这都是由于电感:
假设您的微控制器消耗的电源电流在5ns内从1mA上升到11mA,然后在每次处理一条指令时又回到1mA。
di / dt = 10mA / 5ns = 2000000 A / s
现在,电感两端的电压为v = L di / dt,从电源到微控制器的走线具有50nH电感...
v = L di / dt =电源上的压降100mV。
好的,它还不会崩溃,因为它是一个慢速微型芯片,不使用大量电流...但是一个更快的微型芯片或其他采用更快/更高电流尖峰的芯片需要其功率来自低电感源避免在汲取电流脉冲时出现电压骤降,而靠近放置的电容器是实现此目的的好方法。
同样重要的是,电容器可以在一个小的局部环路中保持微控制器汲取的噪声电流。
环形天线的效率与面积成正比,因此,当电容器闭合时,辐射噪声的数量将少得多。
另外,如果您还有其他组件,例如同一电源上的运算放大器,那么微型电容将防止微型噪声将运算放大器的电源搞砸,这会在输出端造成一些垃圾...
因此,在这里,上限是:
- 电源完整性:电容在本地提供高di / dt电源电流
- EMI:减少环形天线面积
- EMC:将噪声排除在其他敏感设备之外
现在,如何选择值:
- 一卷100x 25V 0805 X7R的100nF成本为1.40欧元,1µF成本为5.40欧元。因此,请购买一卷100 µF。
- 每当您在电路上放置一个去耦电容器时,请记住如果您花10分钟阅读数据表,发现100nF可以工作,那么如果您仅建造一个单元就损失了10分钟并节省了4美分。
- 我只放了1µF,保证每次都能工作。此外,它的振铃更少,与低ESR电解液等效果更好。
- 我也使用25V的电容,所以我只需要储备一个3.3V至15V的值...