP.cgi ? ID = F18605EF5763ECE7 编辑 我在实验室中进行了一些破坏性测试，可以确认如果我插入反极性的电池，我会得到看起来非常相似的熔融塑料堆，而Buck转换器曾经是。由于我们选择的电池连接器确实提供了较高的偶然反极性插件机会（例如4％几率->眨眼眨眼），因此这似乎是造成我们观察到的大多数故障的原因。

19 usb  buck  troubleshooting  failure 

是的，那是a句。（编辑：修复它...现在实际上是Haiku） 不，我不是在微笑。 我正在做一些标准测试；看看当我设计的PCB上的两个电源轨之一短路到GND时会发生什么。我们正在谈论的是由台式电源提供的12 V电源轨，以及一个单独的板载5 V降压转换器，该转换器为PCB上的另一个电源轨供电（我的ATmega328PB连接到该电源轨）。 12 V电源轨上有一堆DC桶形插孔，这些插孔将暴露给最终用户。因此，自然而然地，我决定将珠宝商的螺丝刀塞入其中的一个中，以进行短路测试。 瞧，我的ATmega328PB冒了点烟。 我认为这意味着发生以下事情之一： 示意图时间 这是与ATmega328PB的连接示意图： 以下是设计中所有与12 V电源轨（VBAT +电源轨）连接并控制GND电流返回路径的示意图： 这是桶形插孔和相关插孔检测引脚的示意图（请注意，这些引脚直接连接到ATmega328PB的某些引脚，没有串联电阻）： 短路计划 解决12 V电源轨上的短路的计划只是简单地关闭LOAD_FET N沟道FET，因为固件满足了以下两个逻辑条件之一： ADC以1 Hz的速率采样将检测过流情况，并使FET_LOAD开关停止导通，从而切断短路电流 为ATmega供电的电压将进入欠压状态，MCU将复位并将FET_LOAD开关初始化为“关”，从而切断短路电流 大烟 这是一个示波器探头，说明通过使用珠宝商的螺丝刀将Vbat +与GND短路到CH1上的Vbat +导轨（黄色）和CH2上的+5导轨（蓝色）时发生的情况（插入蓝色电缆），示波器探针。桶式千斤顶电路（我没有将螺丝起子插入插座中）由台式电源供电，该电源设置为12V @ 5 Amps： 在那之后，只要我给开发板加电，ATmega就会变得非常热，并且实际上是+ 5V输入和信号地之间的短路。我用热风对ATmega进行了拆焊，并测试了FET_LOAD N沟道FET是否被油炸。实际上，它已经失败了，以至于在将栅极电压施加到+5或信号地时，它不再完全关闭或打开，而是在两者之间的暮光区域中的某个地方工作。当在桶形插座中插入负载时，无论是“导通”还是“关断”，它在传导约200 mA电流时都会下降约2.3伏。 直觉 有一种预感，即由于FET被损坏，对ATmega造成损害的矢量可能是由高电压通过FET漏极传输到其栅极再到MCU所引起的。在较低的电压下为12V电源轨进行了一些后续测试。请注意，前三个图像基本相同，但峰值电流不同。一旦ATmega关闭（由于Vbat +轨上的电压崩溃），MCU提供的LOAD_GND_ENABLE信号（下面的蓝色）又变为低电平，从而切断了FET_LOAD开关。 传说： CH1 = Rshunt两端的电压（0.005 ohm） CH2 = LOAD_GND_ENABLE信号上的电压（连接到ATmega） 以6V供电的Vbat +： 以7V供电的Vbat +： 以8V供电的Vbat +： …

15 testing  failure  stress-testing  atmega328pb 

我的公司正在开发将用于商业冰柜的产品，因此老板要求我提供该产品的工作温度规格。我可以找到除PCB本身（只是普通的FR-4）以外的所有器件列出的“工作范围”温度。 Wikipedia有用地列出了“温度指数”（无论什么意思）为140°C，但没有最低温度的迹象。 我并不担心，因为我敢肯定主板上的其他组件将成为限制因素，但是为了完整起见，我希望将其列出。 有谁知道FR-4的最低工作温度？（故障模式将是什么？）

13 pcb  temperature  failure 

我想知道功率MOSFET是否因过热而失效，它通常会因开路或短路而燃烧吗？ 另外，过热损坏是否通常会导致栅极氧化物以低电阻（<100欧姆）熔断？

13 mosfet  temperature  failure 

我最近遇到了一种情况，我试图使用Energizer EN500修改的正弦波逆变器为Dell 180瓦交流适配器供电。为逆变器供电的电路为12伏，15安直流。交流适配器输入为100-240V〜2.34安培，50-60Hz，输出为19.5V，9.23安培。我无法在网上找到更多规格，但它是Dell部件号74X5J和Dell型号DA180PM111。 12伏* 15安= 180瓦，我（不正确吗？）假设适配器不一定一直都需要180瓦，而最坏的情况是如果保险丝试图消耗的瓦数比可以提供。但是，当我在阅读交流适配器上的输入时，我意识到，如果它确实可以在110伏特的电压下最大吸收2.34安培的电流，那将超过250瓦...？ 将逆变器连接到交流适配器时，将交流适配器插入逆变器时（指示已连接交流电源），交流适配器上的“电源指示灯”会亮起，然后将适配器连接至笔记本电脑时，它开始闪烁开和关。有一个USB电话充电器插入另一个直流电源插座，带有一个较小的“电源指示灯”，该指示灯也与AC适配器上的指示灯同时闪烁，同时熄灭。从那时起，即使插入家用交流电，此交流适配器也无法为笔记本电池充电。我不知道它要输出多少瓦，但它足以以严重降低的运行速度为笔记本电脑供电，并且电池根本无法充电。 看来这炸了我的AC适配器。尽管现在做修复适配器的一切为时已晚，但我想了解可能的原因。可能是由于逆变器发出了修正的正弦波吗？从网上查找后，修改后的正弦波几乎根本不像正弦波： 我在网上找到的所有内容都表明，笔记本电脑交流适配器在修改后的正弦波下应该可以正常工作。我曾与Dell核对过，他们建议我使用纯正弦波适配器，但是经过改进的正弦波适配器仍然可以使用，尽管我“正在考虑缩短交流适配器寿命的可能性”。确实缩短了寿命！ 还是故障可能是由于交流适配器试图提供比逆变器能够在12伏，15安直流电路上提供的电流更多的电流？我不会以为电源不足会杀死交流适配器...是吗？ 还是由于逆变器提供了修改后的正弦波，或者由于过大的电流需求而可能“开通”和“关断”这一事实的结合？在关于meta的主题性的问题中，DrFriedParts建议失败可能是由于输入钳位电路出现故障。如果AC适配器经历了快速的“开/关”循环次数，输入钳位电路是否更有可能发生故障？ 对此进行一些教育将影响我接下来的工作。在查看车辆的接线图时，我发现三个直流电源插座之一是20安培专用电路。我可以得到一个纯正弦波逆变器，并将其连接到20安培电路，从而提供“理论上”的240瓦最大输出。我知道实际上存在损耗，我不能指望逆变器会输出240瓦的电能。如果这次是电力不足的罪魁祸首，我不希望以同样的方式再次油炸我的备用交流适配器！但是，如果问题的根源是修正的正弦波，那么我可以使用更好的逆变器来解决。

12 power-supply  voltage  inverter  failure 

我负责维护具有ADC异常故障的卫星。本质上说，如果原始电压在一定范围内，它将在两个值之间来回切换。我正在获取原始计数，但是处理后的数据看起来像这样： 请注意，蓝线表示其他含义（本质上，软件正在尝试使红线与蓝线匹配）。 通常，步幅很小，从较大的方波上剩下的几个小凸起可以看出。但是，一旦跌落到该值以下，步幅将非常大。虽然我没有原始计数数据，但我确实知道它会反映在计数中。 我要了解的是此ADC如何发生故障。 我正在猜测以下内容，但我想对此想法进行一些分析： 在线性区域中，模拟电压的每变化量（增量v）都有一个计数值的变化。 在非线性区域中，模拟电压变化量为delta v时，计数跃变要大得多。 delta in in 2可能大于1，但比正常预测的小得多。 请记住，这是一颗卫星，因此我无法将其带回实验室进行测试。有什么想法吗？ 编辑：这是此类情节的原始计数（以较低的频率采样）。另外，ADC的额定空间约为15-20年，我手头上没有零件号，但是我看看是否可以得到。它可能在1993年左右，并且可能基于FPGA。据我所知，这个数字是374-421之间的差距（可能会减少一些数字）。二进制如下 374 101110110 421 110100101 我认为可能是ADC的部分原因是，存在多个具有相似间隙的传感器。我正在努力更好地对其进行量化，但这是一个示例图。注意，这些点是实际的测量值，并且这些线只是将相同数据点中的两个连接在一起。所有这些值均由同一ADC读取。 此外，以下是ADC在大约24小时内读取的每个值的列表。有很多行（总共约20条）。我相信这些差距代表了ADC或相关电路中的死区。此图中的y轴是ADC读取的输出值。每当您看到一条很大的垂直线似乎代表ADC无法记录值的区域。 ADC是ADC0808的一部分，模拟多路复用器的一部分是HCF4051BM1，至少从我可以找到的原理图中看。。。可能在某个时间点进行了更改。 编辑-更多更新：有3个模拟多路复用器馈入ADC。我想看看其中是否有一个问题，而其他情况则没有。对此没有太多证据，请参阅下文。这样的差距很多，我只是选择展示一个。 Count #tot #mux1 #mux2 #mux3 557 3360 1336 68 1956 558 252 128 4 120 577 684 292 4 388 578 964 480 8 476

12 adc  failure 

我最近开始在蚀刻PCB时遇到问题。 我使用永久性记号笔做迹，并将其蚀刻在不锈钢杯中，并用茶灯（小蜡烛）加热。 PCB的脱模效果非常差，走线上有孔，一些更细的走线已完全消失。 图片： 在删除标记BTW之前。 我之前也用砂纸打过木板。 这是我的设置，茶灯进入杯子下面的罐子中： 造成如此严重后果的原因是什么？ 我应该使用其他蚀刻剂吗？我在考虑氯化铁或醋（或漂白剂？）+过氧化物。

11 pcb  pcb-fabrication  failure  etching 

这个问题与AVR的解码本身有关。 项目信息： 我们有一个使用ATMEGA644P的电池供电产品。该应用程序永久以睡眠模式运行，并且仅每秒唤醒一次（RTC）或触发两个外部中断线之一。 该器件具有一个非常简单的引导加载程序，该引导加载程序通过UART（使用RS232接口IC）进行通信。它只是一种方便的方法来更新固件，因此不需要硬件ISP编程器。（引导加载程序需要校验和安全的电报） 该设备设计为具有内部掉电禁用功能，因为它使功耗加倍，并且必须延长电池寿命（我猜应该使用外部掉电检测-重新设计正在进行中）。 问题： 每隔一个月设备就会停止工作，这些设备上不会执行固件更新。但是，在进一步检查之后，这些设备的闪存内容似乎已损坏。此外，其中一些设备的电池仍然不错，但我不想排除某些欠压情况。 这是原始闪存内容（左）与损坏的内容（右）的比较： 一些观察： 损坏的块始终至少包含一个闪存页面（256字节），并且是页面对齐的。换句话说：仅影响整个页面，不影响单个字节。 损坏的内容大部分时间读为0xFF，但也可能包含其他值或完全是“随机”的。 图像左侧的小条显示了所有受影响的区域。对于此设备，它大约占闪存总内容的十分之一。 我们有一台只影响单个页面的设备。 完全有理由认为，在写入闪存时出现欠压情况会损坏闪存内容。但是，这意味着必须执行一些闪存敏感指令。 可能是由于欠压导致控制器随机重启，并且引导加载程序代码在此期间的行为完全不可预测。引用另一个论坛中有关欠电压的消息： “不仅会执行闪存中的随机指令，而且还会执行随机的指令周期（不能保证闪存中的代码会正确读取和解释）。与此同时，单片机的其他部分可能无法按设计运行，包括保护机制。” 问题： 您是否认为“电压不足并执行某些指令以更改闪存页面中的数据期间的随机行为” -解释是否合理？如果真是这样，为什么我们一直没有看到这种错误，只是一些软件问题（堆栈溢出，无效的指针）的原因。 您还有其他想法会导致这种腐败吗？这可能是由EMI / ESD引起的吗？

11 microcontroller  avr  atmega  flash  failure 

我正在修理洗碗机控制板，并诊断出继电器故障。其线圈仍在规格范围内，但是继电器不会闭合其触点。可以轻松解决，但我的问题与另一个主题有关。 真正引起我注意的是继电器包装的物理方面。正如您在下面的图像中看到的那样，它的黑色标记擦除了其丝网印刷的一部分，并刺破了其中心圆。 董事会上的所有其他人员都是这样的： 您可能已经注意到，这是在板上不同星期（第29位而不是第32位）生产的唯一继电器。我的问题如下：继电器上的黑标和刺破是否表示制造过程中发生的动作，还是正常的故障模式？ 编辑：根据Dwayne的要求，我打开了继电器盖： 显然，底部接触不能达到较高的接触，这可能表明腐蚀，如Dwayne所建议的。有一个简短的视频显示了开机模式下零件的运动： https://youtu.be/8EBsf52iyrk

10 relay  failure  mode 

我们刚刚退回了3台设备，这些设备可能无意间经过了伽马射线灭菌过程。该设备是一种低功耗嵌入式设备，由一个16位微控制器，一个外围FLASH存储器和一个由锂电池支持的SRAM组成。设备似乎完全没电了。 伽马射线对嵌入式设备可能产生什么影响？闪存损坏？电路退化？组件故障？ 更多信息： 该设备是我们制造的三台浊度仪，使用昂贵的COTS记录仪作为大脑。这些仪器连同一些沉积物样本从海外寄回给我们。海关/检疫部门决定他们要对沉积物样本进行消毒，我认为他们也必须对这些仪器进行检查。

10 failure  radiation 

最近，我一直在准备生产一种全线专用MLCC电容器的产品。它集成了使用它们的板载降压转换器，并且MLCC也用于本地去耦。 我的原型包括使用热板的“躲避式”回流技术。通常，在执行此操作后的10％的时间里，我发现板上的MLCC短路了，通常是因为通电后，帽会冒烟。 但是，就在此时，我正在用烙铁替换其中一个盖子，并且在替换后仍然短路了。我确认板上没有其他短路（因为移除3.3V时会显示几欧姆的电阻。）看来，焊接盖帽的简单操作已导致其失效。 我最近还修理了液晶显示器，该液晶显示器的T-con板上的MLCC短路，在一个受欢迎的论坛上的其他一些用户则报告此问题出奇的普遍。现在，在这种情况下，显示器会变热或变热，但又没有烙铁那么热-那么为什么这些显示器会出现故障？ 我计划为这些主板提供5年或更长时间的保修，但只有在我确信该主板能够在正常条件下生存时，我才能这样做。 上限为0603（100n，10u 6.3V），0805（22u 6.3V）和1206（10u 35V）。都是X5R或X7R。晶振有一些18pF的电容，但我从未见过失败-我怀疑它们是与MLCC不同的技术。

10 capacitor  surface-mount  reliability  failure 

我连接了下面的电路，一个晶体管点火电路，它工作了几分钟，然后停止工作（发动机退出了，不会重启）。当它停止工作时，我感觉不到板上明显过热的任何东西，也没有观察到任何烟雾。 我将电路板带入实验室，将其​​连接至电源，并测试了断路器开关打开和闭合的各个节点上的电压。我用20欧姆负载代替了线圈。 我发现，当点开关打开时，TIP31正确导通，使得（BJT的集电极电压/ IGBT的栅极电压）并且Q1的基极电压= .63V，因此TIP31似乎工作正常。IGBT应该在0.02V的栅极电压下处于“关断”状态，但是我正在测量20欧姆负载电阻两端的4.3V压降（代替示意图中的线圈），这意味着IGBT处于导通状态.21A负载为20ohm。VC= .02 伏Vc=.02VV_c=.02V 我只能推测为什么IGBT会失败，我希望有经验的人可以给我一个更好的主意。我了解到IGBT非常适合电感负载切换。我是否选择了不适合该应用的IGBT？难道是我刚注意到过热和烧毁了吗？最重要的是，导通不良是IGBT的典型故障模式吗？ 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

10 failure  igbt 

它是家用设备（例如灯泡）的通用规范。但是，我无法弄清楚如果不在指定的时间内运行设备，您将如何真正评估/证明此类索赔。 考虑一个据说使用寿命为9000小时的灯泡。如果要对此进行测试，我想真正进行测量的唯一方法就是让灯泡运行9000个小时，大约一年！ 如果一年的时间不够长，请考虑额定使用50,000小时的某些LED灯泡！ 显然，长时间进行测试是不可行的。所以我想我在问；这些主张是基于什么依据？ 可能的一种测试方法是在高于正常运行条件的条件下对组件施加压力，以使它更快地燃尽，然后以某种方式基于测量结果创建预测。或者，也许要在一段时间内（短时间内）运行组件，并测量其劣化/老化程度，并以此来进行预测。

9 components  failure  lifetime 

不久前，我们从一家中国制造商那里购买了许多不锈钢信息亭键盘，并且发现异常故障率很高（约30％）。成群的钥匙停止工作。我将其中的几个分开，并将问题归结为电镀失败的通孔/过孔。我一直在通过将细电线穿过孔并将其直接焊接到两侧的走线或焊盘上来进行维修。照片显示了当我将它们拉开时的样子： 鉴于此信息，我有两个问题： 这些怎么了？关于它们为何失败的任何理论？我们可以采取什么措施来防止这种情况发生？ 我前面提到的维修方法是否合适？有没有更好的方法或我应该考虑的任何具体问题？ 作为后续措施，我们最终发现自助服务亭的屏幕盖未正确密封，喷洒在塑料上的清洁剂渗入机壳，从键盘安装支架的内部向下流进外壳。键盘本身。如果通孔密封得不够好，清洁剂会腐蚀通孔中的铜。正确密封外壳后，我们发现它们的性能要好得多，故障少得多。

9 pcb  failure  through-hole