我见过许多IC建议将Vdd上的电容器去耦至Vss-这是明智的。
但是,某些IC(例如dsPIC33FJ128GP802)具有三个Vss引脚,而只有两个Vdd引脚(AVdd和Vdd)。那么,我应该在每个Vdd引脚上,或者从每个Vdd引脚到每个Vss引脚上放置一个去耦电容器吗?
我见过许多IC建议将Vdd上的电容器去耦至Vss-这是明智的。
但是,某些IC(例如dsPIC33FJ128GP802)具有三个Vss引脚,而只有两个Vdd引脚(AVdd和Vdd)。那么,我应该在每个Vdd引脚上,或者从每个Vdd引脚到每个Vss引脚上放置一个去耦电容器吗?
Answers:
我相信一般规则是每个Vdd引脚1个电容。
您正在使用地平面吗?如果是这样,请不要再将盖帽连接到Vss引脚上。但是,如果您使用的是接地总线,那么是的,您应该将电容的阴极直接连接到Vss。
如果使用该芯片,可以。他们实际上分配了相当多的空间(数据表的第21和22页)来描述所需的电容器。
但是,通常,您确实希望每个Vdd引脚有1个电容。接地层消除了在Vss上去耦的需要,如果您没有接地层,则会遇到问题。
对于dsPIC链接(和许多其他芯片)而言,每个Vdd引脚都与一个Vss引脚相邻,因此只需将其放在此处即可。实际上有四个Vdd引脚和四个Vss引脚,因此它们匹配:2xVdd(IO电源),1xAVdd(ADC电源)和1xVcap / Vddcore(内部稳压器电容),以及3xVss和1xAVss。
您忽略了。如果考虑到这一点,您会发现每个电源引脚都有一个。 V S S
我只希望Microchip将引脚8 的和引脚13 的放在相邻的引脚上,就像对引脚19/20和27/28所做的那样。 V D D
如数据手册第2.3节所述,内核有一个内部稳压器,需要一个输出电容器来保持稳定性。那是。你一个4.7连接 F至10 F该引脚与地之间。这就是您需要的所有引脚,其余的都是内部的。 μ μ
数据手册中的第2.2节介绍了去耦,并显示了以下原理图:
一些设计人员会在原理图的一角画出电源轨,并将所有去耦电容器放置在那里。他们的借口是原理图本身的去耦会使其杂乱无章,使其变得不清晰。海事组织是个坏主意。特别是如果其他人将创建PCB布局,则不清楚电容器的物理位置。如果按照上述原理图进行绘制,则至少建议电容器属于哪个引脚,PCB布局工程师将知道它必须靠近引脚放置。