还在学习，但是这个问题困扰着我。我终于了解了触发器的工作原理，以及如何将其用于维护移位寄存器等。
从维基页面：“ SRAM中的每个位都存储在四个晶体管中”
为什么是四个？SRAM是一系列正确的闩锁（或触发器）吗？......触发器只有两个晶体管正确吗？除非我困惑我可能是谁？
我当然看过触发器的原理图（使用NAND门等）？但是，NAND门需要一个以上的晶体管来构建，但是我已经看到只有2个晶体管的示例触发器（使用LED）吗？
如您所言，我有点困惑。SRAM表示它需要4个晶体管来存储一个位……但是，我已经看到2个晶体管存储了一个状态（我想这可以认为是一个位）和NAND门触发器（肯定需要超过1个）晶体管来做一个与非门？
我想到了普通的双极结型晶体管，进一步阅读看来，“大多数” SRAM使用的是FET。
Answers:
您必须将晶体管和栅极分开。
四个晶体管可以存储一点数据。如果要使用几个门，则至少需要8个门。（一个2输入NAND门由4个晶体管组成。）SRAM单元基本上是两个背靠背连接的反相器，因此它们保持电平不变。其他还活着。一个反相器由2个晶体管组成，所以总共4个。
实际上，甚至可以使用更少的硬件来存储位，这就是DRAM的作用：它将位作为电压电平存储在电容器中。这意味着与SRAM相比，在平方毫米的DRAM中可以获得更多的数据。不幸的是，电容器电压会泄漏掉，因此必须不断刷新DRAM。
制作1位存储单元的方法有很多种。但是，采用主动逻辑实现的电路全都是一种带有正反馈的放大器。正如您提到的，可以使用两个晶体管和一些电阻器来完成：
仔细查看，您将看到它具有两个稳定状态，即Q1开启或Q2开启。但是，它也有一个很大的缺点，那就是它会连续消耗电流。电阻可以做得很高，但是现代静态RAM芯片上仍然有很多位，每个位的电流加起来。
基本的CMOS反相器在任何一种状态下均不消耗电流（小泄漏除外）。这是一个简单的双FET电路。PFET可以拉高，而NFET可以拉低。栅极捆绑在一起，并设置阈值，以便当栅极完全高或完全低时，只有两个FET之一会导通。但是，反相器不能提供正增益。可以通过背靠背使用两个逆变器来解决。连续两个反相器产生正增益。如果两个逆变器成环连接，则它们具有两个稳定状态。一个为高，另一个为低，但是电路在高低和低高状态下均稳定。如上所述，由于CMOS反相器只是两个FET，因此该存储单元为4个FET，其最大优点是在不切换时不吸收任何电流。正如史蒂文所说，每位四个CMOS FET并没有那么糟糕。一切都是权衡。
与仅使用晶体管的电路相比，使用晶体管，电阻器和电容器的电路可以使用更少的晶体管。早在分立元件的时代，用电阻代替晶体管可以节省成本。然而，电阻器的效率极低，在集成电路实现中，它们的成本实际上比晶体管高得多。许多将使用它们的应用程序可以替代电流源，就成本而言，这种电流并没有那么糟糕，但在能源方面却效率极低。
如果要存储一点信息而又不消耗大量的功耗，则最紧凑的方法是使用两个反相器，这将需要最少四个晶体管来绝对保存数据。由于保存信息通常仅在首先具有提供信息的方法时才有用，因此SRAM单元将向四晶体管单元添加一些其他逻辑以允许对其进行访问。要在没有总线争用的情况下“干净地”切换设备，将需要四个额外的晶体管。实际上，通常有可能产生两个可接受的性能。
