我正在研究一种正在测试通过FCC B部分（CSRR 22）排放的设备。该设备在一个角度和极化（垂直）下发生故障，因为它的发射在100-200Mhz范围内，超过了阈值。

测试结果显示在145Mhz和128Mhz处有两个特征峰。宽带噪声的一种来源是振铃。振铃具有多个谐波分量。

问题

PCB具有2个开关模式电源（SMPS），它们是Semtec TS30011 / 12/13系列芯片。（资料表）仔细检查后，功率输出上有振铃（在电感级之前），SMPS 1的振铃频率为145MHz，而SMPS2的振铃频率为128Mhz。值得注意的是，它们承受的负载不同。它们的原理图是相同的，其布局有些不同，但80％相同。

1. 我必须采用哪些布局选项来降低EMI噪声？
2. 我正在忙于调整进入电感器的走线厚度以减少杂散电容

请注意，在布局中看不到GND浇注，将所有Caps很好地绑在一起

我不知道如何调整滤波器组件以减少振铃。

测试结果（3M，垂直方向）

原理图和布局1

可以通过将铁氧体磁芯放置在设备的电源电缆上来解决此问题，但是由于各种成本和美学原因，这不是最佳解决方案。

电感器前测量

两个SMPS彼此相邻的布局

所有关于GND的参考都是隐藏的，下面的电源层为Vin提供5-12V的电压，它们各自固定为输出3V3

交换节点很短，这是一件好事。但是我不了解到电感走线上的存根，您应该删除它们以及两个额外的GND通孔。这不是很有用。

即使有GND层，我也不会使橙色平面进入电感器下方。对L1和L2进行相同的操作，但在电感器下不做任何操作。您将避免任何耦合。

我真的认为输出电容器太高。Semtech建议的典型值为44µF，而您的值为200µF。尝试卸下150µF电容器。

另外，尝试增加C11，C62和C10，C42的GND通孔，每个至少有2个GND通孔，因为如果您有3A电流，它将仅流过2个GND通孔，但流过6个电源通孔。与C4去耦电容相同，请尝试至少2个GND通孔。

编辑：我真的不明白在SMPS末尾使用铁氧体磁珠和缓冲器的情况。FB通常用于防止电源轨将噪声带回到主电源轨，例如PLL电源轨。但是，主电感之后的电压应在噪声容限之内，尤其是对于3.3V电源轨而言。

您可能由于未正确使用FB而产生振铃，请在此Analog Devices的论文中查看LC谐振频率：http : //www.analog.com/zh_CN/analog-dialogue/articles/ferrite-beads-demystified.html

该设计在开关边缘具有经典的振铃音。产生振铃的典型原因是开关晶体管中的寄生电感，它们与其他寄生电容一起形成寄生振荡电路。振铃是由开关沿过快引起的。Richtek提供了一个很好的应用笔记045，其中包含有关如何减少或消除该问题的几个技巧。

正如我还看到的，制造商的参考原理图（和测试板）包括一个“捕获”（肖特基）二极管，该二极管在设计中没有。二极管寄生效应可以帮助稳定/抑制开关侧的振铃（即使二极管是同步转换器的可选器件）。

澄清：SEMTECH制造商的参考设计在其测试/演示板上使用了“可选的” PMED4030ER，115二极管，该二极管在1 V时具有250 pF的寄生电容。Richtek关于RC缓冲器的应用笔记045达到RC约为330pF / 9欧姆抑制振铃。因此，二极管很有可能同时提高开关效率和减少振铃。