MOSFET通常会打开还是关闭燃烧？

我想知道功率MOSFET是否因过热而失效，它通常会因开路或短路而燃烧吗？

另外，过热损坏是否通常会导致栅极氧化物以低电阻（<100欧姆）熔断？

假设我的回答正确，那我的直觉是错误的。简短的答案是，我希望MOSFET由于过热条件而无法正常工作。

这篇维基百科文章建议：

漏极至源极电阻增加。它是在高温设备中观察到的，它是由金属-半导体相互作用，栅极下沉和欧姆接触退化引起的。

...至少在单片微波集成电路中，但该术语似乎与MOSFET一致...

这另一篇文章也表明，它会失效开放，但对于不同的（从根本上机械）的原因：

究竟发生什么取决于功率有多大。这可能是持续的烹饪。在这种情况下，MOSFET变得很热，以至于实际上无法自行焊接。在高电流下，大多数MOSFET加热都在引线中-可以很容易地自行焊接，而MOSFET不会失效！如果芯片中产生热量，则它会变热-但其最高温度通常不受硅限制，但受制造限制。硅芯片通过软焊料粘结到基板上，很容易熔化它，并使它渗入环氧树脂和主体金属之间，形成焊滴。这可能不会破坏芯片！

通常，MOSFET首先会短路故障。这是因为过多的热量将通过扩散将掺杂剂充分混合，以产生良好的导体，而不是原来存在的pn或np势垒。通常，栅极氧化物也会被带入扩散区，导致三个端子之间短路。

只有在第一种故障模式之后的短路电流足够大，以致使接合线或整个晶体管烧断时，才存在开路。

栅极至漏极短路是一种非常常见且易于测试的故障模式。这通常是很短的时间或10欧姆。以这种方式失败的Mosfet也会破坏任何驱动它们的集成电路。当怀疑死了的mosfet时，这是我首先要寻找的东西。