如何为IC选择电容器


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我是软件行业电子产品的初学者。通过一些自学的东西,我试图实现一些基本的Arduino电路。我的困惑主要是关于电容器。我对电容器的理解是,它们可以充当电力存储几秒钟或几毫秒。

我发现大多数IC必须在其引脚上连接电容器。

我的困惑是如何找出哪些引脚需要电容器,以及如何找到用于电路的正确电容器或用于IC的电容器。

最后,为什么在这种情况下电路中需要电容器?


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这就是IC的数据表的用途。
Brian Drummond

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成功进行电气工程的一个怪异技巧:请阅读数据表
Cuadue,2008年

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首先,RTFM(请参阅高级手册,也称为数据表)。
Spehro Pefhany

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@SpehroPefhany用RTFM (refer to the fine manual)什么样的方式讲,我只听说过它作为替代Read the f****** manualXD
DerStrom8

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@Cuadue我尝试过,我简直不敢相信接下来会发生什么……
nitro2k01

Answers:


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您所指的是所谓的去耦电容器,用于去总线上的IC电源引脚。换句话说,如果总线上的另一个设备快速导通并吸收大量电流,则可以防止敏感IC被“饿死”,这会在一段时间内降低总线电压。电容器提供启动设备所需的额外电流,并防止其芯片遭受总线突然负载的影响。这对于快速切换的高速设备通常是必需的,因为这会消耗大量电流。电容器不一定要根据其电容来选择,而要取决于其ESR(等效串联电阻)和ESL(等效串联电感)。理想情况下,您将确定器件打开的速度,并为此速度选择具有最低ESR / ESL的电容器。最常见的去耦电容值可能是0。1uF,但对于更快的电路,您可能需要0.01uF或0.001uF(再次取决于在这些速度下的ESR和ESL)。如果同一总线上存在多个具有不同速度的设备,则可能需要多个去耦电容器,每种速度都需要一个去耦电容器。

数据表中有100的99倍会告诉您确切要在哪个引脚上使用哪个值的去耦电容器,因此请阅读数据表。ADI公司的本教程也是一个很好的资源。


我觉得这个答案看起来不错,但不是很完整或严格正确。ESR和ESL对于在不加载总线其余部分的情况下提供数字电路的开关电流更为重要,这与去耦电容的定义相反。开启速度并不重要,ESR和ESL是恒定的寄生物,不会像您暗示的那样随“速度”而变化。电容器的电容值对高速IC的去耦并不重要,只有ESL /封装才有效(显然,大容量电容有所不同)。您看对数据表是正确的,但我认为解释有缺陷。
jalalipop

@jalalipop如果您查看电容器的数据表,您会注意到ESR / ESL在一定频率范围内变化。在频率范围内的某个点,ESR / ESL最小。这就是我所指的。看到这张图片:i.stack.imgur.com/zmMpK.gif
DerStrom8

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您想选择一个阻抗最低的电容器,该电容器的阻抗值为您要切换的频率
DerStrom8

首先,这是一个阻抗图,而不是ESR / ESL,尽管它们显然相关。其次,您的开关频率很重要。数字电路中的去耦实际上与您的上升/下降时间的频率内容有关,而与开关频率无关。您发布的图表实际上表明,在实际上对去耦至关重要的高频中(又对HF噪声和数字信号边沿速率而言),由于寄生电感,相似封装中的所有电容器的性能几乎相同。我可以继续...
jalalipop

我承认“开关频率”不是正确使用的术语,尽管由于上电和/或开关顺序期间的上升和下降时间,去耦确实在更快的电路变得越来越重要。这就是我的意思是通过这条线:Ideally you would determine the speed at which the device would turn on, and pick the capacitor with the lowest ESR/ESL for that speed。开启速度更快(意味着加电或输出从高切换到低)的设备将需要根据该速度的ESL选择去耦。而阻抗=电阻+电抗
DerStrom8

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这都是由于电感:

假设您的微控制器消耗的电源电流在5ns内从1mA上升到11mA,然后在每次处理一条指令时又回到1mA。

di / dt = 10mA / 5ns = 2000000 A / s

现在,电感两端的电压为v = L di / dt,从电源到微控制器的走线具有50nH电感...

v = L di / dt =电源上的压降100mV。

好的,它还不会崩溃,因为它是一个慢速微型芯片,不使用大量电流...但是一个更快的微型芯片或其他采用更快/更高电流尖峰的芯片需要其功率来自低电感源避免在汲取电流脉冲时出现电压骤降,而靠近放置的电容器是实现此目的的好方法。

同样重要的是,电容器可以在一个小的局部环路中保持微控制器汲取的噪声电流。

环形天线的效率与面积成正比,因此,当电容器闭合时,辐射噪声的数量将少得多。

另外,如果您还有其他组件,例如同一电源上的运算放大器,那么微型电容将防止微型噪声将运算放大器的电源搞砸,这会在输出端造成一些垃圾...

因此,在这里,上限是:

  • 电源完整性:电容在本地提供高di / dt电源电流
  • EMI:减少环形天线面积
  • EMC:将噪声排除在其他敏感设备之外

现在,如何选择值:

  • 一卷100x 25V 0805 X7R的100nF成本为1.40欧元,1µF成本为5.40欧元。因此,请购买一卷100 µF。
  • 每当您在电路上放置一个去耦电容器时,请记住如果您花10分钟阅读数据表,发现100nF可以工作,那么如果您仅建造一个单元就损失了10分钟并节省了4美分。
  • 我只放了1µF,保证每次都能工作。此外,它的振铃更少,与低ESR电解液等效果更好。
  • 我也使用25V的电容,所以我只需要储备一个3.3V至15V的值...

确实是一个简短的摘要。
Analogsystemsrf

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如果您坚持使用25V X7R,您是否不认为会导致电容无效的任何直流降额?典型的+/- 15V电源的降额
幅度

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是的,关于降额您是正确的。我同意从工程角度考虑,如果您要制作成千上万的电路板,则需要考虑一下这一点。我不同意考虑DIY电子设备设置。我有一个1µF / 25V的线轴,由于数量折扣,其成本很小。因此,它们就像在15V电压下为300-500nF ... 100nF就足够了...因此,这种电容器的基本原理是“不管值是多少,都去耦电容器”,并且...它将起作用。
peufeu

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所以我的困惑是如何找到我们需要电容连接的引脚

对于您使用的每个芯片,都会有一个数据表告诉您,如果没有告诉您,是因为该芯片来自特定的逻辑系列(例如),并且会针对该系列提供制造商的通用数据表。会告诉你。

以及如何找到用于电路的正确电容器或用于IC的电容器。

参见上文-位于数据表中。

最后,为什么在这种情况下的电路中需要电容器?

许多芯片将“消耗”电流脉冲,而电容器将提供那些能量脉冲,因此整个电源接线(或PCB上的走线)不必处理这些情况。这意味着更好的可靠性,并减少了对其他芯片和系统的辐射和传导辐射。

某些运算放大器之类的IC将依靠电容器来维持性能并避免输出不稳定,尤其是在驱动某些负载时。


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级别1(通常足够好,并不总是如此。):只需在> 10uF和100nF并联时拍击,后者的引线越短越好。

级别2:按照建议阅读数据表。

级别3:阅读凌力尔特应用笔记47。

另外,请考虑在去耦电路中使用铁氧体磁珠。


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据我所知,电容并不是那么重要,它只是用于VSS和GND之间的一些“过多”能量。因此,通常使用非常低的电容器。我主要使用带有104标记(意思是10e4)的陶瓷电容器,即10e4 pF,即0.1 uF。


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104 = 10 * 10 ^ 4 pF = 0.1uF
钙3000年

感谢您的改进,相应地更改了我的答案。
Michel Keijzers '17

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@MichelKeijzers我已经为您更新了:)
DerStrom8

@ DerStrom8我upvoted你(远好于我的“新手”的答案解释
米歇尔Keijzers

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@MichelKeijzers非常有义务!
DerStrom8

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给每个电源引脚一个0.1 µF的陶瓷盖,最好与0 µF的钽或陶瓷并联,尺寸为0805或更小。如果您只关注高频噪声,则可以省略10 µF电容,或者用更小的电容代替。要用于低频旁路的较大电容的位置并不是很关键,但是这些电容也应该靠近在半英寸内。


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这不仅是一个不完整的答案,而且过于笼统且非常无用。
DerStrom8

讨厌拒绝投票-它可能无法解释背景,但是作为“在大多数情况下可行”的建议也不错。
rackandboneman
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