芯片内部艺术品的著名“ Bill sux”图片有多真实？

有一个城市传说，某些版本的Intel Pentium芯片在电路的某处带有“ Bill sux”标题。图例附带以下图片：

现在让我们假设一下传说实际上是正确的。

图片有多逼真？具体来说，为什么所有元素都具有相同的颜色？为什么痕迹的颜色与周围环境没有区别？

这是一个骗局，您可以在Snopes和此处阅读更多内容。

但是，为了增加一点信息，这个故事在1998年开始流行，因此他们的工作规模最大为250纳米，因此照片应该是在电子范围内拍摄的。

这是原始图片：

该图像是对出现在Darrell Duffie的书的封面上的图像的巧妙数字处理

...

这是一个聪明的恶作剧，它嘲笑几个苹果迷可能会秘密地将反比尔·盖茨的消息悄悄地偷偷带到世界上最受欢迎的CPU上，在那儿只有通过强大的显微镜才能看到它，但这是一个骗局。

这是更多信息的另一个链接。

半导体制造逐年改进：

10 µm-1971
3 µm-1975
1.5 µm-1982
1 µm-1985
800 nm（.80 µm）-1989
600 nm（.60 µm）-1994
350 nm（.35 µm）-1995
250 nm（.25 µm） - 1998
180纳米（0.18微米） - 1999
130纳米（0.13微米） - 2000
90纳米- 2002
65纳米- 2006
45纳米- 2008
32纳米- 2010
22纳米- 2012

可能性：

• 那是电子微克，而不是显微镜照片，本质上不是彩色的。橙色条纹为计算机伪造色或人工制品。

• 您正在寻找某种顶层保护性保形涂料（二氧化硅薄层？）

• 特征尺寸小于可见光的波长，因此反射的颜色没有意义；相反，您会看到衍射图样（这就是为什么您会得到非放大的半导体晶圆非常彩色的图片的原因）

有关此类问题的更多信息，请参见http://micro.magnet.fsu.edu/creatures/logoindex.html

这将是“ Meta”答案，指的是其他答案，以纠正某些误解。

在VLSI制造期间，在各个级别使用不同分辨率的光刻，并且仅在GATE定义级别使用最现代，最精细的细节。甚至可以使用较旧的光刻工具（如有源区域定义STI-LOCOS等）来完成多晶硅定义之前的步骤。

原因很简单，为什么要使用使用最昂贵的蒙版的最先进（因此也最昂贵）的工具来定义本质上需要较低分辨率的图层？

实际上，顶部金属往往很厚，以支持更多电流，以防止电迁移并减小电源轨的电阻。

例如，在180 nm工艺中，使用具有5X相变掩模的248 nm KrF激光光刻技术来定义栅极。这也用于联系人。与使用365nm i-line和5X掩模相比，金属1可以在步进器中完成，但不应用相位校正。

关键是，芯片的顶层比“定义为”的过程要低得多的分辨率和高得多的间距-甚至很多时候，这种定义都变得很时髦。

我检查过，在上述180 nm工艺中，顶层金属的最小特征尺寸可能高达3um。

顶模钝化通常是Si3N4或聚酰亚胺。这些图片中已将其删除。

因此，最可能的是这些图片实际上是在显微镜下拍摄的可见光图片。颜色可能是因为结构高度在光波长的数量级上并且具有衍射效果。但是由于我们没有规模，因此确定是不安全的。

但是它可能是一张电子显微照片，已经为“简洁”着色了。它似乎确实来自一本书的封面，谁知道艺术部门在那里做了什么。

因此，我不愿意说其中之一是光学还是SEM。@ W5VO观察到景深对于光学来说似乎太大了，我同意。但是我们这里不知道规模，在那个时代，这些结构很容易达到10微米。

从来没有听说过电子微克-在标准命名约定下，它会转换为“小电子信息”，我也找不到与任何提及此事的链接。所以我很想听听那可能是什么。