为什么同时存在：IC输出上的BJT和FET晶体管？

这是FAN3100栅极驱动器IC的结构：

（摘自其数据表）

如您所见-有两个输出开关：CMOS和BJT。

为什么他们都把它们都放？

— 罗曼·马特维耶夫（Roman Matveev）
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出现的另一个问题是，为什么最底层的NPN是NPN而不是PNP

— 哈里·斯文森

注意差分输入。这使该驱动程序更能抵抗地面故障。

— Analogsystemsrf

说明的第2段说：

FAN3100驱动程序在最终输出阶段采用了MillerDrive ^TM架构。这种双极MOSFET组合在MOSFET导通/关断过程的Miller平稳阶段提供高峰值电流，以最大程度地降低开关损耗，同时提供轨至轨电压摆幅和反向电流功能。

在“ * MillerDrive栅极驱动技术”部分的第14页底部，它继续说明：

MillerDrive架构的目的是通过在Miller平稳区域提供最大电流来加快开关速度，这是在将MOSFET的栅极-漏极电容作为导通/关断过程的一部分进行充电或放电时。对于在MOSFET导通或关断间隔内开关电压为零的应用，即使不存在Miller平稳区，驱动器也会提供高峰值电流以实现快速开关。这种情况通常发生在同步整流器应用中，因为体二极管通常在MOSFET导通之前就处于导通状态。

因此，“ 谁能告诉我有关米勒高原的信息？ ” 的答案解释如下：

当您查看MOSFET的数据表时，在栅极电荷特性中，您会看到一个平坦的水平部分。那就是所谓的米勒高原。当器件切换时，栅极电压实际上被钳位到平台电压，并保持在那里，直到为器件切换添加/移除足够的电荷为止。这在估算驱动要求时很有用，因为它会告诉您平台的电压和切换设备所需的电荷。因此，您可以计算给定开关时间下的实际栅极驱动电阻。

BJT能够在MOSFET上升时使输出移动。MOSFET然后可以提供轨到轨电压摆幅。

— 晶体管
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有趣的拓扑，但我不明白：低NMOS的Vgs被低NPN BJT钳位到〜0.7V，低NMOS如何导通？如果较低的MOSFET的Vgs（th）非常低，它将起作用，但是它们可以使〜100mV阈值NMOS吗？我知道这是一个简化的原理图，因此在这方面可能已经遗漏了一些东西，但是为什么不在NPN基址之前放置一个缓冲符号，毕竟在正轨驱动器中，在上NPN之前有一个反相缓冲器。如果只有一个，则不抽奖似乎是一种愚蠢的简化。

— Lorenzo Donati

我没头绪我发现这个问题很有趣，没有一个确定的答案，做了一些研究，令我惊讶的是，我的答案被接受并接受了。就像您说的那样，框图可能只是一种简化，NPN可能不是一个很好的框图，其基础可能存在一些电阻或电流限制。

— 晶体管

问题解决了，谢谢！我仔细研究了数据表，并确实找到了下图（图42），该图显示了MillerDrive体系结构的详细信息。它显示了上，下BJT都有自己的驱动电路，由几个MOSFET组成。

— Lorenzo Donati

@Lorenzo，感谢您的反馈。在研究答案时，我已经扫描了数据表，但错过了该图的重要性。

— 晶体管

别客气！我仍然完全愚蠢地认为“简化图”。它不是“简体”，这是错误的！如果由于担心事情过于复杂而不想只显示另外4个MOSFET，那么只要在BJT的基座前放一个写有“ driver”的框就足够了。！

— Lorenzo Donati

CMOS和BJT输出级合并为一个级，制造商将其称为“ MillerDrive（tm）”。

为何在数据表中进行说明：

我的猜测是，他们希望获得某种（输出驱动）性能，而仅通过使用CMOS晶体管或仅将NPN用于其芯片的制造工艺就无法实现。

$V_{CE,sat}$ $V_{BE}$

NPN很可能能够提供更多电流，并且开关速度更快。这可能是由于他们正在使用的制造工艺的结果，因为在不同的工艺中MOSFET可能会好得多，以至于仅使用CMOS就可以实现类似的性能。但是，这样的过程可能会更昂贵。

— 比彭雷基
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请注意，顶部NPN如何只能使输出达到VDD-0.7 V，我认为mosfet的工作是照顾最后的0.7V。

看来 BJT正在做大部分艰苦的工作，而MOSFET正在照顾使输出达到VDD和强GND。

我可能是错的。

— 哈里·斯文森
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