最好的方法是使用晶体管作为比较器,以使过渡变尖锐。
这是一个示例电路:
它使用LDR作为分压器的上部。当LDR电阻下降时,晶体管基极的电压升高并导通。该晶体管可以是任何通用的NPN。
我们可以根据希望开启的位置计算电阻值。
假设LDR电阻从200Ω(暗)到10kΩ(暗)。当LDR为5kΩ时,我们希望晶体管导通。电源(V +)为3.3V。典型的NPN晶体管在0.7V左右导通,因此,如果这样做:
基本电阻器需要5,000 *(0.7 / 3.3)=1060Ω。我们可以选择一个1kΩ的电阻,因为它足够接近。调整值以适合您的开启点。
这是电路的仿真:
水平轴是LDR电阻,蓝线是Vout点的电压(您将其连接到Rpi输入引脚-必须设置为输入。可以在Vout和Rpi引脚之间添加一个1kΩ电阻器以对其进行保护以防意外将其设置为输出)我们可以看到晶体管按预期在5kΩ左右开通(由于晶体管的基极-发射极电压会随温度等变化而变化,但并不精确,但可以满足您的目的)
请注意,晶体管输出在明亮时为低电平,在黑暗中为高电平,您可以交换LDR和电阻器,如果需要,可以使用5,000 *(3.3 / 0.7)=23.5kΩ作为电阻器,反之亦然。实际上是一种更好的配置,因为它消耗的电流更少(由于更高的电阻),因此如果重要的话,请使用此版本。