Questions tagged «microwave»

为什么带有金属（？）壁的微波炉可以正常工作，但是如果我（理论上）将金属勺放入其中，可能会发生“坏事”？ 也许这些内壁不导电？

30 microwave 

我和我的朋友正在进行激烈的辩论。 一方面，他认为空的微波炉几乎不消耗功率（不考虑灯光，液晶显示器等）。他说，一旦将物品（例如一杯水）放入烤箱，由于磁控管必须输出更多的能量来加热内容物，烤箱将开始消耗更多功率。他说，基本上，微波炉中磁控管的功耗与烤箱内吸热分子的质量成正比。 另一方面，有我。我认为磁控管总是输出其额定值（在理想情况下）。我相信空的微波只是通过机箱散发出热量。我做了一个无线电塔的比喻，无论发射多少听众，发射时总是以相同的功率进行发射。 我们俩都提出了一些有趣的论据，但我们俩都不是工程师，也缺乏知识来证明我们的理论。 因此，我们求助于您！ 谢谢！

22 heat  energy  microwave 

如果我用2.4GHz WiFi（IEEE 802.11）天线替换了屋顶的旧电视天线；我可以使用现有的同轴电缆吗？还是我需要铺设所有新电缆？

12 antenna  wifi  microwave  coax  signal-theory 

我正在尝试学习有关脉冲生成的一些技能，但这并不容易。我试图得出脉冲发生器中输入电阻器消耗的功率，但事实证明它比实际功率小得多（如果我是对的话）。我的错误在哪里？ 脉冲发生器是一个简单的弛豫雪崩晶体管脉冲发生器。 这是一张照片 编辑：图片中可见的50Ω电阻已断开连接。在这里，只有50欧姆的振荡器起作用。这是我对耗散功率的推导： [RRR= R 1 + R 2=R1+R2= R1+R2CCCC1个C1C_1[R大号RLR_L 我们可以用示波器可视化脉冲。 （0 ，0 ）(0,0)(0,0)VVVσσ\sigmau(t)=V−Vσt.u(t)=V−Vσt.u(t) = V - {V\over \sigma}t. RLRLR_LE=1RL∫σ0u2(t)dt=1RL[−σ3V(V−Vσt)3]σ0=σ3RLV2E=1RL∫0σu2(t)dt=1RL[−σ3V(V−Vσt)3]0σ=σ3RLV2 E = {1\over R_L}\int_0^\sigma u^2(t) dt = {1\over R_L} \bigg[ -{\sigma\over 3V}\bigg(V - {V\over \sigma} t\bigg)^3\bigg]_0^\sigma = {\sigma\over 3R_L}V^2 fffRLRLR_LPmean=fE=fσ3RLV2.Pmean=fE=fσ3RLV2. P_{mean} = fE = {f\sigma\over 3R_L}V^2. CCCVavVavV_{av}VavVavV_{av}Ecap=CV2av/2Ecap=CVav2/2E_{cap} = CV_{av}^2/2RLRLR_LEEEC=2σ3RLV2V2av.C=2σ3RLV2Vav2. …

12 generator  pulse  microwave 

在将PCB弯曲成90°的RF PCB上，您有很多选择，但是其中弯曲和斜切弯曲被认为是性能POV的不错选择（均在下面显示）。 多年以来，我一直认为如果您的董事会上有足够的空间，弯曲的弯头比斜切的弯头是更好的选择，但是最近我听到一位同事的相反建议。 我的问题是在有足够空间的情况下，哪个选项是更好的选择？（赞赏模拟结果或实际测量结果）

10 rf  pcb-design  microwave 

PCB的顶层，传输650 MHz / 1.3 Gbps （已校正：1.3 GHz）矩形脉冲的50 Ohm微带线。 为了保持良好的信号完整性，是否应该在走线的顶部去除阻焊油墨？

9 pcb  high-frequency  microwave 

提供了许多细节，以备不时之需。 我将继续研究由Arduino驱动的远程接近传感器（最终只是ATMEGA *芯片及其安全伙伴），到目前为止，它已经有了一个不错的原型。它像PIR模块一样拾取运动并发出信号，Arduino通过5V螺线管将其变成机械敲击。PIR模块不能在中空玻璃后面工作（可以预见），并且使其成为室外设备需要的工作（以及电池的电源管理）超出我目前愿意投入的工作。 为简化起见，我决定尝试使用X波段雷达模块，以便将其保持在室内并避免风雨。将微波设备指向砖墙以检测运动的吸引力非常强大。:-)我正在使用这个视差模块（数据表）。 问题在于，即使灵敏度锅一直降到最低，该装置除了在天线侧以外，还在后面进行移动。查看数据表（并查看代表其字段的图形-不知道术语），这似乎确实是预期的行为。但是，我想将其聚焦在一个面向前方的光束（相对于设备）中，以便将其瞄准外部。 我知道足够多，我需要某种波导，但是用金属（铝箔，可乐罐切成的圆锥形，以及我用吊扇代替的1950年代锥形吊灯的圆锥形）阻塞其背面的任何尝试均告失败。该模块在其后面不断移动。我什至把整个东西都封装在一个铝制项目外壳中，只是为了验证我是否可以将其遮蔽。似乎以某种方式直接穿过外壳并获得了运动。这是出乎意料的。我怀疑有干扰，但检测结果仅与实际运动一致。 那么：什么才是好的波导？你们将如何解决将脉冲多普勒雷达聚焦到适当窄的光束以进行运动检测的问题？感谢您提供的任何见解。我很高兴获得更多具体信息或澄清以上任何问题。 注意： 我确定主题可能更具体，但这是我的第一个电子项目，我宁可含糊而不是混淆不正确。：-} 干扰附录： 我仍然不相信不会发生任何干扰。由于我还没有示波器，所以我不确定如何测试该理论。 该线程似乎表明我的方法存在缺陷：显然，应从具有噪声和时间阈值的模拟引脚读取模块的状态。我一直在数字引脚HIGH / LOW上阅读它。

9 arduino  microwave  waveguide  radar 

磁控管的功率随时间下降。尽管对于大多数消费类应用而言并不引人注目（如果每天仅使用15分钟，则2000小时的使用寿命将持续20年以上），但这在工业环境中是一个问题。11^1 是什么导致这种功率损失？我能找到的最好的方法是“阴极退化”，但我仍然不明白这是什么意思（实际上是什么机制在“降解”阴极？），如果这真的是唯一原因的损失。 我熟悉半导体器件，在这种情况下，性能下降可能归因于诸如电子迁移，热载流子注入，掺杂剂随时间的扩散等因素。但是磁控管似乎只是一个非常重要的原因。机械结构“简单”，相对于半导体而言，体积很大，因此我无法想象那些影响会在这里引起问题... 11^1微波领导者》杂志，《微波与射频》，2018年，第13-14页

9 microwave  failure  lifetime  magnetron 

是否有人对微波GaN HEMT施加偏压和脉冲？我刚刚订购了10瓦S波段晶体管。我完全了解偏向测序。该应用是脉冲式的。我已经读过有关通过高侧开关对漏极施加脉冲以及通过捏紧栅极（Microsemi，Triquint等白皮书和博士学位论文辩护）来产生脉冲的知识。 有没有人尝试过任何一种方法。按重要性顺序：（1）上升/下降时间，（2）效率。我担心的不仅是串联电阻和漏极脉冲之间的无证影响。 我想要现实世界的经验。

8 mosfet  amplifier  mosfet-driver  microwave 

共面波导（例如此处的图片）经常用于研究中，以产生局部平面内磁场。现在，如果与这样的平面微线圈相比， 由1-5 GHz范围内的AC电压驱动，比较这两种查看输出/频谱/功率的技术时，主要的限制或区别是什么？ cpw可能具有创建具有高q因子的窄带交流场的优势，并且可以通过整个1-5 GHz范围内的GHz发射器简单地进行调谐吗？ 微线圈的交流磁场频谱是什么样的？对称/不对称，并且在交流电压源的驱动频率处的峰值附近很宽？但是，与CPW相比，时间常数和潜在的光共振激发不是吗？1-5 GHz的驱动频率是否太高而无法在此处传输能量以产生交流场？ 这两种技术可以达到的场强（nT，mT，Tesla）有什么不同？考虑到两个系统的尺寸都在低微米范围内（横向尺寸小于100微米） 微线圈的电感在1-5 GHz范围内会发生很大变化，并且由于线圈的发热还会另外变化吗？ 我在哪里错/对。我错过了什么？

8 rf  electromagnetism  magnetics  waveguide  microwave