有什么方法可以提高电压倍增器?


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我正在使用Nixie电源,但我想对其进行改进。

  • 我有4x9V串联电池,可以通过一个乘法器切换总共36V的电压。
  • (TTL)555定时器仅从第一9V电池运行非稳态,以产生8.5肥胖型伏方波,10kHz时(要或任何频率,我想),大约 50%的关税。
  • 555输出驱动N沟道BS170 MOSFET的栅极
  • MOSFET漏极通过一个大约1.2KΩ电阻连接高达36V。该电阻必须尽可能低,以将电流推入:
  • 一个6级Cockcroft-Walton乘法器,它在无负载时产生一个不错的〜220VDC输出。不幸的是,当与管串联的47kΩ电阻加载时,它下降到约155VDC。

原理图

由36V乘法器驱动的IN-14

我喜欢这个电路的事情:

  • 它有效™
  • 它可以由我可能手头上非常普通的部分构建,例如:
  • 它不需要电感器。
  • 它不需要诸如升压转换器之类的专用IC。
  • 它仅需要具有额定电压的电容器和二极管来处理每个阶段,而不需要整个射流。
  • 它使Multisim崩溃。

我对此电路不满意:

  • 在〜600μA的负载下,输出电压下降至〜155VDC。
  • 我太愚蠢,无法想到在乘法器上切换36V的更好方法:
  • 555定时器输出为高电平时,我在漏极电阻上浪费了超过1W的功率,只是为了驱动乘法器。
  • 乘法器输入电压受到漏极电阻的阻碍。

我怎么能够:

  • 进行改进,使电源输出下降不到40V时可提供约10mA的电流?

我试过了:

  • 用如下所示替换MOSFET驱动器部分:

原理图

模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

我举杯尝试了这个逆变器。如图所示,逆变器的栅极被10kΩ电阻上拉至36V。栅极充电时间可能是破坏晶体管的原因吗?

编辑:我刚刚意识到,两个逆变器FET上栅极-源极电压的最大额定值为±20V。那可以解释为什么他们炸了。嗯,也许我可以制作一个分压器来分别驱动每个栅极,而不是单个10kΩ?

由于这些原因,仅在需要相对较低的输出电流的情况下才使用具有多个级的CW乘法器。这些影响可以通过在下部增加电容,通过增加输入功率的频率以及使用具有方波或三角波的交流电源来部分补偿。

我怀疑更有效地在乘法器上切换36V电压对改善性能大有帮助。

编辑/摘要:更有效地在乘法器上切换36V,对于改善性能大有帮助。正如几个人所建议的,这里所谓的“推拉”是一种快速解决方案。具有单独驱动的栅极的CMOS反相器使电荷泵更加有效:

555通过推挽更有效地切换36V

现在,在装入两个电子管时,电源电压约为216VDC,这是一个巨大的改进:

支持更大的负载


您可能将推/拉配置中的两个FET短路了。稍后将同时打开这两个设备并进行直射。
Wesley Lee

@WesleyLee我认为这是因为我正在以超过其绝对最大额定值两倍的电压驱动栅极,但我认为即使它能够处理这些电压,您也是对的。就像我在OP中所说的,10kΩ 电阻可能对栅极充电太慢,从而导致过多的直通。
Yankee

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卫斯理是对的。仅限制栅极驱动器是行不通的。假设每个Vgs(on)为5V,这是除最古老的FET以外的所有器件的较高端。这在两个 FET都打开的第一个信号上留下25V的范围。那是很多短路。具有功率功能的这种驱动FET需要一定的驱动信号死区时间,可能需要几到几十微秒。
Asmyldof

1
另请注意,在2〜5mA以上的输出电压下,电池可能会开始显着抵抗所需的峰值电流,这仍然会导致输出电压下降,这是因为这类电池在处理体面的电流方面非常糟糕。
Asmyldof

Answers:


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您需要从第一个原理图中去除Rd,并像第二个原理图一样使用低阻抗推挽输出。但是,正如您正确地说的那样,36v将烘烤20v Vgs FET的栅极。Vgsmax大于20v的Fet很少,而据我所知,大于30v的Fet没有。

其中的选项是使用

a)合适的电平转换器来控制FET栅极,较小的双极晶体管在这里可以很好地工作
b)栅极驱动变压器(尽管通常仅用于更高功率的应用)
c)两节电池的18v推挽驱动大约如何,但在像这样拉...

原理图

模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

我在这里说明了4个阶段,显然可以扩展到更多阶段。

现在,我还没有连接上电容器。有两种选择

a)您受到最大电压的限制。在这里,您将C5连接到D1 / D2结。这样可以在每个电容器上施加低电压,但会导致高输出阻抗。虽然由Greinacher发明,但也称为Villard级联。

b)Dickson电荷泵探针,这导致低得多的输出阻抗。C5连接回C2的从动端。这意味着C5需要更高的额定电压,但是如果您可以廉价地获得具有合适额定电压的电容,那么通常可获得250v甚至400v的电容,那么这种配置的电流电压降会低得多。


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我在设计中使用了进一步的改进,但未在原理图中进行说明。就像在您的原理图中一样,我将乘数设为地,因此将D1置于地。相反,如果将这一点带到电压轨上,那么您将免费获得整个电压轨的额外输出电压。输出阻抗-Cockroft Walton随着级数的平方增加而增加,我的“回到驱动器的所有上限”配置仅随级数线性增加,对于大量级数而言节省了很多。
Neil_UK

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从该页面开始,这就是驱动MOSFET推挽的方法-talkelectronics.com/projects/MOSFET/images/PushPull_12v.gif。使用音频放大器版本(带有“二极管链”的版本)过于复杂,无法满足其他要求。
Neil_UK

1
从一个考特沃顿饭店开始,专心研究一下二极管链。现在,将底部连接至地面(或将导轨连接至自由的一轨式支腿),并将顶部连接至输出。现在注意,备用节点是反相驱动的。现在断开每个电容器的“驱动”端,然后将它们分成两组。现在以相反的相位驱动两组,该相位可以像最初的考特沃特-沃尔顿一样被接地并产生一个交流信号,或者可以是两个反相的交流信号,使您的轨道电压摆幅提高两倍。
Neil_UK

1
您不必使用BJT,可以使用FET。但是,小型FET容易爆炸,并且在许多方面,BJT易于对电平转换器之类的器件进行偏置。找到名字“ Dickson multiplier”做得很好,这正是我所想到的。
Neil_UK

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任何时候都乐意提供帮助。这是我们用来制作微型Dickson乘法器,两个通道,高压非常高电流的驱动输出,易于逻辑驱动且很小的东西。maximintegrated.com/en/products/power/power-switching / ...如果您认为有用,请接受答案
Neil_UK

2

RD36V

但是请确保

  • VDS,max
  • ID,max

我很欣赏使用电感器的解决方案,但手头上没有任何东西。谢谢您的回答!
Yankee

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@Yankee:提示:如果您的紧凑型荧光灯坏了,您可以从隐藏在塑料插座中的电子元件中得到一个适合您目的的好电感器(电感器可能不是损坏的部分);确保不要打破玻璃管。电感值可能在几mH的范围内。看到这张图片中的感应器标记为“ 3.5mH”
Curd

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棒极了。如果有需要,我一定会牢记这一点。las,我公寓里的所有灯都是LED!
杨基

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门上的36 V电压会损坏设备。您需要找到合适的MOSFET驱动电路。

|VGSS|<20 V

R13.3 kΩ


推挽式就是我的选择,它确实奏效了。很抱歉没有选择您的答案,我和一位帮助我了解什么是推挽的人一起去了,因为在今天之前我从未见过如此。谢谢你的回答。
Yankee

@Yankee我建议使用普通的双极晶体管而不是MOSFET进行推挽。(没问题:-)
skvery

在涉及放大器的情况之外,为什么通常使用BJT而不是FET进行推挽?@Neil_UK稍微解释一下,“没有必要使用BJT,但是FET可能会以意想不到的方式发生故障,并且BJT可能更容易产生偏差。” 还有其他原因为什么与仅使用其他FET相比,应该首选BJT在FET的栅极上放置和去除电荷吗?我只是觉得很奇怪,在学习“推挽”时,我什至没有找到一个用来驱动其他FET的FET的例子。
Yankee

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作为电压倍增器,其电流输出与电压输出成反比。因此,要增加电流输出,您有两种选择,而无需不影响拓扑结构:

1)增加驱动电流:555可以输出200ma,bs170可以输出数ma。您可以尝试使用发射器跟随器作为缓冲区;或专用的驱动程序;

2)提高驱动电压:以最高电压运行整个设备;

如果我是您,我会先尝试直接用555驱动乘法器。如果无法提供足够的电流,请考虑采用另一种方法,例如升压转换器。


我首先尝试从555直接驱动乘法器。问题不是555的电流输出能力,而是最大输出电压。我在乘法器中需要太多级,却从未达到200V。在大约第15级大声笑之后,电压实际上开始回落。
Yankee

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您使用哪种电池?9V电池的内部电阻可能会很高。我认为普通的碱性只能提供3安培的电流。在不考虑电路中任何损耗的情况下,输出的36V * 3A / 220V约为500mA。我认为充电电池的性能会更好。


这些只是磨房的9V电池而已。对于一般用例来说,这可能是一个问题,但是在我的特定情况下,我从乘法器末端汲取的电流要小于20mA。
Yankee
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