我不太了解这个FET-BJT前置放大器电路

我在驻极体麦克风前置放大器上经常看到此电路，但我不太了解。FET用作公共源放大器，因此它具有增益，反相和相对较高的输出阻抗。因此，在缓冲区后面跟随它会很有意义。

BJT是常见的收集器 /发射器跟随器，因此它似乎只是一个缓冲区，对吗？这将是同相的，具有接近单位的电压增益，并且具有低输出阻抗，可以在不降低性能的情况下驱动其他器件。来自FET的电压信号通过电容器传递到BJT的基极，然后在此处进行缓冲并显示在BJT的输出中。

我不明白的是为什么FET的漏极电阻器连接到BJT 的输出，而不是电源。这是某种反馈吗？这不是正面的反馈吗？（随着FET的输出电压的增加，它会通过电容将基极电压向上推动，然后将其从BJT向上推动输出电压，然后将其向上拉动FET电压，依此类推。）

与这种电路相比，它有什么优势？

这是交易。该电容器在BJT基极-发射极+电阻组合两端提供高频恒定电压。这会导致流过BJT和电阻的电流相当恒定，并具有较高的阻抗Z，该阻抗Z可能主要由BJT基极电阻Rb决定。FET具有高跨导（gm = Iout / Vin），净增益为gm *Z。这是FET漏源两端的电压。BJE发射极电阻两端具有恒定电压，因此要加上一个偏置电压。恒定电流允许BJT充当低阻抗输出缓冲器（= Rb / beta）。

流过BJT的电流（即从集电极到发射极）将等于流入基极的电流乘以晶体管的放大倍数。

I_ce = beta * I_b

...如果我的记忆正确地为我服务。另一方面，通常可以将FET视为“开”（允许电流流动）或“关”（防止电流流动）。如果FET处于“关闭”状态，则不会有电流流到地面，也不会有电流流过BJT（或者相反，会有任何电流流向地面。电容器会提供一条接地路径（将电流从基极吸走）对于“高频”信号，电容器的阻抗与信号频率和电容的乘积成比例地降低。

Z_cap = -j * omega * C
|Z_cap| = omega * C = 2 * pi * f * C

我想这并不是对这个问题的真正答案，但这是我从“基本原则”中所记得的。

我不明白的是为什么FET的漏极电阻器连接到BJT的输出，而不是电源。

通常，您指的电阻不是漏极电阻。 如果输出是从漏极获取的，那么BJT和各种电路可被认为是有功负载。您可以用较小的信号等效电阻替换FET上方的整个电路。

$R_B$$R_E$

$R_{td} = R_B || \frac{r_e||R_E + r_0}{1 - \alpha \frac{R_E}{r_e + R_E}} \approx R_B$

$R_B$

$R_B$

$I_D = 100\mu A$

$30k \Omega$$V_D > 0$

$R_B$$I_B = \frac{I_D}{1 + \beta}$$R_B$$30k \Omega$

当然，如果输出是从漏极获取的，则我们将具有非常高的输出阻抗。但是，我们要从发射器节点获取输出。那里的电压增益仅略低于漏极处：

$v_{out} = v_d \frac{r_o}{r_o + r_e||R_E} \approx v_d \frac{r_o}{r_o + r_e} = v_d\frac{V_A}{V_A + \alpha V_T} \approx v_d$

$V_A$$V_T$$25mV$

但是，观察输出节点的电阻远小于观察漏极节点的电阻：

$r_{out} \approx r_e||R_E + R_B(1-g_mr_e||R_E) = r_e||R_E + R_B(1-\frac{\alpha R_E}{r_e + R_E})$

因此，与第二电路相比，第一电路提供了更高的电压增益，但输出电阻却更高。

该电路通常称为并联稳压推挽（SRPP）。通常，它是使用电子管实现的。

在替代电路中，输出发射极跟随器以A类运行，并依靠发射极电阻器下拉输出以获得负向信号。这可能会导致失真，尤其是在负载具有较大电容的情况下。

使用SRPP时，当输出变为负值时，FET通过BJT发射极电阻将输出拉低，而BJT被通过电容器耦合至其基极的信号关闭时，这将使电路将输出驱动至接近BJT甚至可以完全切断地面。

挺有趣的。BJT基极的偏置电阻必须足够高，这一点很重要。如果与第二张图中的漏极电阻几乎相同，那么在仿真中您将不会获得任何好处。如果偏置电阻足够高，则BJT是电压跟随器。这意味着在交流电中，BJT基极的漏极电压相同，而发射极的漏极电压几乎相等。但这意味着发射极电阻上将没有交流电流，这两个连接的交流电位相同。亲爱的它是一种自举连接，它使FET的漏极阻抗非常高，与第二个版本相比，增加了系统的放大倍数。有趣的是，发射极的输出提供低输出阻抗，但漏极的输出与跨导放大器一样，