部分答案-可能会很长-以后可能会增加更多答案：
在这种情况下，通常选择双极性或MOSFET。到达JFET后，您可能还需要考虑SCR / TRIAC，IGBT等。您可能希望将双极-达灵顿（Darlington）混在一起。
简短：类似-
高达500 mA和30 V负载电压的小型双极型晶体管成本低廉，可以通过驱动电压上调1V来驱动，需要大多数处理器都可提供的驱动电流，并且这种电流得到广泛使用。
在开/关模式下运行时通常不需要散热，或者散热适中（PCB铜通常适中），SOT23或TO92尺寸的封装通常就足够了。当驱动线性负载且功耗增加时，需要的VI产品越低，和/或散热越好，和/或封装越大。
单电阻驱动器可提供10 kHz的频率，RC驱动器稍微复杂些可提供100 kHz的频率，并且要格外小心。更高再获得专家
在此范围内的易用性通常与MOSFET一样好或更好，并且成本较低。
对于10伏至100伏以上的电流，电流约为500毫安至10安培，MOSFET通常更易于使用。对于DC或低频开关（例如<1 kHz），对于选定的零件，可以在典型的微控制器级别上直接进行DC栅极驱动。
随着频率的增加，需要更复杂的驱动器在足够短的时间内对栅极电容（通常在NF附近）进行充电和放电，以保持过渡期间的开关损耗足够低以至于可以接受。在10 kHz-100 kHz范围内，通常使用2个或3个豆形BJT的简单驱动器就足够了。（因此，如果使用MOSFET，则需要添加2个或3个BJTS）。可以提供专业的驱动器IC，但通常不需要或成本合理
对于更高的电压和/或更高的频率，双极性开始再次赢得胜利。
存在专门的双极型设备，例如TV线路输出设备（即？:-），其运行电压约为1 kV，β约为3（!!!）。由于基本功率〜= Vdrive x Idrive和Vload >>> Vbase，所以Ibas〜= Iload并不太重要。
IGBT是一种尝试（通常是成功的）与野兔一起运行并追逐猎犬的尝试-它使用MOSFET输入级来获得低驱动功率，并使用双极输出级来获得高频性能下的高压。
达林顿晶体管（两个“双极串联”）（很可能是“达林顿对”）具有非常高的Beta（1000+通用），其代价是Vdrive = 2 x Vbe（单个BJT的1 x Vbe相对） Vsat> Vbe的输出晶体管，如果硬驱动到饱和状态，则明显不愿意关断。限制基本驱动以停止饱和速度减慢会进一步增加Vast_minimum。
我最喜欢的老式电源，但有用的开关稳压器MC34063包括功能强大的输出驱动器，它是达林顿对。它很有用，但必须在全速[tm]〜100 kHz的全速下避免饱和，因此当输出饱和的Volt +大大降低负载驱动电压时，效率会在低Vsupply时降低。
小型达林顿晶体管可以从1.5V驱动（更好），每安培负载通常<= 1 mA。如果输出饱和是可以接受的，那么它们将非常有用。
有用且流行的ULN200x和ULN280x十六进制和八进制驱动器IC使用集电极开放式达林顿，每个通道额定电流为500 mA（理想情况下并非一次全部实现）。输入电压有多种版本，有些甚至无需电阻即可适用于直接处理器驱动。ULM2003和ULN2803是最著名的处理器，但不一定是最有用的处理器驱动器应用程序。
考虑因素包括但不限于功率水平，驱动电压，负载电压，可用驱动水平，开关速度，所需的简易性，散热，效率，制造量和商业/业余爱好者，成本...。
在低功率水平和适度电压下（例如10伏特，并且在500 mA以下（可能高达几安培）），小双极性可能是一个不错的选择。驱动电流约为Iload / Beta（Beta =电流增益），Beta 0f 100至250 at 500 mA可提供性能更好的零件，而500+具有专业的零件。例如BC337-400（我最喜欢的TO92 BJT接头）的Beta Beta为250-600，其sqrt（250 x 600）~~ = 400，因此是零件名称。“保证的” Beta为250（请检查数据表）允许每mA驱动器Iload为250 mA。使用2 mA驱动器-大多数（但不是所有）处理器都可以使用-您可以获得500 mA的负载电流，尽管不会有更多驱动器误入歧途。这可以通过1V或更高的驱动电压来实现，因此运行在3V3甚至2V电压下的处理器可能可以正常运行。具有足够低的Vgsth（栅极阈值电压）的MOSFET可以在这些驱动电压下运行，但在几伏驱动下，它们变得越来越稀有和专业。所需的最小驱动电压通常为伏特或略高于Vgsth（在每种情况下，请参见数据表）。
双极具有导通状态压降（Vsat），取决于负载电流，驱动电流和特定的器件类型。在额定电流下，只有十分之几伏的Vsat是非常好的，可能典型值是500 mV，而且绝对未知。MOSFET的导通电阻为Rdson而不是Vsat。Rdson至少取决于驱动电压，负载电流和设备。Rdson随着温度升高而增加，并且可能超过环境温度值的两倍。请格外小心-数据表通常会作弊，并给Rdson施加脉冲负载，并说1％的占空比和足够低的频率以允许脉冲之间的芯片冷却。很调皮。根据经验，在“愤怒”中使用时，根据经验值可以得出两倍的公布值，尽管有些零件可以说仅比环境温度到最高温度高20％-每种情况请参见数据表。
在500 mA时具有100 mV Vsat的双极具有R = V / I = 0.1 / 0.5 = 200毫欧的等效电阻。MOSFET很容易改善Tjis的数字，Rdson说通常为50毫欧，合理地提供5毫欧以下，有特殊需求和更大钱包的人可用1毫欧。
补充：当您需要从Andy Aka的答案中得到2分扩展时，这是一个漫长而有用的工作。
@Andy aka在他的回答中提出了两个非常好的观点，这是我上面的回答所遗漏的。我将重点更多地放在开关和负载驱动方面。
安迪（不是用这些话）指出：
（1）与BJT相比，MOSFET“源极跟随器”的输入和输出之间的电压定义不明确，并且对器件的依赖性更大。当用作发射极跟随器时，“参考”电压被施加到基极，而输出电压则取自发射极，BJT在典型操作中会从基极到集电极下降“约” 0.6V dc。在极端的设计中（非常低的电流或非常高的电压）可以预期电压低至约0.4V至高至0.8V。一个以栅极为基准并从源极输出的MOSFET源极跟随器将从栅极到源极+至少降低Vgsth +所需的额外栅极电压来支持汲取的电流-通常高0.1至1伏，但在高负载或高负载时可能为2V +低规格设备示例。Vgsth与设备有关，大约为0。5V表示6V +，通常为2至6V。因此，源极跟随器压降可能在大约0.5V（稀有）至7V +（稀有）之间。
（2）晶体管是1象限器件（例如NPN =栅极+ ve，集电极+ ve，两个wrt发射极用于接通，但“ Y”的负Y轴轨迹未定（基极零，集电极为负，对于当器件关断时，反向偏置的MOSFET会在漏极源极两端提供一个正向二极管衬底二极管；当MOSFET关断但正向偏置时，它会很好地近似于一个小电容。 ，随着电压的升高，超过0.8V峰峰值的交流信号越来越多地夹在反向偏置半周期上，可以通过将两个相同类型的MOSFET串联串联来克服这种影响。作为浮点中点，以vin和vout的任一个漏极流失。这种安排可带来真正超赞和有用的开关，并且会导致那些不认为MOSFET在象限1和3中导通的人刮伤头部（对于N沟道FET，象限1 = DS +，SG +。象限3 = DS -SG +）。