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如在传递函数中所见，该电路将电压转换为电流。
晶体管与计算输出电流无关，后者仅取决于输入电压和R1。
从电路中可以发现：
但是，如果运算放大器在高增益区域中，那么（理想情况下）您还将拥有：
因此，您可以比较两个方程的正确项并获得：
该晶体管用于根据栅极电压驱动输出电流。这样考虑：运算放大器将做使其输入相等的一切，这将隐含地提供一个电压，以使R1 * Iout等于Vin。Iout和Vo（opamp）之间的关系将由晶体管设置。
因此，晶体管将执行真正的 VI转换，并通过运算放大器创建一个反馈环路。
因为我认为，即使没有此晶体管也可以完成转换。
运算放大器将根据输入来设置电压，而不是电流-从原理图符号的外观来看，这是正常的运算放大器，而不是会根据输入来设置电流的运算跨导放大器（OTA）。
而且，运算放大器可以吸收或吸收的电流量通常很小，因此，即使没有像MOSFET电路这样的外部“缓冲器”的OTA也将具有非常有限的V至I范围。
如果这对您仍然没有意义，请解释为什么您认为无需晶体管即可完成转换。
以这种方式思考电路。假设您的Vin信号为零，运算放大器的输出为零，因此，MOSFET栅极上的信号为零，MOSFET不导通，随后MOSFET反相输入上的信号为零。
假设Vin信号变为1V。现在，运算放大器输入之间存在1V的差异。运算放大器的输出将开始向正轨摆动，因为同相输入高于反相输入，并且由于MOSFET关断，因此运算放大器是开环的，具有极高的增益。最终，运算放大器的输出电压将达到MOSFET的栅极至源极阈值，并开始导通。
现在可能发生的事情之一。
如果到MOSFET漏极的页面外连接进入电压源，则MOSFET将根据栅极电压开始控制流过它的电流。流经MOSFET的电流在R1两端产生电压降。R1两端的电压是反馈信号-我们不再开环-因为R1电压被反馈到同相输入。当产生足够的运算放大器输出电压以控制MOSFET时，系统将达到平衡，以允许恰好足够的电流流过R1以产生与Vin相同的电压降，并通过将运算放大器的输出调整为Vin（或MOSFET动态）来维持平衡。阻力）变化。
如果页外连接未连接到电压源，则不会有电流流过R1，运算放大器将保持开环状态，并且运算放大器的输出电压将达到其最大可能的正输出。MOSFET将打开，但无任何作用。
这种方法的优势在于，可以使用较小的相对“弱”的运算放大器（就驱动能力而言）来控制数十，数百甚至数千安培-这仅取决于MOSFET的尺寸和功率处理能力检测电阻的能力。
它（如标题所述）是电压-电流转换器。R1顶部的电压等于（通过Q4的源漏电流）/ 100。运算放大器将在“电压跟随器”模式下运行，增加其输出，直到其两个输入端子相等时达到平衡。
因此，结果是一个可变的电流吸收器。这与电流流过的电压无关（从右图的右端）。鉴于运算放大器是基于电压的器件，仅通过输出电阻网络很难获得相同的效果。
这种配置还允许采用更大的MOSFET和较弱的放大器，而不是尝试全部集成。
TI在本文中对包含稳定性问题的这种拓扑进行了很好的分析。 运算放大器稳定性第15部分（共5部分）
仔细阅读前面的部分可能会很有用。但是它们也可以在网上获得。
编辑：对不起，这是我文档中的BJT。但是无论如何，这是一个很好的文件...
