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SDRAM初始化问题（Freescale iMX31）
我正在尝试修改现有的初始化序列（SDRAM的低级初始化）以适应硬件配置的更改：我的iMX31上的现有SDRAM被替换为不同的大小，否则使用相同的类型/制造商/布局/引脚/时序。根据规格。 简要的设置场景和错误行为：我设法使板启动（顺序是这样的：从NAND执行引导加载程序，将“ step2引导加载程序”复制到RAM，从RAM执行“ step2引导加载程序”）。但是我似乎有些设置错误，因为从RAM执行（跳转到步骤2之后）始终失败。 我进行了大量的深入测试以识别错误的参数，结果如下：-从NAND或JTAG执行时，单字节/字读取/写入工作-从NAND执行时，按块/突发写入似乎有效（ JTAG也有意思）：-逐块写入后，我需要在任何SDRAM地址上进行多次读取才能读取正确的字节/字（！）-如果将列设置修改为仅使用较高的（+1）列用于“加载模式”，而不是预充电/刷新，则它起作用，但是不一致（根据我的理论，它对于较低的地址范围可靠地起作用，在这里，丢失的列无关紧要）。 要了解一下我的配置：RAM中的设置与该问题中的设置几乎相同。这并不奇怪，因为它们是由Freescale提供的，除了RAM时序之外： 在Freescale iMX31上，如何将SDRAM地址转换为CPU地址？ 我的原始设置是相同的（链接中也是64MB SDRAM），我的新RAM是128MB。所有参考板均提供64MB或128MB，因此iMX31及其衍生版本支持这两个值。 我必须进行的更改（注意：假设！）仅在RAM的COLUMN配置中（多一栏）。RAM的大小是原来的两倍，但规范要求时机完全相同，等等。由于它只有一列（请参见上面的链接，因此，新RAM的预充电，刷新和加载模式寄存器从0x92100000变为0x92200000，例如）没有其他改变。 问题1：我的假设是否有意义，如果所有时序和物理芯片特性（影响驱动强度，时序和功耗）都相似，则列数的更改可能是“本地的”（不影响其他设置）？有趣的是，我将自己的设置与其他许多在线可用设置（U-Boot，Red-Boot的128MB）进行了比较，除了板级特定设置（例如驱动器强度）之外，我看不出有什么不同。 问题2：我上面的错误行为（写工作，只读部分错误）可能是RAM的某些无效设置所独有的。有谁能给我建议以更详细地了解哪种设置？也可以设置“安全”参数，以便即使性能降低，该系统也可以使我缩小罪魁祸首。