通常情况是3.或5。
您尚未定义案例5 :-)
74HC14:使用施密特触发器的门极几乎可以肯定会发生振荡。
假定Vin-out最初=低=0。
当输入= 0时,输出将转换为1。
这样做的时间是门的传播延迟(通常为ns,取决于类型)。
当输出开始变高时,变化率将为受的负荷。
在此,负载是栅极输入电容+经由栅极输出电阻和任何布线电阻从动任何杂散布线电容。
Cin_gate是在数据片并可能为10pF(与家人而异)的顺序。
在PCB布线电容会很低。
在这种情况下,串联电感也可能会产生很小的影响,但通常会很小到可忽略不计。输出电阻随栅极类型而变化很大。
非常接近Rout_effective = V / I = Vout / Iout_max。
例如,如果dd = 5V,Iout max = 20 mA,则Rout ~~~ = 5 / .020 = 250欧姆。这是非常动态的,但是给出了一个想法。
当Vout = 1通过Rseries + Rout将Cin驱动到高电平时,门将看到VIn = 1并开始切换到Vo =0。在传播延迟之后,输出开始下降。
因此,它继续。
74HC04:当使用非施密特触发器的门时,上述机制可能会产生振荡,但门极有可能在Vin-Vout约为一半电源时稳定为线性模式。
内部晶体管开关对(通常在大多数情况下希望达到高输出或低输出)可以保持在中间状态。这可能会导致高电流消耗,并可能导致IC损坏,但也可能不会。
作为指导:
74HC04变频器数据表 传播延迟~~ = 20 ns
74HC14变频器数据表 传播延迟~~ = 35 ns
74HC14的传播延迟比74HC04的传播延迟大50%,但施密特触发器输入门磁滞的滞后电压Vin上升时间稍长,因此可能意味着施密特触发器门的整体延迟约为两倍。
如果Cin = 10 pF且Rout = 250 Ohms,则Vout驱动Cin = t = RC = 250 x 10E-12
~~ = 3E-9 = 3 ns 的时间常数。
下面用“ /”分隔的数字对是针对74HC04 / 74HC14的,因为传播延迟〜= 20/40 ns('04 / '14)(请参见74HC04数据表中的图6),然后总时间由低到高和由低到高因为1个振荡周期可能是50/100 ns,所以建议在20/10 Mhz附近振荡。实际上,这对于74HC14来说可能感觉“有点高”,但是在5V时没有其他负载的情况下,MHz范围内的振荡很可能会发生。74HC04可能不会振荡,但如果振荡,可能会以更高的频率振荡。
注意:由于较长的传播延迟以及高低阈值是由滞后电压定义和分隔的,因此施密特栅极将以较低的频率振荡-因此Cin的充电时间略长。如果非施密特门振荡,则可能会振荡得更高,但更可能进入线性模式-可能会叠加低振幅振荡。
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里面有什么?:
Mario展示了一个简单的逆变器(例如74C04)的概念图。这些是最早的CMOS门之一-但低输出驱动器正在“烦人”,并且具有更多驱动器的缓冲门很快就到了。为了获得额外的电流驱动,它们具有与输入级分开的高电流输出级。由于它们都反相,因此总的结果不是反相器,因此他们添加了第三个反相级以获得整体反相。最终结果是外部“逆变器”,半模拟驱动时出现未知事件的黑匣子。
对于74HC04,下图如下图所示。
Fairchild和
TI以及
NXP 数据表
BUT
ON-Semi所示,
只是有所不同,使第二级成为具有反相输入的缓冲器。在逻辑上,结果是相同的。因此,总的来说,不能保证以半模拟方式运行时会发生什么。
74HC04中的6个逆变器:
请注意,这仅适用于一个基于CMOS的版本-还有许多其他CMOS版本。
CMOS是最常用的但原始的TTL,LSTTL,STTL。ECL等。