Questions tagged «opto-isolator»

一种光电器件,将光发射器和接收器组合在一个封装中;通常用于电隔离控制应用,例如电源。

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为什么继电器如此频繁地由光耦合器驱动?
自从像Arduino这样的许多微控制器开发板问世以来,已经出售了许多继电器模块来驱动交流电源。 其中许多似乎使用光耦合器,驱动器晶体管和继电器来驱动负载(例如Amazon) 为什么要这样实现? 我的一些想法: 继电器提供的隔离度比大多数光耦合器好或更好 仍然存在驱动器晶体管,因此无法节省组件 仍然存在感应反冲保护,因此无法节省组件 光耦合器不如晶体管便宜,因此与仅驱动晶体管相比,其成本更高 由于这些都是DIY产品,因此无需满足任何法规要求 我从未见过在商业设备中由光耦合器驱动的小型市电继电器 这些板中的许多板似乎设计得并不出色(与间隙或爬电无关),因此即使光耦合器只是提供两层隔离,该板也无法做到这一点。




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如何为光耦合器选择随附的组件?
我正在使用光耦合器(MOC3021)通过微控制器ATmega16L感测电器的开/关状态。我该怎么做?我的电源规格是230V,50Hz。如何设计周围的电路并选择电阻值等元件值? 2012年6月13日 编辑 注意:这是我第一次解决这样的电路。请发送任何有用的反馈。(包括我做错的事情或任何改进) 参考上面的示意图。想法是使用该电路确定负载是开还是关。光耦合器的输出引脚连接到我正在使用的单片机ATmega16L的外部中断。中断将监视负载状态。监视后,我可以使用连接到同一微控制器的继电器(继电器充当控制机制)来切换负载的状态。 现在,我尝试计算R1,R2和Rc的电阻值。注意,微控制器的VIL(max) = 0.2xVcc = 660mV和VIH(min) = 0.6xVcc = 1.98V和VIH(max) = Vcc + 0.5 = 3.8V。 计算Rc非常容易。当晶体管不导通时,输出为高电平(3.3V)。当晶体管导通时,输出被拉低。因此从微控制器的角度来看,输出高电平表示负载已关闭,而输出低电平表示负载已打开。 查看SFH621A-3的数据表,在IF = 1mA时使用最低34%的CTR。因此,在1mA输入下,输出将为340uA。因此,为了使微控制器从光耦合器的输出中检测到低压,我可以使用1Kohm的电阻值吗?这样光耦合器的输出将具有340mV的电压(低于VIL(max)) 此后的更多时间是漫长的一天。 于2012年6月15日编辑 注意:解决电源线上的电阻(R1和R2)。请检查我的计算和任何适当的反馈。 目的:目的是在10ms的半个周期(20Hz的50Hz全周期)内将LED保持* ON **的最大持续时间。假设LED必须在90%的时间内处于开启状态,这意味着在该半周期内90%的时间内LED至少需要1mA的电流,这意味着LED在10mS的半周期内将处于激活状态,持续9mS。因此,9mS / 10mS = 0.9 * 180(半周期)= 162度。这表明电流在9deg至171deg之间为1mA(从0deg至9deg和171deg至180deg小于1mA)。不要认为接通时间是95%,因为处理整数是整洁的,至少5%在此应用程序中没有任何区别。 Vpeak-peak = 230V x sqrt(2)= 325V。考虑公差。最小公差为6%。325 x 0.94(100-6)x sin(9)= 47.8V 因此,R1≤(47.8V-1.65V)/ 1mA = …



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光耦输入保护
我必须提供一些可接受12-24V的隔离输入。在某种程度上,应该有一些针对反极化,瞬态过电压和永久性过电压(最高40V)的保护措施。 到目前为止,我想出了以下电路: R15 + R21将正向电流限制为〜14mA @ 12V和30mA @ 24V D1 TVS二极管(击穿电压约为13V)可防止瞬变和高于26V的电压 D1防止反极化 R15在反向极化或D1钳位时限制电流 这种设计似乎很简单。我会错过某些东西吗? 编辑: R21旨在提供一些额外的瞬态过压保护(ESD),因为TVS二极管不会立即钳位。这也是选择TVS二极管而不是普通二极管的原因。这是过度杀伤力吗? 如前所述,If有点高。我会考虑将R15和R21的电流限制为580欧姆,以将电流限制为10-20mA。 LTV357T

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光隔离2MHz SPI通信
我需要隔离两个芯片之间的SPI通信。 通信的瓶颈在从设备上,从设备显然可以处理高达2MHzSPI时钟频率。 我的想法是使用光耦合器进行隔离。第一次尝试时,我使用了4n35。它只是无法正常工作,所以我查看了数据手册,发现芯片需要10 us升高和10 us降低信号(在最坏的情况下)。这使其使用毫无意义。 有人可以给我建议一个光耦合器吗? 为此目的要足够快(2MHz,但也可以接受1MHz) 容易购买且不贵 我在互联网上搜索了满足这些要求的光耦合器,但找不到最值得推荐的光耦合器。 如果可行,我愿意就如何以其他方式隔离通信提出建议。

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使用光电隔离器更改运算放大器的放大倍数
考虑该电路,它是标准的同相放大器,放大倍数为A = 1+R1/R2。 现在,我希望能够使用微控制器引脚动态更改此放大值。我提出了这个解决方案,该解决方案基本上是通过并联插入另一个电阻来修改反馈电阻的值: 我认为新的放大(在打开光隔离器的情况下)是 A = 1 + (R1||R3)/R2 = 1 + (R1 R3)/(R2(R1+R3)) 此解决方案是否可以按照我的预期方式工作?我特别担心光电晶体管的饱和电压可能会以某种方式影响运算放大器。如果是这样,是否有解决此问题的替代解决方案?

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验证双向可控硅电路
我正在设计一种设备来切换由市电驱动的加热设备。我已经做了大量的研究,并且意识到那里有很多信息,但是由于我正在处理可能致命的交流电,因此我想在订购PCB之前验证我的设计。这是我第一次使用电源,所以请假设我一无所知:) 要求: 切换加热设备(=电阻)负载,最大功率为1000W 兼容110-240V,50和60hz 由5v MCU(ATMega328)驱动 无需通过法规等,但绝对需要安全 编辑:切换速率大约每5秒一次 这是原理图: 笔记: D8是MCU引脚 光耦合器和三端双向可控硅开关之间​​的电阻是1 / 4W通孔电阻,其他电阻0603 5A快速熔断器 串联的两个330电阻器可以使BOM更加简单 双向可控硅开关市电中性 问题: 首先:这里有什么我想念或忽略的东西吗? 三端双向可控硅开关上的散热器对我来说还不清楚。我计算出的最大值为10C / W,可以吗?我的计算是:(最大温度-室温)/(最大舞台电压*(毫安/电压))-结点到基极的热阻((110-25)/(1.65*(1000/230))-1.5 = ~10.35)。这是否意味着三端双向可控硅开关元件一直都处于110c,对我来说似乎有点高?。 光耦合器是随机相位。相位仅对衰落的灯光等重要,对吧?相位对加热装置重要吗? 是否需要缓冲电路?据我了解,这仅对感性负载有用吗? 该电路的大部分位于2层1.6mm电路板的底部,顶部距离其他组件至少4mm。据我了解,爬电距离应至少为6mm,但中间的爬电距离是否相同? 无论如何,我都需要订购零件,所以如果您有更换组件的建议,那是完全可以的。 数据表: 光耦合器(MOC3023M):http : //www.farnell.com/datasheets/94947.pdf 双向可控硅(BT138-600):http : //www.farnell.com/datasheets/1651175.pdf 任何其他技巧也将受到高度赞赏! 更新 在这里的技巧之后,我将保险丝更换为带电的(现在似乎很明显了。)并添加了缓冲器。更新了原理图:

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带有微控制器的数字调光器
我想为电阻负载建立一个数字调光器。我为此找到了这个电路: 输入电压为220VAC 50Hz。 图片中的红色框为Zero Crossing Detection。 当交流电压过零时,微控制器将被中断,因此将检测到过零。因此您可以通过Triac在特定时间后触发来达到所需的电压Delay。您是否推荐此电路?如果是这样,请让我知道是否有任何IC要替换为Red Box(如图所示)以检测交流电压的零点(因为我的电路应尽可能小)? PS:由于我需要该电路来减少负载的能耗,因此电路本身必须消耗最多5瓦的功率。


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为什么要抑制光隔离器?
我正在使用光耦合器和三端双向可控硅开关电源将120VAC电源切换到约108瓦风扇。光耦合器的数据表要求我在切换感性负载(我猜为交流风扇是)时抑制光耦合器的输出。为什么? 我可以看到,如果您频繁地开关电源,并且您不希望初始电压和由此产生的EM尖峰,您可能想抑制风扇本身,但是我不知道为什么我应该关心抑制相对较低的电流通过光耦合器输出。

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TRIAC调光器,电路设计帮助(电阻负载)
好的,我的任务是为耗散约250W的240V加热灯制作调光控制系统。我需要通过微处理器的控制来调节灯的热量输出。 我正在开发基于8051的SoC,该芯片具有RF电路以及一些传感器和执行器。基本上,它是无线传感器网络中的一个节点。我没有考虑所有其他组件。 我主要是一名软件专家,因此在这里可能需要一些帮助。请原谅我的行话,如果我提出基本问题,我对此没有很多经验。 我正在考虑这样的调光电路设计: ..并且我有一些问题:)我用与问题匹配的数字标记了红色框: 1) 这是驱动三端双向可控硅开关的明智方法吗?引脚6上的电阻应具有较高的额定功率。像5W或我猜的东西。 GPIO支路可提供高达500mA的电流,因此应该足够驱动晶体管的栅极,对吗? 大多数情况下,我都会接受它。 2) 我不知道加热灯的感应性如何,或者其电阻随温度如何变化。我想估算三端双向可控硅开关的规格。 240VAC(rms)约为340VAC(peak2peak),因此400V最大隔离电压就足够了,不是吗? 我认为最大浪涌电流额定值为4A会产生一些开销,但是我不确定我需要多少。我假设从冷启动会吸收大量电流- 我应该确定使用吗?除了额定最大功率为250W之外,我没有关于加热灯的任何数据。 3) 我是否正确理解这就是缓冲器? 我找到了几个对我有所帮助的主题,但我希望能发表评论。我读了这些: 三端双向可控硅开关驱动调光器电路故障 缓冲设计的理智检查 为什么要抑制光隔离器? TRIAC光耦合器上需要保护二极管吗? 如何使用光电三端双向可控硅开关耦合器触发主三端双向可控硅开关? http://www.nxp.com/documents/application_note/AN_GOLDEN_RULES.pdf TL; DR:我是否可以脱离原理图?对估计组件等级的一些帮助也将很不错:)

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