如何选择光耦合器来驱动带有MOSFET的螺线管？

我需要用MOSFET驱动螺线管。螺线管是8W螺线管，它将连接到+ 12V电压。

而且该驱动命令必须使用光耦合器隔离，但我不知道如何选择它。

我需要在数据表中注意哪些特征？重要的是什么？是否有好品牌和坏品牌？

普通的光耦合器具有电流输出：将输出晶体管连接至Vcc，发射极将提供电流。多少取决于点击率或电流传输率。这不是很多，通常以百分比表示。例如，CTR为30％意味着您需要10 mA输入才能获得3 mA输出。用这3 mA来驱动BJT的基座。您将希望达林顿驱动器获得超过100 mA的集电极电流。

但是，达林顿的饱和电压很高，可能会使螺线管的电源电压消耗太多。MOSFET可能更好。但是，MOSFET是电压驱动的，而不是像BJT那样是电流驱动的。因此，您必须将光耦合器的输出电流转换为电压。再简单不过了：在栅极和地之间添加一个电阻，流经该电阻的电流会引起电压降，从而使FET导通。

令人高兴的是，您只需选择正确的电阻器值即可选择电压。例如，我们的3 mA电流将在1.5kΩ电阻两端产生4.5 V的栅极电压。您可能会倾向于选择较高的电阻值，但这不一定是一个好主意。光耦合器在关闭时会产生泄漏电流（称为“暗电流”），并且还会产生栅极电压。您必须确保不会将其升高到足以激活FET的程度。如果暗电流为10 µA（相当高的值），则1.5kΩ电阻将在FET的栅极上显示15 mV，并且该电阻将足够低而无法导通。如果选择逻辑电平栅极 FET ，则3 mA产生的4.5 V就足够了。

所述LTV817是一种低成本光耦这是完美的这样的：最小50％的点击率，只有100 nA的的暗电流，和35伏的最大集电极-发射极电压
由于LTV817具有这样的低的暗电流的值R1可以增加到15kΩ。那么300 µA足以获得4.5 V的栅极电压，而暗电流只会在电阻两端产生1.5 V的电压。CTR为50％时，您仅需要600 µA输入电流。使用2 mA会有一些余量。

对于FET有很多选择。的FDC855，例如，给你足够的电流在4.5 V的栅极电压，从而可忽略的导通电阻36毫欧的：电压降仅为24毫伏，并且功率耗散16毫瓦（这是螺线管的功率的0.2％） 。

编辑：选择正确的FET

就像我说的那样，有很多适合您的应用的FET。我经常提到FDC855，因为它在成本和功能之间保持了良好的平衡。对于成本，规则是：越低，FET的价格就越高。您只需要切换0.67 A（这是平均值），然后就不需要极低的（您可以将它们降低至1mΩ）。$R_{DS(ON)}$$R_{DS(ON)}$

您发现PMF290XN便宜（尽管在Digikey，它仅比FDC855便宜25％，而不是80％）。它的较高，为350mΩ，但这仍然没有问题。压降为240 mV，功耗为160 mW。这比FDC855还要多，但仍然可以。$R_{DS(ON)}$

较高的也限制了电流。对于PMF290XN，该电流为1 A，虽然不理想，但足以满足应用需求。您在数据表中读取的2 A是脉冲信号（单个10 µs脉冲）。不要读它，因为2 A允许连续，1 A是绝对最大额定值。（脉冲）较高的电流仅显示图形所要到达的位置。$R_{DS(ON)}$

也看一下图6和7。图6显示3 V足以满足1.5 A的漏极电流，因此足以满足0.67 A的需求。图7表明，对于0.67 A的，您需要3.5V 。$R_{DS(ON)}$