光耦输入保护

我必须提供一些可接受12-24V的隔离输入。在某种程度上，应该有一些针对反极化，瞬态过电压和永久性过电压（最高40V）的保护措施。

到目前为止，我想出了以下电路：

• R15 + R21将正向电流限制为〜14mA @ 12V和30mA @ 24V
• D1 TVS二极管（击穿电压约为13V）可防止瞬变和高于26V的电压
• D1防止反极化
• R15在反向极化或D1钳位时限制电流

这种设计似乎很简单。我会错过某些东西吗？

编辑：
R21旨在提供一些额外的瞬态过压保护（ESD），因为TVS二极管不会立即钳位。这也是选择TVS二极管而不是普通二极管的原因。这是过度杀伤力吗？

如前所述，If有点高。我会考虑将R15和R21的电流限制为580欧姆，以将电流限制为10-20mA。

LTV357T

该电路可很好地保护二极管。我不知道一个更好的。

您不必担心保护二极管免受瞬态影响。如果大电流（<1A）流过二极管一微秒，则不会伤害二极管。您可以使用常规的齐纳二极管代替TVS。

您可以考虑使用较低的齐纳（TVS）电压，例如5V。这将减少12V至24V输入电压之间的二极管电流变化。

光电隔离器的老化效果往往很差，点击率会随着时间的流逝而下降（或者至少他们以前习惯了，也许情况有所改善）。因此，最好使用大于最小电流的二极管来驱动二极管，以确保随着时间的流逝，输入驱动器将继续驱动输出。对于最小为5mA的光电LED规格，10mA可能是一个很好的数字。

您的电阻器要小很多。

使用两个390Ω电阻，在12VIn时可获得〜15 mA的电流。您拥有的光电二极管同时具有5 mA vF和20 mA vF的特性。除非您需要快速响应，否则以5 mA运行光电二极管中的LED不会有任何伤害。

如果将光电二极管输入到任何无法处理缓慢过渡的逻辑中，则可能值得确保将光电二极管输入到施密特触发器输入中。

同样，没有理由去理会这两个电阻。只需将二极管直接跨过光耦合器即可。如果有人反向连接电源，这将减少功耗。