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由于BJT在其工作区域中的基极-发射极电压会受到基极-发射极电流的影响,反之亦然,因此,给定晶体管的基极-发射极电压的变化将影响集电极-发射极的电流。另一方面,影响给定集电极-发射极电流变化所需的基极-发射极电压变化量通常是巨大且不可预测的。相反,在晶体管的“线性”工作区域内,基极-发射极电流加倍将使集电极-发射极电流大致加倍。不是绝对精确地将其翻倍,而是相当接近。这种行为比基极-发射极电压和基极-集电极电流之间的关系要可预测得多。
相比之下,FET或MOSFET除了漏电流或杂散电容产生的电流外,没有任何栅极电流。这些电流并非完全为零,但制造商通常会尝试将其最小化。因此,实际上不可能表征晶体管对不同栅极电流水平的响应。栅极-源极电压和漏极-源极电流之间的关系几乎不能像BJT中的基极-发射极电流和集电极-发射极电流之间的关系那样可预测,但它仍然是最可预测的表征方法设备的操作(与BJT上的可比关系相比,它更具可预测性和一致性)。
该说法是错误的。两种设备都是电压控制的。双极晶体管的精确模型是Ebers-Moll方程。
请注意Ebers-Moll方程中的自变量如何: 。不是基本电流!
BJT是跨导器件,就像JFET一样。
BJT放大电流的想法是近似模型的一个功能,可用于设计大多数简单的BJT电路。
BJT的特定简化/理想化是当前设备,而不是真正的BJT。就是那样行不通。基座中根本没有一个小恶魔,它可以计算通过基座移动的电子并进行分配 倍于许多电子进入集电极。
在BJT中,发射极电流与基极电流成正比(这是hFE
BJT 的值),而在FET中,源极/漏极电流与栅极电压成正比。实际上,这意味着如果您有一个电压源只能提供很少的电流(例如,将手指拖到铺有地毯的房间以积累一些静电之后,您的手指),则可以使用此信号来控制FET,但不控制BJT。
这种说法是正确的,因为BJT的输出电压由输入电流控制,而FET的输出电流由输入电压控制。因此BJT是电流控制电压源,而FET是电压控制电流源。