GaN脉冲操作

是否有人对微波GaN HEMT施加偏压和脉冲？我刚刚订购了10瓦S波段晶体管。我完全了解偏向测序。该应用是脉冲式的。我已经读过有关通过高侧开关对漏极施加脉冲以及通过捏紧栅极（Microsemi，Triquint等白皮书和博士学位论文辩护）来产生脉冲的知识。

有没有人尝试过任何一种方法。按重要性顺序：（1）上升/下降时间，（2）效率。我担心的不仅是串联电阻和漏极脉冲之间的无证影响。

我想要现实世界的经验。

— 约翰尼莫波
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我正在帮助支持德国制造的微波发生器。驱动器FET是一种耗尽模式类型，负偏置由来自同一导轨的电容式伏特转换器芯片驱动。是其连续评分的两倍。不要做他们所做的事情。

— 自闭症2015年

我的毕业设计是基于MMIC（GaN HEMT工艺）的谐波泵浦混合器设计。有一种称为硬切换的方法。漏极和栅极均以定时功能进行脉冲化。它使切换速度更快，但带有谐波。一些供应商提供了有关硬交换的信息，但这取决于环境中的很多事情。您需要在时域中多加注意（输出电阻，寄生，Cgs（Vin），互调电流（f）等）。

— Alper91 '16

除此之外，对于未记录的效果，您可以做得更少。这样，我的教学就可以使用相同的晶体管工作5年以上。因为他们害怕换另一个。（当然是在学术界）。但是如果有帮助，我知道漏极脉冲会在某些偏置等级上产生有害的谐波。在微波中，无法用简单的模拟等效电路来建模。

— Alper91 '16

我使用LDMOS blf2043f ptfa080551e（AB类）和旧苏联kt919（C类）制作了PA。ldmos晶体管在栅极侧似乎非常敏感（以这种方式破坏了几对）。另一方面，漏极非常坚固，可以承受巨大的阻抗失配。如果您愿意，可以增加更多的现实生活经验。

— ivan 2016年

漏极开关有些复杂，因为需要确保偏置条件在施加栅极信号之前是稳定的。我假设您熟悉稳定圈之类的东西，并且已经对所需的运行条件进行了所需的分析。请注意，稳态大信号S参数可能与您的脉冲大信号S参数（不是简单的测量，顺便说一句）有显着差异，这可能会使您的初始稳定性分析无效，但是如果这一切都是合理的出发点。一推再推，即使是小信号S参数总比没有好。GaN器件由于其较小的几何形状和较高的能量密度而遭受的内部加热效应比GaAs更为严重-较少的芯片背面面积可将热量散发出去。

显然，当进行漏极开关时，偏置稳定需要一定的时间-这取决于器件，占空比和功率。

如果您的应用程序允许，使用B或C类操作是最简单的方法，它避免了漏极开关的需要，但是您会产生更多的谐波，除非负载经过调整，否则这是一个问题。还要记住，滤波器通常会反射带外功率，这可能会使您的设备不安。

始终确保保护您的设备免于开路运行-一种方法是在输出上使用隔离器-许多电源设备已通过这种方式销毁。

不要指望能够完全模拟这些设备的行为-您将不得不进行实验-并且一路上会丢失一些设备！祝好运！

— NG附近
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