需要帮助逆向工程和了解小电路


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我是一名电子学生,有一天我打开了家里有的电表EM21,发现它的主体由两个主要部分组成:

  • 电表主体,连接到电网并测量电压和电流(理论上,它具有电表的所有智能功能)
  • LCD显示屏向用户显示有关测量的实时信息(哑屏,具有足够的智能来控制LCD,按钮并使用感应功能请求车身提供电压/电流/功率信息)

在此处输入图片说明

令人敬畏的是,LCD组件由人体供电,并与人体进行通信,仅使用感应(非接触式)

[LCD with buttons]-----coil  <magnetism magic>  coil-----[meter body]

在几个小时内,我试图使电路反向,该电路利用耦合为带有按钮的LCD屏幕提供能量,同时将该耦合用作非接触式通信通道。

这是最终结果:

原理图

模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

谢谢晶体管和/ u / eyal0 @ Reddit整理了连接

这些是真正的吞噬电路的照片:

  • (在一个选项卡中打开)
  • BACK(在另一个选项卡中打开,然后在两者之间上下班,它们彼此对齐)
  • 前标签
  • PWR SRC用于为电路供电(主体通过其为LCD电路供电)的线圈

(您可以检查我是否正确地获得了图表?)

谢谢/ u / InductorMan @ Reddit指出我在图中出现的C4 / R4错误。

我对此有一些疑问,对此我找不到答案:

  1. 线圈如何为ATMEGA提供直流电流?VCC如何直接连接到线圈的一端,而不会油炸ATMEGA?

  2. Q1的作用是什么?

  3. 什么是WB2组件?

  4. 哪些ATMEGA引脚用于通信?我怎样才能(用示波器)“监听”他们并发现通信协议?

  5. AVCC和AREF在图中的接线方式如何?

  6. 如何轻松找到电容器和齐纳二极管的值?

谢谢!

链接:有关Reddit的持续讨论


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您确实应该以底部为地面,顶部为电源导轨的方式重绘此图形。为了弄清楚信号,请尝试在可疑耦合区域内的示波器探头上绕成一圈导线。
克里斯·斯特拉顿

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您以哪种方式嵌入了原理图?没有CircuitLab成员资格,我无法编辑它,它太小而无法阅读。通过在尽可能靠近组件的地方添加GND符号来简化原理图。R4,R5和C4可以有自己的。R5和C5可以在D1旁边移动。
晶体管

2
这类似于无源RFID标签。显然,WB2是齐纳二极管,用于调节MCU的电源电压。Q1 PE2是用于RFID标签的经典RFID通信配置,通过更改“变压器负载”,使人体感应到振幅调制(其作用与RFID发射器相同)。R1 D1 PE3通过幅度调制(与上面相同,只是在反向通信方向上)通信(从主体)到MCU。典型的无源RFID标签只是一种方式,并且在该方向上没有通信。
EEd

2
基本的无源RFID配置如readrat.net/rfid-tag-block-diagram/的第一张图所示。 调制器和解调器是发布者电路的in_MCU和out_of_MCU通信
EEd

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请参阅经典书籍(关于该主题的第一本综合书籍),由JOHN WILEY&SONS,LTD。发布,RFID手册,Klaus Finkenzeller,ISBN 0-471-98851-0,第38页(负载调制Q1),第47页(方框图),第78页,由发射机进行的通讯检测(海报问题中的内容),P130调幅,P173双向通讯,与海报的电路相同。
EEd

Answers:


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必须仔细选择对直流电源组件的射频感应,以实现相互耦合和阻抗,但是谐振的Q〜1非常低。

由于未提供任何细节,因此必须做出一些假设。

使用具有200uH主线圈(未提供)和接收线圈相同匝数的变压器,比率为1,但互感耦合降低为乐观的75%,输入电压为20Vpp,输出电压为15Voutpp(无负载)从50k扫至250kHz。充电似乎在〜100〜200kHz的范围内(从我最近的分析开始)效果很好,这是由于我根据照片估算出的线圈电感以及使用RFID和WPT(无线电源传输)的经验来估算的

在使用齐纳二极管,D2和C2、220uF电容的情况下,我在较宽的范围内选择了C3,并选择了5nF。如果没有C3和以上设置,则它在50ms内达到5V,而在C3的一半时间内为25ms(这意味着低Q)。由于C2 = 0V的初始状态降低了(二极管ESR)/ Xc(f)= Q阻抗比wrt。LC (即低Q值),没有谐振,并且由于大量纹波电流而被欠阻尼,从0.5A(rms)开始(在我的量程的最低频率处最大表示阻抗),然后在充电时降低Ipk,但是Ipk仍然有很多直流负载。

理论上具有200uH和5nF的这些值时,它应该在100kHz以上产生谐振,但实际上,在将负载阻抗齐纳二极管切换至220uF上限时,它在100kHz以上的任何情况下都可以工作,这意味着使用1K负载R和220 ohm的X会产生非常低的Q。 (f)对于带脉冲电流的LC。(非线性)

如果要使用这些值,请转到此处。如果不熟悉Falstad,则指向波形会突出显示要确定范围的零件,反之亦然,每条迹线都具有Max / min值,我还选择了Max Scale,它会像AC耦合一样自动调整,但仍会显示实际DC最大值并以慢速显示实时运动,但可通过滑块和选项>其他选项进行调整

我以为SOT23是5.6V齐纳二极管。

这只是分析了无线LF到DC的路径。效率不高,但是通过XFMR输出上的开关,它似乎与最大功率传输几乎匹配。除非加Rs,否则所有大写均暗示为无损。添加了1G Ohm R,仅用于示波器跟踪,并添加了1 ohm输入ESR用于测量输入阻抗。

在此处输入图片说明

请记住,接地只是浮动电路的0V参考。如果使它们通用,则输出将从-5V变为0V。

将输入电压从20Vpp降低到18Vpp会使充电至5V时间增加一倍。右上角有趣的轨迹是稳态时具有非常小的5mA负载的220uF交流电压放大的满量程。上升的电压表示在100至200kHz的f范围中间的DC充电是相当恒定的斜率I = CdV / dt,然后在FM测试扫描功率信号的外部向下衰减。由于我的扫掠不是双向的,因此它是“扫掠”的锯齿对数。。由此可见,电压的传递函数由半波齐纳整流器的电容充电电压决定。尽管未显示扫描到直流,但选择C3 = 5nF会使齐纳二极管耦合到C2 = 220 uF,并且其低端f的电压上升表示电感耦合的电流和阻抗。

Falstad模拟应用了所有给定的组件属性和物理定律。

到此为止,我的分析已经完成,并且符合我的期望。

100kHz〜200kHz操作的“ Ballpark”假设

  • 给定C3 = 220uF(假定低ESR)
  • 线圈Ls = 200uH,初级,Lp未显示,假定比率为1:1,耦合系数= 0.75
  • C2 = 5nF(假定低ESR)
  • D2齐纳二极管必须为11.5V〜12V才能有效获得5Vdc,使用12V
  • 对于OVP,假设SOT23钳位为5.6V并不重要。

5

D2是一个半波整流器,可从变压器产生直流电以向CPU提供电源。C1和C3并联并平滑DC,未知组件可能是齐纳二极管或并联稳压器,以控制电路的电源电压。

尽管看起来很不寻常,但在负轨中D2可能会这样布置,以使电压便于感测和驱动带有Q1的变压器进行反向通信。

C3使变压器谐振到用于传输功率和通信的载波频率。我希望频率在100-200kHz范围内。

交流信号通过D1到达CPU上的PE1引脚进行通信。D1和R1的组合将CPU看到的电压限制为可接受的值。

Q1用于CPU将数据发送回基本单元。当由MCU将PE1置于高电平进行导通时,它会驱动来自C1的电压跨过变压器的次级线圈-基本单元将能够接管该电压。

我怀疑它实现了半双工序列,其中基本单元通过改变信号占空比进入变压器来传输一些数据,同时变压器会将能量注入C2来为前面板供电。

然后,发送器将停止发送,并等待前面板将信息发送回基本单元。然后将重复该序列。该顺序必须相当快地执行(每秒10s或100s次),因为前面板在将信息发送回基本单元的过程中完全依靠C1中的能量运行。

由于AREF接地,这意味着未使用ADC-通常建议将其保持开路。


SOT23中的稳压二极管?
nemewsys

@nemewsys-我同意有点不寻常-供应轨上还有什么可能?分流调节器?
凯文·怀特

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采用SOT23封装的齐纳二​​极管很常见。该电路的功率要求很小。
彼得·史密斯

我认为C3实际上是用来将电感器调谐到合适的谐振的。除此以外,我同意采用整洁的近场通讯实现。
Dan Mills

@DanMills-这是一个错字(我不太清楚原理图),我已经解决了。我的意思是C2。
凯文·怀特
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