双/四运算放大器的失调电压是否相关?


13

在一个运放多于一个的单片硅上,输入失调电压是否全部相关,即是否期望它们具有相同的方向和相似的幅度?


可能有些相似之处,但不够可靠,无法使用。
Brian Drummond

如果您需要低偏移量,那么激光修整芯片更适合您。digikey.bg/product-detail/en/texas-instruments/THS4551IDGKT/...
托尼·斯图尔特Sunnyskyguy EE75

运算放大器之间会发生热串扰。deltaVoffset / deltaTemperature规格是DC规格;您需要使用实际波形测试实际电路,并测量2个或4个Opam的失真。
Analogsystemsrf

Answers:


7

不可以,除非数据表明确说明,否则您无法假设有关同一芯片上运算放大器之间的相关性。我不记得曾经见过数据表中关于芯片上运算放大器的偏移电压彼此相对的说法。

想想看:偏移电压是由于芯片中晶体管之间的轻微失配引起的。一些晶体管参数是随机的,但其他参数可能与它们在晶圆上的位置相关。但是,运算放大器的输入晶体管已经彼此靠近,并且可能比同一芯片上其他运算放大器的输入晶体管彼此更接近。这并没有太多机制可以使附近的运算放大器之间的失调电压相互关联。


11

没有。

失调电压来自同一运算放大器中两个输入晶体管之间的差异。Zeptobars.ru的美丽TL072图片

该TL072中的输入晶体管是交错的,因此它们具有相同的中心,因此,如果晶体管参数在整个芯片上线性变化,则平均参数是相同的。尽管如此,由于变化不是完全线性的,所以晶体管仍然略有不同。

因此,如果两个紧挨着的两个晶体管不匹配,为什么管芯另一半上的两个晶体管具有相同的不匹配呢?


+1我真的很喜欢这个答案-一个看起来像您的头像的IC!认真地讲,这是一个很好的答案,因为它包含了一些有用的见解。我从未听说过交错晶体管。我看到的是相同的外观图案,但是作为带有实际交错结构的两个晶体管,我看不到任何东西。是否可以描述显示的位置或描述的链接?
uhoh

1
输入晶体管是底部的大型结构。左和右是两个运算放大器。
τεκ

2

对于绝对值,否。对于随时间变化的漂移,它们还将具有独立的偏移量以及增益跟踪问题。

对于双运放和四运放,精度意味着每个通道具有独立的增益和失调。

使用独立的增益和失调,随着时间的流逝应该有一些相关性,但是没有数据表能够说明这一点。原因是用户环境温度和电压以及输出负载未知。

如果四个通道之一负载较重,则任何相关提示都消失了。


0

没有保证相关的保证。最好的期望是,只要您在额定工作范围内正确应用零件,它们就应该在数据手册规格内。

By using our site, you acknowledge that you have read and understand our Cookie Policy and Privacy Policy.
Licensed under cc by-sa 3.0 with attribution required.