Questions tagged «multiplier»

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有什么方法可以提高电压倍增器?
我正在使用Nixie电源,但我想对其进行改进。 我有4x9V串联电池,可以通过一个乘法器切换总共36V的电压。 甲(TTL)555定时器仅从第一9V电池运行非稳态,以产生8.5肥胖型伏方波,10kHz时(要或任何频率,我想),大约 50%的关税。 555输出驱动N沟道BS170 MOSFET的栅极。 的MOSFET漏极通过一个大约1.2KΩ电阻连接高达36V。该电阻必须尽可能低,以将电流推入: 一个6级Cockcroft-Walton乘法器,它在无负载时产生一个不错的〜220VDC输出。不幸的是,当与管串联的47kΩ电阻加载时,它下降到约155VDC。 我喜欢这个电路的事情: 它有效™ 它可以由我可能手头上非常普通的部分构建,例如: 它不需要电感器。 它不需要诸如升压转换器之类的专用IC。 它仅需要具有额定电压的电容器和二极管来处理每个阶段,而不需要整个射流。 它使Multisim崩溃。 我对此电路不满意: 在〜600μA的负载下,输出电压下降至〜155VDC。 我太愚蠢,无法想到在乘法器上切换36V的更好方法: 555定时器输出为高电平时,我在漏极电阻上浪费了超过1W的功率,只是为了驱动乘法器。 乘法器输入电压受到漏极电阻的阻碍。 我怎么能够: 进行改进,使电源输出下降不到40V时可提供约10mA的电流? 我试过了: 用如下所示替换MOSFET驱动器部分: 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我举杯尝试了这个逆变器。如图所示,逆变器的栅极被10kΩ电阻上拉至36V。栅极充电时间可能是破坏晶体管的原因吗? 编辑:我刚刚意识到,两个逆变器FET上栅极-源极电压的最大额定值为±20V。那可以解释为什么他们炸了。嗯,也许我可以制作一个分压器来分别驱动每个栅极,而不是单个10kΩ? 阅读有关改进方法的Wikipedia文章: 由于这些原因,仅在需要相对较低的输出电流的情况下才使用具有多个级的CW乘法器。这些影响可以通过在下部增加电容,通过增加输入功率的频率以及使用具有方波或三角波的交流电源来部分补偿。 研究其他流行的Nixie电源设计,例如这些。 我怀疑更有效地在乘法器上切换36V电压对改善性能大有帮助。 编辑/摘要:更有效地在乘法器上切换36V,对于改善性能大有帮助。正如几个人所建议的,这里所谓的“推拉”是一种快速解决方案。具有单独驱动的栅极的CMOS反相器使电荷泵更加有效: 现在,在装入两个电子管时,电源电压约为216VDC,这是一个巨大的改进:

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模拟模拟乘法,是混合CPU的一部分(很有趣)
简短版:如何制作一个带两个模拟直流输入的模拟乘法器? 长版: 我发表了评论,向本·埃德斯(Beat Eaters)的视频推荐了另一个问题,但这样做的时候,我最终还是再次观看了一些内容,然后对自己说:“ 嗯……我想知道将某些部分制作成纯粹的模拟会更容易 ”。 总线可能只是一条导线,之后不同的电压电平将通过ADC转换为位。 只是弄乱了一点,我走了这么远,理论上可以计算出斐波那契数: 图1,计算第一个斐波那契数的混合计算机的小型演示 链接到模拟器。 在上面的gif文件中,我超出了电压范围,因此很容易看到斐波那契数,实际上我只使用250 mV =二进制1(“设定值”处的LSB),然后使其传播通过每个电容器可容纳4位的DRAM。 要在gif中查看的重要部分是“ a + b”文本右侧的运算放大器的输出,其中显示了斐波那契数。 在每次操作之间,我将先使用ADC再加上DAC来量化答案。因此,如果我要读取1.1V,则DAC会将其转换为1.0V,然后将其存储在DRAM中。然后每个X时钟一次,整个DRAM将必须经过量化器以确保电容器不会浮动。 ALU只能执行+,-和平均。我当时正在考虑进行乘法运算,但后来停了下来。我之前已经制作并看过基于二极管的乘法器,但是我不想使用它们,因为二极管必须匹配。我宁愿使用可以用电位器修整的电阻。w,我想出了一个混合乘法器,一半模拟,一半数字。 因此,我首次在各地使用相同的电阻器。 图2,数字和模拟值之间的天真乘数。数字值偏移1。 然后我用二进制权重将其转换为: 图3,二进制加权数字和模拟值之间的幼稚乘数。数字值偏移1。 这让我想起了R2 / R梯形图,但是我无法使其与运放一起工作。 但是,我想到了R2 / R梯子的工作原理,并且想起了它们的输出乘以它们的电压源。所以我终于想到了这个设计: 图4,二进制加权数字和模拟值之间基于R2 / R的乘数 我喜欢它,但是唯一的问题是总线是模拟的,只有一根线。因此,如果我不得不使用上面图4中的解决方案,那么就不得不在混合CPU的乘法区域使用另一个ADC。我不能在量化器区域重复使用那个。 提问时间: 我应该如何制作一个需要两个模拟输入的乘法器? 我不希望基于3个二极管和4个运算放大器的解决方案,因为您无法修整二极管。我的信念是,如果它们不匹配,那么它们给出的答案将超过250 mV。我还没有在现实世界中尝试过。 我已经试过在这个词上方一英寸处的链接中基于MOS的乘法器,但是我不知道自己是否傻。我无法在模拟器中使用它。有关MOS实施失败的信息,请参见下面的gif。或单击此链接进行仿真。 我并不想在这个问题抛出一个微控制器。 我不希望使用的电机旋转和使用一些诡计。 Ë- Ť[R çË-Ť[RCe^{\frac{-t}{RC}} 424= 0.25424=0.25\frac{4}{2^4}=0.25 乘法完成后,将带到量化器以确保该值尽可能接近二进制值。所以小的错误是可以的。 这是显示我无法制作基于MOS的失败的gif: 图5,我从上面的Wiki链接复制了原理图,但是它在模拟器中不起作用。 如果可以的话,那么当我将参考电压从5 V更改为-5 …
10 analog  cpu  multiplier 

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电压倍增器计算
我想制作一个电压倍增器来获得高压,我知道您必须输入交流电才能正常工作,并且直流电会消失。我也知道,乘法器由电容器和二极管组成。 我不明白的是如何计算使用的电容器尺寸。我经常看到10nF的值。但是这样做有什么用,您可以使用其他值吗?它有什么作用?是否有用于电压倍增器的方程式,甚至用于计算总输出电压?假设我想做一个倍压器开始。我会用10nF吗?

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设计一个简单的ALU
我需要设计一个具有两个8位输入A和B以及控制输入x,y和z的ALU,它们支持以下操作: x y z | operation 0 0 0 | S = A-B 0 0 1 | S = A+B 0 1 0 | S = A*8 0 1 1 | S = A/8 1 0 0 | S = A NAND B (bitwise) 1 0 1 | S = …
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