Answers:
您的电路充当光隔离器的5至10 mA电流源驱动器。在较低电压下少一些。
这里的“窍门”是BFR30是JFET（结型场效应晶体管），而不是更常见的（当今）MOSFET，并且其行为与MOSFET根本不同。 BFR30数据表在这里。实际上，它是一种“耗尽模式”设备，当Vgs = 0时完全开启，并且要求Vgs为负才能将其关闭。当通常反向偏置的栅极源极二极管导通时，将Vgs设为正值会导致栅极电流流动（与mOSFET中不同）。（允许的最大绝对值是5 mA-参见数据表）。
当栅极连接到源极时，晶体管导通并充当电流源，在Vds = 10V时，Ids最小值为5 mA，最大值为10 mA。参见数据表。
要关闭晶体管，Vgs必须为负。
Vds absmax显示为+/- 25V，因此可以设置电路中的最大允许电压。
图3示出了对于Vgs的各种值在Vds ＝ 10V处的预期电流Id，并示出了典型的最小和最大曲线。
图4显示了从0到10V的各种Vds值时，Ids与Vgs的关系。当Vds达到10V时，电流已趋于平坦以接近电流源-随着Vgs越来越负。
Q1：那么R18只是充当一个分压器，使Vsupply下降-Vds @ 5mA max？
Q2：5V电源作为最小输入是否足够？
在说5mA时，R18上的压降= I x R = 0.005 x 100 = 0.5V，因此它会影响可用电压，但影响不大。
它的主要作用是在D18导通时对大量的输入尖峰起电流限制器的作用-如果没有D18，D18会尝试接受瞬时发送的任何能量-这可能是致命的。
要设计这样的电路或查看它在给定条件下是否可以工作，您需要使用最差情况值。对于组件，“最差”可能是最大值或最小值，具体取决于它如何影响电路。
在这种情况下，有3个串联的非线性部分（二极管，GET，光电二极管），因此一种简单的方法是进行最少的假设设置，为该假设设置插入最坏情况的参数，然后确定是否在该假设条件下工作假设集，以及边界有多接近。
我找不到与给定名称匹配的光耦合器，因此我选择了Digikey出售的最便宜的光耦合器作为示例。此处的价格 -LTV817，一个为37c，一万个为7.6c。
这里的BFR30 JFET数据表：这里的
BAV100二极管数据表：这里的
LTV817 pto数据表：
假设：5 mA电流。
使用数据表：
最坏情况下的光电二极管Vf在20 mA = 1.4V（典型值为1.2V）时。
可以看出，在5 mA时会稍低一些，但1.4V可以。
5 mA时的BAV103二极管约为0.7V。为了安全起见，请使用0.8V。期望更低。
R18压降= 0.5V。
在Vin = 5V时，剩下的FET平衡= 5-0.5-0.7-1.4 = 2.4V。
JFET数据表图4显示了Vgs = 0时的Ids与Vds典型值
这些是典型的电压。在Vgs = 0V和Vds = 10V时，Ids为〜= 4/6/10 mA。
一起搅拌全部并烤至嫩，我得出的结论是，最坏的情况下您可能得不到5 mA电流，而几乎可以肯定会得到4 mA。
该光电二极管的最便宜版本在4 mA时的CTR为50％，因此当Vout opto = 10V时，您将获得2 mA的输出。
如果您试图通过5V电源获得5V的轨-轨电压摆幅，则10k负载电阻将为您提供所需的每个指定输入mA 2倍至4倍的摆幅。
因此，是的，它将在许多应用中以5V工作。
大概在4V。
在3V时肯定不满意。
