为什么用硅来制造微芯片?


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为了更好地了解计算机如何在更深层次上工作,我提出了一个问题,即为什么在微芯片中使用硅。我一直很天真地认为硅具有很高的电阻,因此它是一种将低电阻的其他材料(例如金)夹在中间的好材料。这就是制造微芯片的方法。

经过实际的研究后,我发现我错了,而硅是一个“半导体”。为了简短起见,我将跳过一些,只说我不明白什么是半导体以及为什么它对制造微芯片有利。我已经看过几种解释,它们要么使我感到困惑,要么完全相互矛盾,但是基本要点是,半导体位于导体和绝缘体之间。为什么这对于制造集成电路有用?


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半导体是一种可以通过添加杂质(掺杂)来改变其电学行为的材料,并且可以根据影响的因素(例如施加的电和磁)来制造具有变化的电阻,电压阈值行为等的电路元件领域。硅价格便宜,无处不在(普通沙子)且方便,但是锗和其他半导体材料也用于需要的地方。
Anindo Ghosh

因此,从本质上讲,制造商使用这些杂质来创建电流可以传播的路径吗?那是对的吗?
科尔·罗兰

不是通路:更像是PCB,以铜为通路。例如,如果在结的任一侧的硅被适当地“掺杂”,则修改实际的材料行为,例如在双极结型晶体管中增加通过基极-发射极结的电流,并且通过集电极-发射极结的电流增加。
Anindo Ghosh 2013年

抱歉,“途径”可能是错误的单词。我的意思是,通过添加不同的杂质,您可以调整硅的化学性质,从而控制电流“流”过芯片的方式。那是对的吗?
科尔·罗兰

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为什么要反对这个问题?我已投票赞成将其还原为0。如果您打算投票反对,请提供反馈,以便改善问题。
bhillam 2013年

Answers:


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可以使用多种半导体材料中的任何一种,实际上,第一个晶体管实际上是锗(Ge)晶体管。Si如此占主导地位的真正原因可归结为4个主要原因(但#1是主要原因):

1)它形成一种高质量的氧化物,用很少的针孔或间隙密封表面。-由于SiO 2形成栅极的绝缘层,因此可以更容易地制造间隙MOSFET。-SiO 2被称为芯片设计者之友。

2)它形成非常坚韧的氮化物,Si 3 N 4氮化硅形成不渗透的非常高的带隙绝缘体。-用于钝化(密封)模具。-这也用于制作硬掩模和其他工艺步骤

3)Si的带隙非常好,约为1.12 eV,不能太高以致于室温下不能使其电离,并且不能太低以至于必须具有高泄漏电流。

4)它形成非常好的门材料。在VLSI中使用的大多数现代FET(直到最新一代为止)都被称为MOSFET,但实际上实际上是使用Si作为栅极材料。事实证明,非常容易在表面上沉积非晶硅,并且很容易以很高的精度进行蚀刻。

Si的成功基本上就是MOSFET的成功,而MOSFET的成功与规模化和极端集成推动了该行业。Mosfet很难在其他材料系统中制造,并且您无法在其他半导体产品中实现相同水平的集成。

GeO 2-可部分溶解

GaAs-不形成氧化物

CO 2-是气体

之所以使用半导体,是因为通过选择污染(称为掺杂剂),您可以控制材料的特性并调整其操作和操作机制。



这是一个很好的答案。
Rocketmagnet 2013年

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+1,但我也认为该材料的高可用性和低成本是另一个很好的理由。
肯尼,2013年

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在广泛使用FET之前,硅已经是主要的半导体材料。
奥林·拉斯洛普

1
与替代品(例如GaAs,多年来一直是“未来的半导体”)相比,硅的另一好处是物理坚固性。据我所知,如果您制作了200 mm GaAs晶片,如果您看它很有趣,它可能会破碎。这就是GaAs晶圆厂坚持使用小得多的晶片(3英寸和4英寸)的原因之一? )晶圆,因此与Si相比,GaAs更加不经济。
Photon

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为了勾勒出为什么半导体适合用于制造电路,请先了解一下它在导体和绝缘体之间,再加上以下事实:杂质(掺杂剂)和其他工艺(氧化物层)可以改变其行为,从而制成一部分它的表现更好,而其他部分的表现则更差。再加上电荷相互吸引或排斥的事实(相反的情况就像电荷排斥一样吸引)。

现在想象一下一个电子可以在其中流动的通道,该通道与附近的导电层绝缘,您可以控制电压。使该层为负,其电场排斥通道中的电子-甚至穿过绝缘体-阻止它们进入通道。使它为正,它会将电子从-ve端子吸引到通道中,然后电子可以流过+ ve端子。因此,您可以通过绝缘层上的电压来控制电流的流动。

这是一个场效应晶体管或FET。-绝缘层称为栅极;-ve端子称为源极,+ ve端子称为漏极。

当电子在通道中流动时,它称为N沟道FET(N为负)

您可以在半导体上构建其他器件,并且具有更深的理解,但希望这足以显示基本原理。

至于为什么要硅?在可能的十二种半导体材料中,它特别方便和可靠,并且几乎与沙子(主要是二氧化硅)便宜

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