去耦电容器


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我见过许多IC建议将Vdd上的电容器去耦至Vss-这是明智的。

但是,某些IC(例如dsPIC33FJ128GP802)具有三个Vss引脚,而只有两个Vdd引脚(AVdd和Vdd)。那么,我应该在每个Vdd引脚上,或者从每个Vdd引脚到每个Vss引脚上放置一个去耦电容器吗?


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我知道说回答数据表是个皱眉,但实际上,我认为这是提出它的一个好案例。如果芯片有任何特定需求,它将在数据表中指定。如果您查看了此图片的数据表,将会找到答案。
凯伦杰(Kellenjb)2010年

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实际上,我见过一个在一些专业板上花钱的小组,但没有看过任何部分的数据表。当他们将其连接上时,它不起作用。最终结果是,如果他们查看了数据表,就会发现他们需要遵循一个布局考虑页面。
Kellenjb 2010年

Answers:


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我相信一般规则是每个Vdd引脚1个电容。

您正在使用地平面吗?如果是这样,请不要再将盖帽连接到Vss引脚上。但是,如果您使用的是接地总线,那么是的,您应该将电容的阴极直接连接到Vss。


我在PCB上使用接地层,但在面包板上制作了原型。顺便说一句,盖帽的阴极是什么,我以为它们是双极性的?
Thomas O

我认为它被用作设备负极端子的名称。陶瓷和钽电容帽(这是我考虑使用的唯一一种去耦电容帽)是双极性的,而电解电容(其ESR太高而不能有效地去耦)则是极化的。
凯文·维米尔

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@reemrevnivek-非极性钽?不常见...
Connor Wolf

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哎呀!我的错。为了防止错误信息的传播,删除了该脑部放屁,其余部分在这里:阴极被用作设备负极端子的名称。陶瓷盖是双极性的,而钽盖是极化的。 请注意,电解质也是极化的,但由于其较高的ESR,因此是去耦的不良选择。
凯文·维米尔

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“您是否正在使用接地层?如果是,请不要将帽盖连接到Vss引脚。” 好吧,从技术上讲,您希望总环路电感最小。如果您有接地/电源平面,则要使从电容器到该平面的走线尽可能短,并且使从该平面到IC引脚的走线尽可能短。但是,您也希望通过平面的路径也要短一些:平面不是完美的导体,因此在非常高的频率下,平面上仍然存在电压变化。
杰森S

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如果使用该芯片,可以。他们实际上分配了相当多的空间(数据表的第21和22页)来描述所需的电容器。

但是,通常,您确实希望每个Vdd引脚有1个电容。接地层消除了在Vss上去耦的需要,如果您没有接地层,则会遇到问题。

对于dsPIC链接(和许多其他芯片)而言,每个Vdd引脚都与一个Vss引脚相邻,因此只需将其放在此处即可。实际上有四个Vdd引脚和四个Vss引脚,因此它们匹配:2xVdd(IO电源),1xAVdd(ADC电源)和1xVcap / Vddcore(内部稳压器电容),以及3xVss和1xAVss。


我正在使用dsPIC33FJ128GP802,它的Vdd和Vss引脚数为奇数。* 804为偶数。附带说明一下,为什么Microchip会这样做?数字不相等一定是有原因的。
Thomas O 2010年

哦,我不会像内部稳压器那样将Vddcore引脚视为电源引脚。有一个Vdd,一个AVss,两个Vss和一个AVss,为什么有两个接地点却只有一个Vdd?
Thomas O 2010年

为什么?您必须要问Microchip。我想这是为了减少引脚数。Vddcore绝对是电源引脚!请参见数据手册第2.3和27.2节:VCAP / VDDCORE引脚不得连接至VDD,并且必须具有4.7 F至10 F之间的电容,16V接地。类型可以是陶瓷或钽。
凯文·维米尔

我的意思是它不吸收或源电流(除了作为电容器。)
托马斯Ø

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您忽略了。如果考虑到这一点,您会发现每个电源引脚都有一个。 V S SVCAP/VDDCOREVSS

在此处输入图片说明

我只希望Microchip将引脚8 的和引脚13 的放在相邻的引脚上,就像对引脚19/20和27/28所做的那样。 V D DVSSVDD

如数据手册第2.3节所述,内核有一个内部稳压器,需要一个输出电容器来保持稳定性。那是。你一个4.7连接 F至10 F该引脚与地之间。这就是您需要的所有引脚,其余的都是内部的。 μ μVCAP/VDDCOREμμ

数据手册中的第2.2节介绍了去耦,并显示了以下原理图:

在此处输入图片说明

一些设计人员会在原理图的一角画出电源轨,并将所有去耦电容器放置在那里。他们的借口是原理图本身的去耦会使其杂乱无章,使其变得不清晰。海事组织是个坏主意。特别是如果其他人将创建PCB布局,则不清楚电容器的物理位置。如果按照上述原理图进行绘制,则至少建议电容器属于哪个引脚,PCB布局工程师将知道它必须靠近引脚放置。

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