我的goto CMOS解决方案
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74HCT或任何74xxT在1.5V而不是Vdd / 2时都兼容TTL输入阈值,这在达到Vdd = 3V时是相同的。在具有负R反馈的自偏置的情况下,输出占空比将偏移,试图在输入端达到1.5Vdc,因此取决于可能触发ESD钳位二极管接地的信号电平
并非所有人都会第一次成功,就像在线性和RF设计中没有完全了解电路的阻抗,电源和布局那样,廉价而肮脏的CMOS缓冲反相器具有令人惊叹的增益带宽乘积,其> 150MHz的增益超过了60dB。逆变器。
当输入为交流耦合时,自偏置是微不足道的,但是选择缓冲反相器会增加技术挑战。当闭环增益远低于开环增益时,由于它没有像运放(OA)这样的内部补偿,因此对振荡的敏感性增加。
1级逆变器或无缓冲(UB)的开环增益最小为20dB,而对于缓冲(B)3级则为> 60dB。使用Zf / Zs时,对于负反馈,必须像输入单电源CMOS运算放大器一样,交流耦合输入和输出。Zf通常选择高电阻以实现输入的低电流自直流偏置,但过高会导致输入电压从R2C1稳定至Vdd / 2的开启时间变慢。
模拟此电路 –使用创建的原理图 CircuitLab
缓冲(B)反相器的线性增益是未缓冲(UB)的dB的3倍,因此如果您需要60dB的Zout从20至500 Ohms驱动器阻抗的增益,视频放大器就会表现出有趣的性能。其中Zout = RdsOn = Vol / Iol @〜x mA
其他详情
考虑到1970年以来CMOS逻辑的历史,有数十个标准系列前缀,例如{4xxx,'HCxxx和'ALCxx}。并未直接在数据手册中指定所有模拟特性,例如RdsOn,Ciss和Coss,但我们知道这些特性会限制电流消耗和大信号带宽。您可能会欣赏FET的行为,例如RdsOn与Vgs的关系由Vss范围决定,每一代要么提高速度,要么降低速度的功耗,或两者兼而有之。这导致更小的光刻,更低的Vdd范围和更低的RdsOn驱动器值。
- 您可能已经知道,与Vss相关的每个54/74 CMOS系列系列的RdsOn都相当一致(50%)。由于上升的Vgs自然会降低RdsOn。低Vss范围受到RdsOn上升速度的限制,而较高的范围则增加了交叉传导电流和功耗。
我希望(但尚未验证) 每个逻辑系列都可以用作线性放大器。每个线性放大器。必须遵循规则使线性和稳定。但是,取决于布局电感和其他影响单位增益相位裕量的阻抗,可能需要根据运算放大器的设计对一阶极点进行外部补偿。
为了获得最佳结果,设计人员必须对电路的所有阻抗* Z(f)与频率的关系有一个很好的了解,即使所有供应商的公差都在+/- 50%左右。永远不要低估它们可能会发生重大变化,因此,您的“批准的供应商清单” AVL仅应包括您为任何设计中的每个零件号验证的清单。否则,您必须弄清楚如何通过设计和测试来避免这些问题。但是总的来说,我发现反映RdsOn(或驱动程序ESR)限制的逻辑规范对于所有供应商都是一致的。
- 这些*包括来源的功率和驱动器阻抗Z(f)的估计值,<< << Zout,布局和去耦电容,用于每个芯片上电源的工作带宽。和CMOS Zout = RdsOn out。无缓冲反相器更稳定并被推荐的原因是,当自DC偏置为1〜10M反馈R时,单级增益通常足以满足晶体振荡器(XO)的要求。
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那些容易学习的人已经知道;波特图,相位裕度为1对3级放大器,每个逻辑系列的电压/电压与Vcc的关系。否则,不可能有简单的解释。CD4xxx在3〜18V电压下工作良好,所有其他电压源应通过缩放Vcc / RdsOn来类似地工作。对于低阻抗负载(约50),驱动器中的Pd可通过交流耦合大大降低。74ALCxx在3.3V电压下约为25欧姆,74HCxx在5V的温度下约为50欧姆+/- 50%。