每个电阻都有公差,这为用户提供了产品精度的想法。该公差用百分比表示。这意味着:大阻值的电阻将比具有相同容差的小阻值的精度低。
100Ω10%电阻将比1kΩ接近100Ω,而10%电阻将接近1kΩ。
这是为什么?因为高阻值的电阻比小阻值的电阻难生产?如果不是,为什么公差是百分比而不是固定的欧姆数?为什么公差是相对的而不是绝对的?
这些问题对电容器也有效,但是我很确定答案是相同的。
每个电阻都有公差,这为用户提供了产品精度的想法。该公差用百分比表示。这意味着:大阻值的电阻将比具有相同容差的小阻值的精度低。
100Ω10%电阻将比1kΩ接近100Ω,而10%电阻将接近1kΩ。
这是为什么?因为高阻值的电阻比小阻值的电阻难生产?如果不是,为什么公差是百分比而不是固定的欧姆数?为什么公差是相对的而不是绝对的?
这些问题对电容器也有效,但是我很确定答案是相同的。
Answers:
我会尽力为您简化这一过程...希望能成功。
如果您想象仅通过切割一块材料来制造电阻器,那么可以说是一种特殊的金属膜。
您希望电阻器可以装在可用的盒子中,否则就毫无意义,因此您不能制作超长条或难以置信的短条。因此,您使用的是相同金属厚度不同的薄膜。
现在,假设您有一堆厚度,每种厚度的电阻都比薄一步的电阻低十倍。它们都必须长10毫米才能适合您的盒子,这样您就只能切去标准的条带宽度(例如5毫米)。
如果要制造10兆欧,请选择最薄的那一欧,然后将其宽度减半。因此,您必须移除2.5mm。如果材料是线性工作的(我们为简便起见而假定),则意味着您“切掉”了2.5毫米内的10兆欧。要或多或少地去除10欧姆,则意味着切割精度为(为了清楚起见,用括号括住,而不是因为需要它们):
(10/10000000)* 2.5mm = 2.5nm。
2.5nm比我们在硅芯片技术中可以做的要小。以米为单位,即0.0000000025m,对于初学者来说,一米接近一个院子,大约成年人类的长步幅。
如果您想在100 Ohm电阻上得到相同的10 Ohm误差,则可以将箔膜向上倾斜五级,如果它仍然是线性的,则可以得到约50 Ohm(2位100 Ohm并联)。必须再次切断2.5mm。但是这一次,您只能删除精确到:
(10/100)* 2.5毫米= 0.25毫米。
一个有经验的人可以用一把剪刀来做。
看到那里的难度差异了吗?剪刀与微芯片甚至无法做到这一点?
那时电阻箱的尺寸允许为10mm x 5mm,约为当今最常用类型的电阻器尺寸的10倍。
现在,显然在充满金属膜卷的小精灵车间里,电阻器已经不再制造了……我们在制造更多不同厚度的不同材料方面已经做得更好了,所以它变得更好了。
但是,它确实说明了这一点,即使您对所有物体都使用激光微调,将其修整到百万分之一,即在10 Mohm上为10 Ohm,也将是很难保持一致的过程,即使这样仍然会创建很多修剪过或修剪过的零件。
通过接受工程中的任何过程均受统计数据,百分比和平均规则支配,我们可以轻松地应对精度为10%或1%或0.1%的电阻器,因此无需做得更好在大多数情况下。
只有当您需要一个非常准确的参考电压时(如果您的名字不是Fluke,Keysight,吉时利或其他任何一个并不常见),您才希望有人给您提供一个优于0.001%的电阻,并且这些电阻通常是大型陶瓷板使用非常精确地涂覆的电阻材料层,然后将其切成非常精确的配方,即使到现在也要花费可笑的钱。尽管0.01%的价格最终将接近负担得起的水平。
这更多是材料科学或制造方面的问题。这实际上取决于电阻器技术以及制造过程。 资料来源:芯片电阻器信息
元件的电阻测量其对电流的反作用,以欧姆(Ω)表示。每种材料都有特定的电阻率,可以测量这种抵抗的强度。对于元素的均匀横截面,电阻®与材料的电阻率(ρ)和长度(L)成正比,与面积(A)成反比。
是固定的,其归因于材料的电阻率,可能不是公差的主要因素。面积可能是一个容易控制的因素,但是材料的数量(尤其是高度)不容易控制。不管采用哪种方法,最终都将导致1%左右的误差,您需要在测量电阻的同时用激光蚀刻该区域,以达到所需的精度,从而节省时间和蚀刻成本。但是,对于大型和小型电阻器,该过程都是相同的,并且对于大型和小型电阻器,您都具有相同的制造误差。